全岩机掘巷道局部负压除尘技术的试验与应用

井工矿井全岩巷道逐步推广应用硬岩掘进机,在掘进机切割时采用迎头局部负压抽尘后部湿式净化技术,实现掘进机切割粉尘控制在迎头除尘风筒吸风口以前,减少后部粉尘飞扬,改善职工作业环境。     

连续原丝毡的烘干技术

玻璃纤维连续原丝毡是由连续玻璃纤维原丝无定向呈圈状均匀分布,靠原丝束之间的力学联锁作用并配以有机粘结剂所制成的一种玻璃纤维无纺制品。     

我国磷资源利用现状与可持续利用的建议

磷是一种不可更新、难以替代的资源,磷的资源危机将对我国社会可持续发展乃至人类的生存构成严重威胁。我国现有磷矿储量能够维持再使用70年左右的时间,如果仅以富磷矿磷储量[w(P2O5)≥30%]计算,富磷矿储量仅能维持使用10～15年。因此,充分认识磷资源,合理开发和利用磷矿,同时寻找新的出路,对保障我国国民经济可持续发展有着重要的战略意义。通过对现阶段我国与世界磷的资源储备、生产状况、品位变化的对比,陈述现阶段我国磷矿资源开发利用所面临的问题,提出磷资源可持续利用的建议。     

溶胶-凝胶法制备纳米尺度催化剂的研究进展

介绍了溶胶-凝胶法制备纳米尺度催化剂的基本过程和其最新研究进展。指出:将溶胶-凝胶法与其他技术相结合,从而提高纳米催化剂的稳定性,将是溶胶-凝胶法在纳米催化剂制备中的发展方向。     

等径弯曲通道变形工艺的研究及进展

综述了等通道转角挤压的工艺原理、剪切变形特征、不同工艺参数对显微组织及材料的性能的影响，对该工艺的前景进行了展望。     

SiC（Cu）／Fe复合材料制备工艺研究

采用非均相沉淀法制得Cu包裹SiC复合粉体，利用粉末冶金和常压烧结制备SiC（Cu）／Fe复合材料。利用Zeta电位仪、XRD，EDS以及SEM等手段对包裹粉体和烧结样品进行了分析。结果表明，采用非均相沉淀法可以得到Cu／SiC复合粉体。包裹后的粉体与原始SiC粉体的表面电位不同，达到了对SiC颗粒表面改性的目的。Cu作为过渡层改善了SiC／Fe的界面相容性，在1050℃烧结的样品只有微量的FeSi或Fe2Si生成，界面反应得到有效控制，获得化学结合的界面，温度过低不能烧结致密，温度过高出现大量缺陷。     

压痕过程中非晶Cu形变诱导晶化行为的原子模拟

采用Mishin镶嵌原子势,通过分子动力学方法模拟了非晶Cu在压痕作用下的形变诱导晶化行为,考察了压痕过程中能量、应力与微观结构演化的关系.局部塑性变形区域出现微小晶核,随着变形的增加,晶核不断生长与合并,局部塑性变形是导致非晶晶化的根本原因最终生成的晶粒具有面心立方结构,其(111)密排面平行于剪切面.非晶相中的纳米晶粒能提高非晶材料的刚度.     

二硼化锆基超高温陶瓷的制备及性能

用碳化硅(SiC)颗粒增韧二硼化锆(ZrB2)陶瓷,在氩气流中热压烧结温度为1 950℃、保温1 h,20 MPa压力下成功制备出了致密的ZrB2/SiCp复合材料.ZrB2/SiCp复合材料的致密度随着SiC颗粒添加量的增加而增加.当SiC颗粒的体积分数(下同)为15%时,相对致密度达到100%.ZrB2/SiCp复合材料的抗弯强度和断裂韧性都随着SiC添加量的增加成上升趋势,当SiC颗粒的添加量在15%时同时达得最大值,分别为646 MPa和8.52 MPam·m1/2.SiCp的添加还提高了ZrB2/SiCp复合材料的耐氧化烧蚀性能.     

SPS反应烧结HfB2复合材料的制备和性能

针对HfB2陶瓷材料难烧结和韧性差等问题,选择ZrC粉、Si粉和C粉为烧结助剂,借助ZrC-Si-C间的原位反应生成ZrSi2和SiC,促进HfB2陶瓷的烧结,并提高HfB2陶瓷的综合力学性能。结果表明,HfB2与烧结助剂的混合粉体经放电等离子烧结(SPS)在1600℃保温10 min和40 MPa的压力条件下制备出相对密度为96.6 1%的HfB2-ZrSi2-SiC复合材料,所制样品的硬度、抗弯强度和断裂韧性均随着烧结助剂ZrC-Si-C含量的增加呈现先上升后降低的趋势。当ZrC-Si-C添加量为10%时所制备样品的综合力学性能最好,其硬度值为26.80±1.2 GPa、抗弯强度为504±40 MPa、断裂韧性值为4.66±0.21 MPa·m1/2。     

W波段阶梯型交错双栅慢波结构行波管的研究

为了提高传统交错双栅慢波结构行波管的性能,提出了一种阶梯型交错双栅慢波结构,并基于此新型慢波结构,提出了新型输入输出耦合结构.在此基础上,设计了一只工作在W波段的带状电子注阶梯型交错双栅慢波结构行波管.计算结果显示,阶梯型交错双栅慢波结构行波管的耦合阻抗更高,从而使行波管在更短的互作用电路长度里,实现更高的饱和增益和互作用效率.在90～100GHz频率范围内,阶梯型交错双栅慢波结构的耦合阻抗大于4Ω,高于传统交错双栅慢波结构;W波段带状电子注行波管高频结构的反射系数(S11)小于-15dB;并且行波管的饱和输入功率仅约为0.7W,可以实现最高输出功率约800W,相应的效率大于7.8%,增益大于30.6dB.