一种基于FPGA带限数字噪声发生电路的设计

介绍了一种基于FPGA带限噪声发生电路的结构和实现。该数字噪声信号发生电路采用数字方法生成基带噪声序列,并加入数字低通滤波,可在线修改噪声带宽和幅度。使用方便灵活,并且具有很好的可扩展性。     

空时二维谱估计算法的分析与仿真

文中首先介绍了阵列信号模型,分析了空时二维谱估计的原理。指出可以充分利用空域与时域处理的特点来提高空间谱估计算法的性能。相对于一维谱估计而言,二维谱估计的最大优点在于可以处理信源数大于阵源数的信号参数估计问题。通过仿真结果可以看出,算法可以很好的估计入射信号的频率和方位角,验证了所提算法的有效性。     

信元调度中的优先级排队研究

ATM交换结构通常应具备优先级控制功能,以适应宽带业务的多样性。优先级控制功能是指可以按各类业务的优先级高低来控制服务质量。当不同优先级的信元在争抢资源时,应该保证优先级高的信元先得到服务,优先级低的信元在缓冲器中等待。实际情况是缓冲区的长度是有限的,丢包现象不可避免。但是如何让丢包对于该结构性能影响不大,比较可行的办法便是支持优先级。     

一种基于FPGA带限数字噪声发生电路的没计

介绍了一种基于FPGA带限噪声发生电路的结构和寅现.该数字噪声信号发生电路采用数字方法生成基带噪声序列,并加入数字低通滤波,可在线修改噪声带宽和幅度.使用方便灵活,并且具有很好的可扩展性.     

新型光纤光栅传感网络及其MAC协议设计

传统光纤光栅传感网络具有灵活性低、移动性差等缺点.提出采用无线通信方式进行数据传输,构建一个新型的光纤光栅无线传感网络.设计了该传感网络的MAC层协议-FG-MAC(Fiber Grating Media Access Control)协议,并与IEEE 802.11协议在时延、吞吐量和能耗三方面进行了比较分析,结果显示FG-MAC协议更适合该新型传感网络.

Abstract：

The conventional fiber grating sensor network is poor in flexibility, mobility, etc. A novel fiber grating sensor networks is introduced, which is based on wireless data transmission. The FCr-MAC protocol (Fiber Grating Media Access Control) in MAC layer is designed, and is compared with IEEE 802.11 protocol in time delay, throughput, energy consumption. The results indicates FG-MAC protocol is more suitable for the novel fiber grating sensor networks.     

温度传感器自动检测系统误差分析

温度传感器自动检测系统主要通过被测件与标准器的实时比对,实现对传感器的精确测量,而系统的误差分析则是保证测试精度的关键.介绍了温度传感器自动检测系统的组成及测试方法,并且通过对一只温度传感器的实测,详细分析了影响该系统测试精度的几种误差来源,同时对各个误差的不确定度进行r分析和评定,最后给出了整个系统的总不确定度.     

硫酸盐还原菌的微生物腐蚀及其防护研究进展

综述了硫酸盐还原菌(SRB)引起微生物腐蚀(MIC)的各种机理及其形成生物膜的腐蚀作用,以及利用微生物防治硫酸盐还原菌腐蚀的研究进展.     

低渗透气藏应力敏感与气井产量分析

低渗透气藏生产井产量及递减规律受生产压差、地层压力变化和储层开发地质条件等多种因素影响。通过试验和分析实际生产动态资料,探讨了应力敏感对储层物性和单井产量的影响,建立了考虑应力作用的数学模型,并获得其无因次产量拉氏空间解,从理论上阐述了应力敏感对气井产量的影响程度。研究表明,低渗透气藏应力敏感对地层渗透能力影响大,进而影响产量及其递减规律。在生产管理中要采取合理的开发技术方案,防止井底地层压力迅速下降导致渗透能力的降低。     

通信工程全生命周期时限管理体系构建研究

以通信工程项目全生命周期时限标准化研究为核心,梳理项目全生命周期各阶段基本流程、起点标志性触发事件及各环节流程衔接关系,通过科学论证,以定性和定量的分析方法,根据工程建设规模计算出各阶段的标准化周期,依据周期的长短及流程串并行实施关系合理地指导工程物资和人力资源的投入,具有较强的信息化移植和应用前景。     

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.