一种基于标准CMOS工艺的光互连方案探讨

A standard CMOS optical interconnect is proposed, including an octagonal-annular emitter, a field oxide, metal 1-PSG/BPSG-metal 2 dual waveguide, and an ultra high-sensitivity optical receiver integrated with a fingered P＋/N-well/P-sub dual photodiode detector. The optical interconnect is implemented in a Chartered 3.3-V 0.35-μm standard analog CMOS process with two schemes for the research of the substrate noise coupling effect on the optical interconnect performance： with or without a GND-guardring around the emitter. The experiment results show that the optical interconnect can work at 100 kHz, and it is feasible to implement optical interconnects in standard CMOS processes.     

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。     

一种测量RTD串联电阻的新方法

根据RTD峰值电压VP与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出VP与RS,Rex关系的推导,RS测量原理、测量结果和与其他RS测量方法的比较.     

公共建筑围护结构的节能设计

建筑外围护结构的传热损失是严寒和寒冷地区建筑能耗中的主要部分,因此,提高建筑围护结构的保温隔热性能对于实现公共建筑50%的节能目标具有重大意义。结合《大庆油田采油二厂员工食堂及公寓楼改造工程》围护结构节能设计方案,探讨了公共建筑外墙、屋面、门窗三大构件的保温隔热设计原则,以及设计中应重点注意的问题,如外保温与内保温复合墙体的比较及选用、防止围护结构表面结露以及提高窗的气密性的具体措施等内容,对类似工程设计具有一定的借鉴意义。     

孔店油田综合试油技术

孔店地区油气层具有埋藏浅、储层疏松易出砂、油稠、底水等特点，在试油排液过程中采用了APR测试器89型射孔枪联作，原油降粘，短水力喷射泵加金属绕丝筛管控制排液等工艺技术，控制了地层出砂，实现连续排液，搞清了产层的液性、产能，取全了地层参数，对该地区的储层特点有了一定的认识。     

由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃结构的有机/聚合物发光二极管(OLED)为发光器件,以光电二极管和双极晶体管构成的复合光探测器为光接收器件组成的光耦合器进行了实验研究.通过改变OLED上的偏压,获得光耦合器输出特性相应的变化.对实验结果进行了分析讨论.     

基于CMOS迁移率与阈值电压特性的温度传感器

针对射频识别(RFID)标签应用,采用SMIC.18 RF CMOS 工艺设计了一种温度传感器.利用MOS管迁移率和阈值电压与温度的关系设计了延迟时间与温度相关的延迟单元,进而产生与温度相关的脉冲信号,并通过后续电路对脉冲采样计数,将温度信息转换成数字信号供RFID标签数字模块使用.仿真测试结果表明:当温度为-20～80℃时,温度传感器精度为1℃.标签模拟电路的总功耗电流为6 μA.     

聚苯乙烯和聚烯烃泡沫塑料CFC替代技术

一、前言 有两大类泡沫塑料需要使用臭氧耗损物质(ODS)作为发泡剂。 1.使用CFC—11作为发泡剂的硬质聚氨酯泡沫塑料和低密度(30～15kg/m~3)软质聚氨酯泡沫塑料。 2.使用CFC—12作为发泡剂的挤出热塑性泡沫塑料,其品种有聚苯乙烯和聚烯烃两     

背照式AlGaN/GaN基PIN日盲型紫外探测器的研制

利用MOCVD方法在蓝宝石（0001）衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和半导体参数测试仪分别测得了器件的光谱响应和I-V特性曲线。测试结果表明,器件的响应范围为260~280 nm,峰值响应出现在270 nm处,在2.5 V偏压下的最大响应...     

AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展

由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。