2.45 GHz RFID半有源标签电源管理电路设计

针对半有源标签的特点,分析了制约半有源标签读写距离与使用寿命的因素,提出一种适用于2.45 GHz射频识别的带模式控制功能的电源管理电路设计方案,以使标签的识别距离最大化,延长标签的使用寿命.该方案中,标签可根据与读写器的距离自动切换有源/无源工作模式,供电电源也随之在内部电池和射频信号之间自动切换.在无源模式下,所有高功耗模块,如低噪声放大器、调制器和功率放大器将被关断,以最大程度地节省整体芯片功耗;在有源模式下,高功耗模块启动,标签的工作距离大大提高.仿真结果表明,在输入电压为500 mV,负载电阻为60 kΩ的情况下,电荷泵的输出可达1.9V,为其他模块正常工作提供了可靠保证.     

Design and simulation of a novel CMOS superimposed photodetector

A novel superimposed photodetector(PD)is put forward.The photodetector can obtain a couple of differential photocur-rent signals from one input optical signal.The light injection efficiency and the vertical work distance of this new photode-tector are much higher than those of the others.The superimposed photodetctor is designed based on the standard 0.18μm CMOS process.The responsivity,bandwidth and transient response of the photodetector are simulated by a commercial simulation software of ATLAS.The responsivities of two obtained photocurrent signals are 0.035 A/W and 0.034 A/W,while the bandwidths are 3.8 GHz and 5.2 GHz,respectively.A full differential optical receiver which uses the superim-posed photodetector as input is simulated.The frequency response and 4 Gbit/s eye diagram of the optical receiver are also obtained.The results show that the two output signals can be used as the differential signal.     

试油酸压一体化工艺在高含硫油气层的应用

试油酸压一体化工艺实现了一趟管柱完成射孔、求产、酸压改造和封层等多套工序。通过在大港油田高含硫油气层现场实验,该套工艺不仅能够求得液性、产量、压力等相关参数,而且在起下管柱作业过程中,井筒不与地层连通,阻断了硫化氢的来源,保证了高含硫井的施工作业安全。     

关于201项目的400kA大型预焙铝电解槽焙烧启动实践

根据对201项目的 400 kA大型预焙铝电解槽焙烧启动进行数据分析,可得出曾在焙烧启动过程中发生渗漏的铝电解槽,在二次或三次焙烧启动过程中,虽然整体的焙烧温度偏低,且理论上讲未能够达到理想的焙烧效果,但是仍可以顺利地进行焙烧启动的结论。其焙烧启动后不仅运行效果良好,各项经济技术指标丝毫未受到影响,而且还降低了其焙烧启动的成本与大修成本。     

一种测量RTD串联电阻的新方法

根据RTD峰值电压VP与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出VP与RS,Rex关系的推导,RS测量原理、测量结果和与其他RS测量方法的比较.     

一种新型深水炸弹引信解除保险机构设计

为了适应深水炸弹引信在深水中能够安全可靠的接触保险,设计了一种新型的多重引信保险机构,该机构具有投弹保险、限位保险和辅助保险的多重功能,发射保险利用投弹重力环境剪断剪切销解除投弹保险;限位保险利用水压力来实现水压机构的错位移动解除保险;辅助保险确保了引信在未正常工作的情况下的安全处理.通过试验验证了多重保险的可靠性,结果表明:该机构对于深弹引信的安全性和可靠性是可行的.     

标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)

基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.     

基于标准BiCMOS工艺的1.5Gbit/s调节型共源共栅光接收机

基于IBM 0.18μm SiGe Bi CMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电 路。接收机芯片包括调节型共源共栅 (RGC) 跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和 输出缓冲 电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了 探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电 压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时 ,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB带宽为2.1GHz 。 测试结果表明,光接收机前端电路的－3dB带宽为1.2GHz,跨阻增 益为72.2dB,在误码率(BER)为10－9的条件 下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1. 8V电源电压 下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800 μm×370μm。     

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算、光通信等领域中具有较好的应用前景     

由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元

使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。