氢,氦共注入的硅样品的退火行为

在以氢先氦后的顺序注入的硅样品中，经不同温度的退火，发现比氢、氦分别单独注入时小得多的注入剂量足以使硅样品表面产生砂眼及了。本文用ＲＢＳ／Ｃ、Ｘ射线罩是衍射、ＡＦＭ、ＸＴＥＭ等不同方法对氢、氦共注入样品进行了研究，对结果作了计算机模拟，并对其机制做了分析与研究。     

大庆外围油田精细油藏描述技术研究

依据大庆外围油田地质特点,确定了精细油藏描述的思路,选取开采中、低渗透葡萄花油层的宋芳屯油田芳6区块和开采低、特低渗透的榆树林油田东16区块等作为典型研究区块,在区域沉积背景和构造环境分析的基础上,开展了沉积微相、精细构造、裂缝与地应力、地质建模以及剩余油分布的系统研究,深化了对油藏特征的认识,形成了大庆外围油田不同类型油藏独具特色的分级控制、多学科联合的精细油藏描述配套技术。其研究成果已部分应用和推广到大庆外围油田,取得了良好的经济效益。     

工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响

系统研究了抛光液的pH值、抛光压力和相对转速等因素对蓝宝石抛光速率和表面粗糙度的影响,研究结果表明:随pH值(9-12)的升高,抛光速率增加,表面粗糙度先降低后升高;随抛光压力和相对转速的增加,抛光速率先增加后降低,表面粗糙度先降低后升高。研究分析认为:pH值因影响在蓝宝石表面形成的水化层从而影响抛光速率和粗糙度;与抛光压力和相对转速相关的Hersey系数对抛光效果影响很大,当Hersey系数为24时,蓝宝石的抛光速率和表面平整度均达到最佳。     

纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI

本文综述了纳米时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI,并结合介绍了上海微系统所和上海新傲科技有限公司相关的研究工作.     

化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响

目的探究SiO_2磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80 nm的钠型稳定型硅溶胶,氢氧化钠溶液作为pH调节剂,将硅溶胶pH调至为10。通过CP-4抛光设备进行氧化锆陶瓷抛光实验及摩擦系数采集,采用黏度测试仪测试不同固含量硅溶胶的黏度,采用扫描电子显微镜分析了SUBA系列两种抛光垫的微观结构。结果硅溶胶固含量为37%时,抛光速率最快,达到54.3 nm/min,此时摩擦系数最小,为0.1501。随着固含量的增加,摩擦系数小幅增加,并稳定在0.1540附近。硅溶胶固含量高于37%的抛光机制是流体力学作用的结果,固含量低于37%的抛光机制是流体力学和机械力共同作用的结果。扫描电镜下观察发现,SUBA800抛光垫的孔隙尺寸比SUBA600抛光垫的孔隙尺寸小,使用前者的抛光速率快于后者,抛光速率相差10 nm/min。因为孔隙多改变了硅溶胶和抛光垫的接触机制,增大了切应力和摩擦系数,机械作用力加强,从而加快了抛光速率。摩擦系数与下压力没有关系,下压力小于3.5 psi时,抛光速率符合Preston方程。结论对氧化锆陶瓷进行化学机械抛光处理,固含量在37%时,抛光速率最快。SUBA800抛光垫相比SUBA600抛光垫,更适合氧化锆陶瓷抛光。下压力小于3.5 psi时,抛光速率符合Preston方程行为,且摩擦系数和下压力没有关系。     

一种新型Fe-Mn-Al-Cr奥氏体不锈钢的耐蚀性能

研究了一系列铬含量不同而锰含量都为15%的Fe-Mn-Al-Cr钢在几种典型酸、碱、盐水溶液中的耐腐蚀性能,并与锰含量为26%的Fe-Mn-Al-Cr钢和1Cr18Ni9Ti相比较,结果表明新型的Fe-Mn-Al-Cr钢在水溶液中的耐腐蚀性能比原来的Fe-Mn-Al-Cr钢的都要好,在有些溶液中的耐蚀性能比1Cr18Ni9Ti还要好。这种新型不锈钢的价格非常低,有较高的实用价值。研究还表明,对该钢种而言,铬含量升高并不意味着耐蚀性能提高,铬含量增至某一值时钢的耐蚀性能反而降低,此时组织中出现铁素体。用XPS对Fe-Mn-Al-Cr钢在0.5mol/L H2SO4中的钝化膜进行了研究.     

硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错。同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。     

用smart-cut方法制备GOI材料及研究

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H 注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H 膨胀压力导致其全部脱落.利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H 的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析.研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直.