核壳型多孔氧化硅制备过程中表面活性剂的浓度调控及作用机理

本文通过液晶模板法制备核壳型多孔二氧化硅,分析了多孔氧化硅在纳米颗粒表面的包覆特性.探究了表面活性剂与硅源的摩尔比(CTAB/TEOS)对多孔氧化硅壳层生长的影响,从实验上证实了多孔氧化硅壳层生长的最适摩尔浓度比随纳米颗粒尺寸的变化,并从表面活性剂与硅酸盐物种间的协同作用机制出发对此进行了阐释.利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),N2吸附脱附等分析方法,观察并分析了核壳多孔二氧化硅的形貌以及孔道结构.通过傅里叶变换红外光谱分析(FTIR),分析了多孔氧化硅的结构和组分.     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质

为了提高氧化铝颗粒的CMP性能, 本工作探索了一种合适的改性方法。同时, 为了改善其化学机械性能, 通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用, 用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理, 即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明: N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面, 导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示: 改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即, 改性氧化铝颗粒在pH=10时比未改性氧化铝颗粒在pH=13.00时表现出更高的材料去除率, 这将为减少设备腐蚀提供新思路。     

离子色谱法测定黄原胶中丙酮酸含量

采用离子色谱仪,建立了一种快捷测定黄原胶中丙酮酸含量的方法。以20 mmol/L KOH溶液为淋洗液,AS19分离柱(250 mm×4 mm)分离,电导检测器检测,柱温和检测器温度为30℃,进样量为10μL,流速为1.0 mL/min,峰面积定量。丙酮酸的检出限为0.01 mg/L,在2~15 mg/L范围内具有良好的线性关系(R2=0.999 6),加标回收率均在96%以上,相对标准偏差(RSD)为1.0%~1.2%。经实验表明,此方法简单、快速,可便捷地应用于黄原胶样品中丙酮酸含量的测定。     

软抛光垫条件下非晶态Ge2Sb2Te5的化学机械抛光

Chemical mechanical planarization（CMP） of amorphous Ge₂Sb₂Te₅（a-GST） is investigated using two typical soft pads（politex REG and AT） in acidic slurry.After CMP,it is found that the removal rate（RR） of a-GST increases with an increase of runs number for both pads.However,it achieves the higher RR and better surface quality of a-GST for an AT pad.The in-situ sheet resistance（R_s） measure shows the higher R_s of a-GST polishing can be gained after CMP using both pads and the high R_s is beneficial to lower the reset current for the PCM cells. In order to find the root cause of the different RR of a-GST polishing with different pads,the surface morphology and characteristics of both new and used pads are analyzed,it shows that the AT pad has smaller porosity size and more pore counts than that of the REG pad,and thus the AT pad can transport more fresh slurry to the reaction interface between the pad and a-GST,which results in the high RR of a-GST due to enhanced chemical reaction.     

载体对柴油加氢脱硫催化剂活性的影响

分别在HY-Al_2O_3、TiO_2-Al_2O_3与ZrO_2-Al_2O_3复合载体上负载NiMo活性组分制备了加氢脱硫催化剂,考察了复合载体类型与配比、活性组分负载量对其柴油加氢脱硫活性的影响.复合载体、催化剂的表征结果表明,在Al_2O_3中引入适量的ZrO_2减弱了活性金属和载体间的相互作用,这有利于提高活性组分的分散程度.当ZrO_2-Al_2O_3中ZrO_2质量分数为10%,且活性组分MoO_3的负载量为15%时,催化剂的催化活性最高.     

基于低温键合技术制备SOI材料

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.     

基于低温键合技术制备SOI材料

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化，进行直接键合，研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中，键合强度明显加强；高于300℃，键合强度略有增加，但不明显. 结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构，顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度. 该研究结果提供了一种SOI低温技术.     

采用波长扫描外差式干涉仪进行高精度长度测量的方法

采用光学干涉仪准确地测量长度是非常容易的。然而,如果没有一个用来计算干涉条纹的运动装置,单频干涉仪的测量范围就被限制于小于半波长。为了解决这个问题,已经研究出一种频率扫描方法。它的相位分辨率不是太高,不过于涉条纹级次的整数部分可以确定下来。我们建议使用一种能够准确地测量长度的方法,那就是将高分辨率的相位测量技术和频率扫描技术相结合。这里使用一台频率扫描外差式干涉仪对这个方法进行研究。使用宽带频率扫描方法,结合外差相位测量,我们可以得到优于四分之一波长的高分辨率。这就意味着,我们测量绝对长度的精度达到纳米级,因为通过频率扫描可以确定条纹干涉级次的整数部分。测量距离在4mm时精度达到3mm。     

一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究

磨料是化学机械抛光(CMP)中重要的组成部分,是决定抛光平坦化的重要影响因素.采用两步法制备了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(PS)核壳型复合磨料,采用扫描电子显微镜( SEM)、透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX)等对复合磨料进行了表征.结果表明所制备的复合磨料具有核壳结构,且表面光滑.随后复合磨料对比硅溶...