首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   66篇
  免费   5篇
  国内免费   2篇
工业技术   73篇
  2022年   2篇
  2020年   5篇
  2019年   2篇
  2016年   3篇
  2015年   1篇
  2014年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   3篇
  2011年   6篇
  2010年   3篇
  2009年   13篇
  2008年   10篇
  2007年   4篇
  2006年   3篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  2000年   1篇
  1995年   1篇
  1991年   1篇
排序方式: 共有73条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
简述了地质统计学的理论和方法,并在此基础上应用大型矿业软件Surpac建立了曼家寨锡锌多金属矿床的矿床数学模型,模拟了锌元素的变异函数,建立了矿床的三维实体模型和品位模型,用克立格法进行了储量计算。  相似文献   
72.
大厂铜锌矿床成因初论   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
广西大厂锡矿黑水沟矿体赋矿层位中发现的中基性火山岩主要为玄武岩、安山岩类岩石,大都属于钙碱性-碱性系列。岩石地球化学特征表明该火山岩可能形成于裂谷环境。在大厂矿区,除了存在传统的燕山晚期花岗岩成矿作用外,至少还存在海西早期海底基性火山-沉积成矿作用和海底喷流热水-沉积成矿作用。  相似文献   
73.
具有缓冲层和N型埋层的高压兼容Bi-CMOS工艺的超结LDMOS   总被引:1,自引:1,他引:0  
伍伟  张波  方健  罗小蓉  李肇基 《半导体学报》2014,35(1):014009-5
A novel buffer super-junction (S J) lateral double-diffused MOSFET (LDMOS) with an N-type buried layer (NB) is proposed. An N- buffer layer is implemented under the SJ region and an N-type layer is buried in the P substrate. Firstly, the new electric field peak introduced by the p-n junction of the P substrate and the N-type buried layer modulates the surface electric field distribution. Secondly, the N-buffer layer suppresses the substrate assisted depletion effect. Both of them improve the breakdown voltage (BV). Finally, because of the shallow depth of the SJ region, the NB buffer SJ-LDMOS is compatible with Bi-CMOS technology. Simulation results indicate that the average value of the surface lateral electric field strength of the NB buffer SJ-LDMOS reaches 23 V/μm at 15/μm drift length which results in a BV of 350 V and a specific on-resistance of 21 mΩ·cm2.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号