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991.
针对导致多层结构失效的界面应力问题,利用 ABAQUS 大型有限元程序,对比分析了线弹性、蠕变、蠕变-损伤条件下 Silicon/Epoxy 双层材料受到温度载荷作用时界面切应力和界面剥离应力的分布规律.分析结果表明:蠕变-损伤分析所得到界面切应力和界面剥离应力的结果要比线弹性有限元及蠕变有限元分析的结果小,其中线弹性分析得到的结果是三者中最大的;最大损伤出现在双层结构的界面边缘处,且损伤随着两种材料之间弹性模量差别的增大而增大;损伤沿界面的分布规律与界面剥离应力沿界面的分布规律类似. 相似文献
992.
针对流固耦合问题, 发展了一种基于任意拉格朗日-欧拉(ALE)描述有限元法的弱耦合分区算法. 运用半隐式特征线分裂算法求解Navier-Stokes方程, 在压力Poisson 方程中引入质量源项以满足几何守恒律; 运用子块移动技术更新动态网格, 并配以光滑处理防止网格质量下降; 采用Newmark-β 法求解结构运动方程. 为保持流体-结构界面处速度和动量守恒, 利用修正结合界面边界条件方法求解界面处速度通量和动量通量. 运用本方法分别模拟了不同雷诺数下单圆柱横向和两向流致振动、串列双圆柱两向流致振动. 计算表明, 本文方法计算效率高, 计算结果与已有实验和数值计算数据吻合. 相似文献
993.
Generation and classification of the translational shape-invariant potentials based on the analytical transfer matrix method 下载免费PDF全文
For the conventional translational shape-invariant potentials (TSIPs), it has demonstrated that the phase contribution devoted by the scattered subwaves in the analytical transfer matrix quantization condition is integrable and independent of n. Based on this fact we propose a novel strategy to generate the whole set of conventional TSIPs and classify them into three types. The generating functions are given explicitly and the Morse potential is taken as an example to illustrate this strategy. 相似文献
994.
Yi-Sheng Lai Jyh-Liang Wang Sz-Chian Liou Chia-Hsun Tu 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2009,94(2):357-363
In this work, we demonstrate a fast approach to grow SiO2 nanowires by rapid thermal annealing (RTA). The material characteristics of SiO2 nanowires are investigated by field emission scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy
(HRTEM), high-angle annular dark-field (HAADF) imaging, electron energy loss spectroscopy (EELS), and energy-filtered TEM
(EFTEM). The HAADF images show that the wire tip is predominantly composed of Pt with brighter contrast, while the elemental
mappings in EFTEM and EELS spectra reveal that the wire consists of Si and O elements. The SiO2 nanowires are amorphous with featureless contrast in HRTEM images after RTA at 900°C. Furthermore, the nanowire length and
diameter are found to be dependent on the initial Pt film thickness. It is suggested that a high SiO2 growth rate of >1 μm/min can be achieved by RTA, showing a promising way to enable large-area fabrication of nanowires. 相似文献
995.
利用耦合非线性薛定谔方程(CNLSE)为非线性偏振旋转(NPE)锁模自相似光纤激光器建立了一种新的数值模型.模型中,用CNLSE描述脉冲在单模光纤中的传播,在增益光纤中同时考虑了增益带宽和增益饱和作用,用传输矩阵描述构成NPE锁模的光学元件.优化了腔内净色散和光纤长度等参数,模拟了脉冲在激光腔内的演化特性,得到了典型的自相似脉冲运行区域及特点.在最佳自相似脉冲运行区域内,得到了能量约为7 nJ、脉宽约11 ps、线性啁啾的抛物脉冲.比较了不同腔内净色散条件下输出脉冲的特点,给出了三阶色散对输出脉冲的影响.
关键词:
自相似脉冲
非线性偏振旋转锁模
耦合非线性薛定谔方程
数值模拟 相似文献
996.
Zhi‐Min Jin Hai Feng Bing Tu Mei‐Chao Li Mao‐Lin Hu 《Acta Crystallographica. Section C, Structural Chemistry》2005,61(10):o593-o595
The title complex, C8H6O4·2C6H7N, consists of two crystallographically independent 1:2 clusters of benzene‐1,3‐dicarboxylic acid and 4‐methylpyridine. Each cluster, the components of which are linked by O—H⋯N hydrogen bonds, is almost planar by alignment of C—H⋯O hydrogen bonds. Herring‐bone ribbons of clusters are formed by other C—H⋯O hydrogen bonds, and these ribbons are further packed to form a laminar structure by π–π interactions. 相似文献
997.
998.
999.
利用原子的塞曼光谱对半导体激光器进行稳频 总被引:4,自引:1,他引:3
中性原子的超精细能级在磁场中产生塞曼分裂 ,另外 ,左旋和右旋圆偏振光激发下原子的跃迁选择定则不同 ,因此 ,原子在超精细塞曼能级间的吸收谱峰相对无磁场条件下的吸收谱峰有一定的移动。利用这一点 ,验证了一种简单、灵活的方法对半导体激光器进行稳频 ,使激光器的线宽稳到小于 1MHz。通过对实验结果的分析 ,发现由左旋和右旋圆偏振光激发引起的原子吸收谱峰移动之和与饱和吸收峰半高宽相等时 ,稳频效果最好 相似文献
1000.