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211.
本文基于变系数的非线性薛定谔方程,数值地讨论高峰值脉冲在色散渐减光纤中的激发和传输。首先,基于变系数非线性薛定谔方程的Peregrine孤子解,解析和数值地讨论精确的Peregrine孤子在色散渐减光纤中的传输特性。其次,通过输入不同的平面波背景上的局域脉冲,研究高峰值脉冲在非线性色散渐减光纤中的激发和传输。结果显示Peregrine孤子在色散渐减光纤中传输时,会产生一个空间和时间都局域化的高峰值单脉冲,并且当啁啾为负时,脉冲的幅值增加,脉宽被压缩。若光纤系统存在增益,脉冲的幅值也会增加。由于非线性光纤中的调制不稳定性过程,不同平面波背景上的小局部扰动都可激发出高峰值脉冲,除了峰值和宽度略有不同外,激发脉冲的形状几乎相同。 相似文献
212.
用电沉积和滴涂的方法依次将L-半胱氨酸、纳米金、DNA、壳聚糖修饰在金电极表面,制备了稳定性、响应性良好的修饰电极(L-Cys/Au colloid/DNA/CS/Au/CME)。考察了影响实验结果的关键因素,确定了最佳实验条件,进一步采用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了布洛芬在L-Cys/Au colloid/DNA/CS/Au/CME上的电化学行为。在最佳实验条件下,当布洛芬浓度在1.0×10~(-7)~1.0×10~(-4) mol/L范围内时相应的氧化还原峰电流与浓度呈现良好的线性关系,检出限(S/N=3)达2.3×10~(-8) mol/L。结果表明,该修饰电极对布洛芬有良好的响应性能,据此建立了一种测定布洛芬的新方法。 相似文献
213.
以纳米金(AuNPs)/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为修饰剂,制备了一种新型修饰电极AuNPs/PVP/Au/CME,运用循环伏安法,详细探究了长春地辛(Vindesine,VDS)的电化学行为,研究了最佳测定条件。结果表明,修饰电极在pH=7.19的Na_2B_4O_7-KH_2PO_4底液中进行循环伏安扫描时,在0.39V处产生一个灵敏的还原峰P_1和一个不太灵敏的氧化峰P_2。用差分脉冲伏安法研究了修饰电极对VDS的电化学响应,结果表明响应电流与VDS浓度在1.0×10~(-8)~1.0×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数R~2=0.9972,检出限为3.2×10~(-9) mol/L。AuNPs/PVP/Au/CME修饰电极对长春地辛的电化学检测具有高的灵敏度和好的选择性。 相似文献
214.
HfO2基铁电电容器,特别是TiN/HfxZr1-xO2/TiN金属-绝缘体-金属电容器,由于其良好的稳定性、高性能和互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性,在新一代非易失性存储器中有着广阔的应用前景。由于TiN/HfxZr1-xO2/TiN电容器的电性能与HfxZr1-xO2铁电薄膜与TiN电极层界面质量相关,因此控制TiN/HfxZr1-xO2/TiN异质结构的制备和表征至关重要。本文报道了一种三明治结构:HfxZr1-xO2铁电薄膜夹在两个TiN电极之间的新的制备方法,通过超高真空系统互连的原子层沉积(ALD)和磁控溅射设备实现。原位生长和表征结果表明,ZrO2掺杂浓度和快速热退火温度可以调节TiN/HfxZr1-xO2/TiN异质结的铁电性能,并能很好地被互连系统监控。在该体系中,通过在HfO2中掺杂50% (molar fraction, x) ZrO2并且在600 ℃下快速热退火(RTA),获得了21.5 μC·cm-2的高剩余极化率和1.35 V的低矫顽电压。 相似文献
215.
新工科背景下,基于工程教育专业认证标准的要求,针对我校化工与制药类专业的无机化学实验信息化教学改革现状,构建了标准化无机化学实验教学大纲。细化了课程目标,关联了毕业要求与具体指标点,增加了课程目标达成度评价,实现课程评价的量化。标准教学大纲的构建有助于教师减少实验教学中的差异性,并形成“目标导向”的教学理念,提高课程建设的质量。构建我校化工与制药类专业第一门实践课程的标准化大纲,为化工与制药类专业实践课程的标准化提供了参考。 相似文献
216.
选取30例脑出血血肿增大患者为血肿增大组,另选30例脑出血无血肿增大患者为无血肿增大组,均行脑CT检查。采用Logistic回归方程分析血肿增大的相关影响因素,用受试者工作特征曲线(ROC)分析脑出血征象、血肿体积、高低密度差预测血肿增大及软化灶的效能。结果显示,初诊血肿体积、高低密度差与血肿增大显著相关(P<0.05);混杂征、分叶征、黑洞征、血肿形态不规则、初诊血肿体积、高低密度差联合预测血肿增大、出现软化灶的AUC值均高于任一单一参数预测。本研究结果可证实,混杂征、分叶征、黑洞征、血肿形态不规则、初诊血肿体积、高低密度差等CT征象和定量参数与血肿增大及软化灶形成关系密切,联合检测具有较高预测价值,便于指导临床完善治疗方案。 相似文献
217.
218.
纳米多孔SiO2薄膜的制备与红外光谱研究 总被引:10,自引:2,他引:8
以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜。XRD表明薄膜为无定形态;SEM显示薄膜具有多孔网络结构,其SiO2粒子直径为10~20nm。利用FTIR研究了薄膜的结构,纳米多孔SiO2薄膜含有Si—O—Si与Si—OR结构,呈疏水性;该SiO2薄膜热处理后因含有Si—OH基团而呈吸水性;用三甲基氯硅烷对热处理SiO2薄膜进行修饰可使其呈疏水性,修饰后的薄膜在N2中温度不高于450℃可保持其疏水性与多孔结构。 相似文献
219.
合成了两种低聚噻吩衍生物单体:2,3':4',2'-三噻吩(I3T)和5,5'-二醛基-2,3':4',2'-三噻吩(OHC-I3T-CHO).通过电化学方法对单体I3T和OHC-I3T-CHO进行了聚合,制备了相应的聚噻吩衍生物.研究了聚噻吩衍生物薄膜的电致变色性能.当外加一定电压时,基于单体I3T的聚噻吩衍生物薄膜可以在淡黄色和淡蓝色之间发生可逆的颜色变化,基于单体OHC-I3T-CHO的聚噻吩衍生物薄膜能在红色和墨绿色间发生可逆的颜色变化. 相似文献
220.
采用普通铸渗工艺制备了具有蜂窝型陶瓷芯板的WC颗粒增强高铬铸铁基复合材料,陶瓷芯板厚度达到15~20 mm.通过金相显微镜、XRD等分析手段研究了复合材料界面结构及物相组成,由于WC颗粒边缘与高温铁水发生溶解扩散反应形成过渡层,使得基体与增强颗粒之间形成了良好的冶金结合.利用三体磨料磨损试验机测试了带有蜂窝孔复合材料的磨损性能,结果表明:磨损过程中,复合材料体积磨损量随着磨损过程的进行逐渐减少;复合材料的三体磨损性能与热处理态高铬铸铁标样相比有较为明显的提高,热处理态与铸态复合材料的耐磨性相差不大. 相似文献