HPLC法同时测定果汁饮料中曙红、荧光桃红、荧光素钠

建立了同时检测果汁饮料中曙红、荧光桃红、荧光素钠的高效液相色谱分析方法.果汁饮料样品经甲醇超声提取后,补足重量,静置15 min,过0.45 μm的微孔滤膜.采用Agilent Zorbax Plus SB-Aq柱(250mm×4.6mm,5μm)分离,以乙腈-NH4 H2 PO4溶液(0.05 mol/L,用H3PO...     

单层MoS2薄膜的NaCl双辅助生长方法

以单层二硫化钼(MoS₂)为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.合成高质量单层MoS₂薄膜是科学研究及工业应用的基础.最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄膜的方法,大大提高了单层MoS₂薄膜的生长速度及晶体质量.本文基于此方法,提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法,成功制备了高质量的单层MoS₂薄膜.光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高.本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路.     

银-氯化钾-吡啶甲酸体系的表面增强Raman光谱

测试了吡喃甲酸的固体, 溶液和配合物的普通Raman光谱及其SERS光谱, 用 冲极谱测量吡啶甲酸在汞电极上的极谱氢催化波, 取得了半波电位数据, 估计了吡啶甲酸各个异构体的吸附能力, 结果指出吡啶甲酸的增强因子和吸附能力间有平行关系.     

氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延

以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系.由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备.由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升.本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展.最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望.