Mark 421的短时标光变及其中心核的性质

本文使用照相测光和CCD测光,两次观测到了Mark421的时标为2.5~h的完整光变曲线,置信度分别大于4σ和11σ。它否定了以前关于光学选择BL Lac型天体不具有短时标光交的结论。根据广义相对论,得到了短时标光交活动星系的质量和半径的上、下限公式。利用这些公式及观测资料对三个BL Lac型天体进行了计算。结果表明,它们的质量和半径的上下限除一个差三倍外,其它二个都相差很小(其中Mark421的上下限还相等)。短时标光变在类星体中也存在。因此,这组公式可能有较广泛的应用。此外,从计算所得到的半径和质量的关系来看,Mark 421和OJ 287的中心核可能是大质量黑洞的最好候选者。     

横向非均匀性对地壳应力场的影响

本文将地壳模拟成一个受地幔弹性恢复力作用的薄壳,用有限单元法分析了地壳横向温度及厚度变化引起地壳应力场的变化,并采用薄板模型对应力的特点和数值进行了估计和讨论.在温度和厚度变化的地区会产生较大的附加应力,可达几十巴至百巴.与观测对比,发现这些地区与地壳运动和地震活动区是密切相关的.     

Frequency Stability of Atomic Clocks Based on Coherent Population Trapping Resonance in ^85Rb

An atomic clock system based on coherent population trapping （CPT） resonance in 85Rb is reported, while most past works about the CPT clock are in ST Rb. A new modulation method （full-hyperfine-frequency-splitting modulation） is presented to reduce the effect of light shift to improve the frequency stability of the CPT clock in SSRb. The experimental results show that the short-term frequency stability of the CPT clock in SSRb is in the order of 10^-10/s and the long-term frequency stability can achieve 1.5 × 10^-11/80000s, which performs as well as 87 Rb in CPT resonance. This very good frequency stability performance associated with the low-cost and low-power properties of SSRb indicates that an atomic clock based on CPT in SSRb should be a promising candidate for making the chip scale atomic clock.     

能力验证计划中防止数据串通的措施

为保证能力验证结果评价有效、可信、公平,对能力验证计划防止数据串通的措施进行了探讨。从样品设计、样品量发放、检测周期3个方面介绍了防止数据串通的措施,以CNAS PT0017–T029"离子色谱法测定水中Cl~–,SO_4^(2–)及NO_3~–三种阴离子的含量"能力验证计划为例,讨论能力验证计划防止数据串通措施的具体实施方法。结果显示,设计分割水平样品、减少样品发放量、缩短能力验证结果上报周期等几种措施可以有效地防止能力验证数据的串通,为能力验证活动的健康发展提供了参考。     

无机化学实验课程的优化改革尝试

就大一无机化学实验过程中近年来出现的问题提出了有针对性的解决方法。主要从优化实验内容、教学模式、实验减污再用等方面进行了探索。     

水质浊度标准物质的研制

介绍水质浊度国家二级标准物质的研制。参照国际标准ISO 7027中规定的方法,以硫酸肼和六次甲基四胺为原料,采用重量-容量法,根据样品的纯度值、称取的质量及溶液定容体积计算配制值作为标准值,采用高精度浊度仪进行量值核对。样品分装成90瓶后,使用高精度浊度仪进行均匀性和稳定性检验。从样品中随机抽取16瓶进行测定,对测定结果进行F检验,证明标准溶液的均匀性良好。对标准物质溶液进行稳定性检验,证明在1年有效期内稳定性良好。研制的水质浊度标准物质的浊度值为400 NTU,相对扩展不确定度为3%(k=2)。该标准物质符合国家二级标准物质的要求,能够用于水质监测质量控制。     

刚性链嵌段共聚物的研究(I)——聚醚醚酮-聚醚砜嵌段共聚物结构与性能

本文以聚醚醚酮(PEEK)和聚醚砜(PES)齐聚物为原料,通过溶液缩聚法制备PEEK-PES嵌段共聚物,并用DSC、TGA、WAXD和动态粘弹谱等手段对其相容性、结晶行为、动态力学性能和热性能进行了研究.结果表明,嵌段共聚物在PEEK链段M_n=1×10⁴,PES链段M_n)=3500～250(PES含量为25.0%～2.9%)组成范围内不产生微相分离,保持了结晶性能,其玻璃化转变温度比纯PEEK提高将近20℃,并具有较好的高温力学性能.     

具有方石英拓扑结构的微孔硫代锗锌酸盐的溶剂热合成与表征

微孔化合物是一类重要的材料,广泛地应用于催化、吸附及分离等领域。目前已知的微孔材料绝大多数为无机氧化物或氟氧化物,20世纪80年代末,Bedard等首先报道了微孔硫属化物的合成．这类化合物除具有微孔材料的性质外,还具有半导体性质,在电催化、光催化、太阳能电池及新型光电子材料如量子点(dots)及反量子点(antidots)材料方面有着广泛的应用前景,     

逆向空间偏移拉曼光谱技术应用于聚合物材料结构剖析

空间偏移拉曼光谱技术^[1](spatially offset Raman spectroscopy,SORS)的原理是基于激光照射位置与拉曼信号的收集位置偏移一定的距离。逆向空间偏移拉曼光谱技术^[2](inverse spatially offset Raman spectroscopy,Inverse-SORS)是SORS技术的一种衍生变体。如Scheme 1所示是一套自搭建的Inverse-SORS系统,激光通过锥透镜形成环形光束照射到样品表面上,并在该环形光束的中心位置收集产生的拉曼信号,可通过移动锥透镜调节样品上环形光束的大小,从而改变空间偏移量(Δs)的大小。在本实验中,测试对象有样品Ⅰ:上层是厚度为0.50 mm的PMMA,下层是厚度为0.30 mm的PTFE,以及样品Ⅱ:上层是厚度为0.30 mm的PTFE,下层是厚度为1.50 mm的PMMA;采用波长为532 nm的激光为激发光,其功率为50 mW,信号收集时间60 s。对于样品Ⅰ的实验结果,从图1(a)中可看出,在偏移距离Δs为1.37 mm时可获得几乎纯净的PTFE的拉曼...     

Improvement on short-circuit ability of SiC super-junction MOSFET with partially widened pillar structure

A novel 1200 V SiC super-junction (SJ) MOSFET with a partially widened pillar structure is proposed and investigated by using the two-dimensional numerical simulation tool. Based on the SiC SJ MOSFET structure, a partially widened P-region is added at the SJ pillar region to improve the short-circuit (SC) ability. After investigating the position and doping concentration of the widened P-region, an optimal structure is determined. From the simulation results, the SC withstand times (SCWTs) of the conventional trench MOSFET (CT-MOSFET), the SJ MOSFET, and the proposed structure at 800 V DC bus voltage are 15 μs, 17 μs, and 24 μs, respectively. The SCWTs of the proposed structure are increased by 60% and 41.2% in comparison with that of the other two structures. The main reason for the proposed structure with an enhanced SC capability is related to the effective suppression of saturation current at the high DC bias conditions by using a modulated P-pillar region. Meanwhile, a good Baliga's FOM ($BV^{2}/R_{\rm on}$) also can be achieved in the proposed structure due to the advantage of the SJ structure. In addition, the fabrication technology of the proposed structure is compatible with the standard epitaxy growth method used in the SJ MOSFET. As a result, the SJ structure with this feasible optimization skill presents an effect on improving the SC reliability of the SiC SJ MOSFET without the degeneration of the Baliga's FOM.