首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   93篇
  免费   29篇
  国内免费   36篇
数理化   158篇
  2023年   6篇
  2022年   2篇
  2021年   3篇
  2020年   2篇
  2019年   9篇
  2018年   5篇
  2017年   7篇
  2016年   7篇
  2015年   8篇
  2014年   8篇
  2013年   12篇
  2012年   8篇
  2011年   4篇
  2010年   9篇
  2009年   10篇
  2008年   1篇
  2007年   8篇
  2006年   4篇
  2005年   5篇
  2004年   8篇
  2003年   4篇
  2002年   4篇
  2001年   1篇
  2000年   4篇
  1999年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1994年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   1篇
  1990年   2篇
  1988年   2篇
  1987年   2篇
  1986年   2篇
  1985年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有158条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
为测评带有NGR基序的小分子多肽的99mTc配合物作为新型肿瘤显像剂的可能性,合成了带双功能螯合剂MAG3的环肽并进行了动物体内分布实验.直链短肽GGCNGRC环化为99mTc-MAG3-GGCNGRC,再与苯甲酰基保护的MAG3的N-羟基琥珀酰亚胺活泼酯偶联,生成Bz-MAG3-GGCNGRC.后者通过氧化-配体交换反应生成9mTc-MAG3-GGCNGRC,其放射化学纯度>90%,在血清和生理盐水中具有较好的稳定性.在正常小鼠和荷瘤裸鼠体内的生物分布表明,此类型小肽通过泌尿系统和肝胆系统代谢.荷直肠癌CL-187的裸鼠模型体内分布显示,注射后3h后,99mTc-MAG3-GGCNGRC,在肿瘤中有一定的特异性摄取,可能是由于NGR基序的亲新生血管所致.带有NGR基序的小分子多肽是一类很有发展潜力的新型肿瘤显像剂.  相似文献   
72.
研究了无机离子交换剂硅酸锑(SS)、焦磷钨酸锡(SWPP)等的制备以及它们对锶、钇的选择性;研究了硅酸锑(SS)的热稳定性和辐照稳定性.结果表明不同的无机离子交换剂对锶、钇的选择性差别很大,硅酸锑(SS)制备工艺简单,对锶有较强的选择性且介质酸度对其选择性影响较大,具有良好的热稳定性和辐照稳定性.在柱式操作中,对锶和钇的分离系数最大可达5.5 ×104.  相似文献   
73.
羰基硫是丙烯中极其有害的杂质之一,它使丙烯聚合反应的链终止;当总硫含量(包括羰基硫)在7×10-6以上时,聚合反应明显受影响,催化剂活性下降,粉料中出现塑化块[1]。独山子石化公司乙烯厂70kt/a聚丙烯装置采用Himont公司的Spheripol环管反应器液相本体聚合工艺,该工艺要求精制后丙烯中羰基硫(COS)含量不大于0.02×10-6mol·L-1。可见,准确、及时地测定丙烯中微量基羰基硫非常重要。本文用化学滴定法测定丙烯中微量羰基硫含量[2],经过在现场生产实践中的应用,效果良好。1 试验部分1.1 仪器与试剂乙二胺:使用前需蒸馏EDTA溶液:0.1mol…  相似文献   
74.
利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷(SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度;同时采用时相关密度泛函理论(TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3.6eV处存在一个光学吸收峰。  相似文献   
75.
Type-II GaAsSb/InP DHBTs with selectively-etched InGaAsP ledge structures are fabricated and characterized for the first time. The novel InGaAsP/GaAsSb/InP DHBTs with a 20nm lattice-matched GaAsSb base and a 75 nm InP collector have a dc current gain improvement by a factor of 2 and a cutoff frequency fT of 190 GHz. The InGaAsP ledge design provides a simple but effective approach to suppress the extrinsic base surface recombination and enable GaAsSb/InP DHBTs to further increase the operating frequencies and integration levels for millimeter wave applications.  相似文献   
76.
陈红平  刘新  王川丕  尹鹏 《分析化学》2012,(7):1059-1064
建立了分散固相萃取-超高压液相色谱-串联质谱分析茶叶中两种植物激素赤霉酸(GA3)与α-萘乙酸(NAA)含量的方法。样品经甲醇均质提取,采用弗罗里硅土、石墨化炭黑(GCB)、丙基乙二胺(PSA)和C18混合吸附剂分散萃取净化。采用HSS C18色谱柱(100mm×2.0mm,1.8μm),电喷雾电离(-),多反应监测模式扫描(MRM),UPLC-ESI(-)-MS/MS检测,外标法定量分析。GA3和NAA分别在0.05~5.0mg/kg与0.10~5.0mg/kg范围内线性关系良好,相关系数r≥0.9990,定量限分别为0.05与0.10mg/kg。GA3和NAA在0.1,0.5和1.0mg/kg水平上的添加回收率分别在85.0%~86.8%和82.9%~84.4%之间,精密度(RSD)≤4.5%。本方法操作简单、准确,适用于测定茶叶中GA3和NAA残留量。  相似文献   
77.
By using temperature-dependent current-voltage, variable-frequency capacitance-voltage, and Hall measurements, the effects of the thermal oxidation on the electrical properties of Ni/Au Schottky contacts on lattice-matched Ino.18Alo.82N/GaN heterostructures are investigated. Decrease of the reverse leakage current down to six orders of magni- tude is observed after the thermal oxidation of the Ino.18Alo.82N/GaN heterostructures at 700 ℃. It is confirmed that the reverse leakage current is dominated by the Frenkel-Poole emission, and the main origin of the leakage current is the emis- sion of electrons from a trap state near the metal/semiconductor interface into a continuum of electronic states associated with the conductive dislocations in the InxAll-xN barrier. It is believed that the thermal oxidation results in the formation of a thin oxide layer on the InxAll-xN surface, which increases the electron emission barrier height.  相似文献   
78.
Based on the assumption of two-quark structure of the scalar meson K*0(1430),we calculate the CP-averaged branching ratios for B→K0*(1430)η(') decays in the framework of the perturbative QCD(pQCD) approach here.We perform the evaluations in two scenarios for the scalar meson spectrum.We find that:(a) the pQCD predictions for Br(B→K*0(1430)η(')) which are about 10-5-10-6,basically agree with the data within large theoretical uncertainty;(b) the agreement between the pQCD predictions and the data in Scenario ...  相似文献   
79.
周定邦  刘新典  李志青 《物理学报》2015,64(19):197302-197302
利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜, 并对其晶体结构和2–350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究. 薄膜呈多晶结构, 并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大. 电输运测量结果表明, TaN1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质; 随着温度的升高, 薄膜在10–30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质; 在70 K以上, 热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为. 我们的结果表明: TaN1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数.  相似文献   
80.
We employ the semirigid vibrating rotor target (SVRT) model to study the influence of rotational and vibrational excitation of the reagent on reactivity for the reaction H NH3. The excitation of the pseudo H-NH2 stretching vibration of the SVRT model gives significant enhancement of reaction probability. Detailed study of the influence of initial rotational states on reaction probability shows strong steric effect. The steric effect of polyatomic reactions, treated by the SVRT model, is more complex and richer than theoretical calculations involving linear molecular models.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号