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11.
Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related. 相似文献
12.
13.
磁共振氘(2H)成像是近年来涌现出的一种能在活体水平下实现特定代谢通路可视化的分子代谢成像方法,在癌症检测等重大疾病方面具有极好的临床应用前景.本文分析了三种不同氘标记葡萄糖——[6,6’-2H2]-葡萄糖、[2,3,4,6,6’-2H5]-葡萄糖和[1,2,3,4,5,6,6’-2H7]-葡萄糖在脑胶质瘤细胞中的代谢特征差异.将大鼠脑胶质瘤C6细胞与三种氘标记的葡萄糖一起孵育,收集不同时刻细胞培养基样品,采用核磁共振波谱仪对样品进行核磁共振氘谱采集,获取不同时间三种氘标记葡萄糖的消耗量以及下游代谢产物水和乳酸的产量,从而得出三种氘标记葡萄糖探针在肿瘤细胞中的消耗速度以及代谢物的生成速度等动态代谢特征.结果显示在细胞实验中三种氘标记葡萄糖均能够显示出肿瘤细胞的代谢特征,且葡萄糖的消耗速度并无显著性差异,氘标记水和氘标记乳酸的产量也符合理论估算.因此本文认为低成本的氘标记葡萄糖探针[2,3,4,6,6’-2H 相似文献
14.
超高效液相色谱-串联质谱法测定不同茶叶中草甘膦、氨甲基膦酸及草铵膦的残留 总被引:6,自引:0,他引:6
建立了超高效液相色谱-串联质谱同时快速测定不同茶叶中草甘膦、氨甲基膦酸及草铵膦的方法。样品用0.05 mol/L NaOH提取,并以HCl调节pH值,Oasis HLB小柱净化除杂,氯甲酸-9-芴基甲酯(FMOCCl)柱前衍生反应后,超高效液相色谱-串联质谱法测定。本方法在5~1000μg/L浓度范围内,不同茶叶基质中草甘膦、氨甲基膦酸、草铵膦线性关系良好(R2>0.99)。在0.1,0.4和4 mg/kg添加水平下,不同茶叶(绿茶、红茶、乌龙茶、普洱茶)中3种化合物回收率均介于72.1%~109.9%之间,相对标准偏差RSD在0.5%~9.8%之间(n=6),方法定量限(LOQ)在0.03~0.08 mg/kg之间(S/N=10)。本方法稳定,简便,灵敏,能够满足检测需求。 相似文献
15.
建立了花生中36种农药及其代谢物残留的超高效液相色谱-串联质谱(UHPLC-MS/MS)快速检测技术。采用乙腈提取,增强型脂质去除净化剂(EMR-Lipid)净化,正离子多反应监测(MRM)模式测定。结果表明,所有农药的线性相关系数均大于0.994,在0.005,0.01,0.10 mg/kg 3个加标水平下,36种农药的平均回收率为70.4%~119%,相对标准偏差(RSDs)为1.3%~19.4%,方法的定量下限为0.002 5~0.05 mg/kg。该方法简便、快速,灵敏度高、净化效果好,适用于花生中农药多残留的快速检测分析。 相似文献
16.
17.
The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
This paper deduces the expression of the Schottky contact capacitance of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which will help to understand the electron depleting process. Some material parameters related with capacitance-voltage profiling are given in the expression. Detailed analysis of the forward-biased capacitance has been carried on. The gate capacitance of undoped AlGaN/AlN/GaN HEMT will fall under forward bias. If a rising profile is obviously observed, the donor-like impurity or trap is possibly introduced in the barrier. 相似文献
18.
Based on the assumption of two-quark structure of the scalar meson K0^*(1430), we calculate the CP-averaged branching ratios for B→K0^*(1430)η(') decays in the framework of the perturbative QCD (pQCD) approach here. We perform the evaluations in two scenarios for the scalar meson spectrum. We find that: (a) the pQCD predictions for Br(B→K0^*(1430)η(')) which are about 10^-5 10^-6, basically agree with the data within large theoretical uncertainty; (b) the agreement between the pQCD predictions and the data in Scenario Ⅰ is better than that in Scenario Ⅱ, which can be tested by the forthcoming LHC experiments; (c) the annihilation contributions play an important role for these considered decays. 相似文献
19.
In this paper,we calculated the B →(J/ψ,ηc) K decays in the perturbative QCD(pQCD) factorization approach with the inclusion of the partial next-to-leading order(NLO) contributions. With the inclusion of the significant enhancement from the NLO vertex corrections,the NLO pQCD predictions for the branching ratios agree with the data within 2σ errors:Br(B0 → J/ψK0) = 5.2-+32..58×10-4,Br(B+ → J/ψK+) = 5.6-+32..79×10-4,Br(B0 →ηcK0) = 5.5-+22..30 × 10-4,Br(B+ →ηcK+) = 5.9-+22..51 × 10-4. 相似文献
20.
正1引言设C~(m×n)表示m×n复矩阵的集合,rank(A)表示矩阵A的秩,对于A∈C~(m×n),使得rank(A~k)=rank(A~(k+1))成立的最小正整数k称为A的指标,记作ind(A).设ind(A)=k,满足A~(k+1)X=A~k,XAX=X,AX=XA的矩阵X称为矩阵A的Drazin逆,记为A~D.若ind(A)=1,则A~D称为A的群逆,记作A~#.记A~π=I-AA~D.矩阵的Drazin逆在奇异微分方程,迭代法,控制论中都有广泛的应用~([1,2]). 相似文献