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52.
The boundary value problems of a class of elliptic equation with a curveof turning point are considered. Using the method of multiple scales and thecomparison theorem, the asymptotic behavior of solution for the boundary valueproblem is studied. 相似文献
53.
N2第一正带的塞曼调制磁旋转光谱分析 总被引:5,自引:0,他引:5
在17079 ̄17407cm^-1范围内,利用了塞曼调制磁旋转光谱技术测量了N2分子第一正带B^3Пg ̄A^3Σu^+的(10,6)、(11,7)、(12,8)带的近900条谱线,其中包括了用以往各种光谱技术很难观测到的P13、Q13、R13和P31、Q31、R31支线,给出了量子态的标识,并且拟合出相应的转动分子常数。 相似文献
54.
本文在Ⅱ型剖分下,研究一类二元二次分片多项式插值样条函数,采用局部坐标系和本文定理1的拼接技巧,揭示了二元二次样条与一元二次样条之间的紧密联系,只要在垂直网线和水平网线上先构造出一元二次样条并求出它们在节点上的一些数据,就可直接写出二元二次样条的分块解析表示式,利用这种技巧,可以进一步研究各种类型的插值样条,还可用来研究双周期或单周期的插值样条。 本文证明了,这类样条函数具有与一元二次样条相同的逼近阶,具体来讲,在不均匀剖分且f(x,y)∈C~3[α,b;c,d]时,它的逼近阶是2,在均匀剖分且f(x,y)∈C~4[α,b;c,d]时,其逼近阶是3,用本文的方法去研究其他各类插值样条,发现也有这种逼近性质。 相似文献
55.
怀柔EAS阵列的Monte Carlo研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用GENAS程序包为怀柔阵列产生了36万Monte Carlo模拟EAS事例,用它们研究了怀柔阵列的性能,确定了最佳的事例判造条件,对实验数据进行了正确性检验,得到了怀柔EAS Size(即簇射在观测面的总荷电粒子数)与初级宇宙线能量之间的转换关系.这项研究表明,怀柔阵列的EAS心位和方向测定精度分别好于3m和2.5°;EASSize测定误差典型值约8%;近垂直簇射的Size(N)与初能(E)的关系为E≈1010.64N0.84. 相似文献
56.
57.
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59.
Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction
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This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of (001)-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of (100) reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa. 相似文献
60.
极紫外光刻系统物镜光学元件的支撑与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了极紫外光刻系统物镜光学元件的支撑原理和支撑要求,分析了符合运动学支撑要求的物镜支撑结构和面形检测用支撑结构;针对支撑结构性能和支撑方案中关键问题进行了深入研究,并提出了相应的解决方案。最后建立了支撑结构的有限元模型,并在此基础上进行了重力场中的镜体变形分析和温度场作用下系统的热变形分析。分析结果表明,检测用支撑与实际用支撑两种结构在重力环境下支撑出的元件面形基本相同,面形相差0.0026nm(RMS);温控范围为0.05℃时,由机械结构热变形引起的镜体面形变化在0.001nm(RMS)量级。研究结果表明,运动学物镜元件支撑结构能够满足极紫外光刻系统对于物镜机械支撑结构的要求。 相似文献