High－Power Blue Light Generation by External Frequency Doubling of an Optical Parametric Oscillator ＊

We report on an all-solid-state high-power quasi-continuous blue light source by the frequency doubling of asignal wave from an optical parametric oscillator (OPO). A 50-mm-long LiB305 (LBO) crystal is used for theOPO, which is pumped by a diode-pumped Nd:YAG green laser (1OkHz, 50ns). Tunable blue emission in a newnonlinear crystal BiB306 (BiBO) is obtained with a wavelength range from 450 to 495 nm. The average power ofthe signal output is as high as 9.3 W from 924 to 970nm. The maximum output of the blue laser with the secondharmonic walk-off compensation is 1.3W average power at 470nm for 6.2W of OPO signal light at 940nm.     

微通道板固定图案噪声及测试研究

叙述微通道板的噪声,着重介绍微通道板固定图案噪声及其简便新颖而又实用的一种测试方法,给出测试结果并进行分析。     

切比雪夫谱有限条

文[1]用有限条法分析薄板弯曲时,将薄板分成若干条带,条的端部以振动梁函数等特殊函数为基函数,对不同的边界条件,取不同基函数,给计算和程序编制带来麻烦。本文将以切比雪夫多项式作为有限条端部的基函数,並通过建立边界约束方程来统一处理各种边界条件,边界约束方程可简化有限条的刚度矩阵,计算结果与理论解较吻合。     

pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压（C-V）特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线，计算出 pn结接触电势差，并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量，进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便，其过程物理意义清晰，既适用于分立的SiGe/Si异质pn结，也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好. 关键词： SiGe/Si 异质pn结 C-V 禁带宽度     

磁流体发电用鞍形超导磁体的实验

中国科学院电工研究所研制了一个磁流体发电用鞍型超导磁体。这个磁体的室温孔径为４４ｃｍ，有效磁长度为１０３ｃｍ，中心磁场为４Ｔ。它由１７层共３４个鞍型线圈组成。线圈所用ＮｂＴｉ超导线截面为２ｍｍ×１０ｍｍ，由Ｓｕｐｅｒｃｏｎ公司提供。本将介绍磁体的性能与实验结果。实验表明该磁体能在中心磁场达４．１３Ｔ下稳定可靠地运行，完全满足设计和使用要求。     

C60/PMMA复合材料的反饱和吸收与光限幅特性研究

本文报导C₆₀/PMMA复合材料的制备方法,并采用调QNd:YAG倍频脉冲激光照射C₆₀/PMMA夏合材料,研究了其反饱和吸收与光限幅将性。在线性透射率为46%条件下,光限幅阈值能量密度为65mJ/cm²,材料破坏能量密度阈值为600mJ/cm².与C₆₀甲苯溶液相比具有一定的优点。     

固体C60/PMMA的激发态吸收光限幅研究

应用五能级模型计算了C₆₀/PMMA的激发态吸收光限幅特性;采用调Q倍频Nd:YAG脉冲激光测量了C₆₀/PMMA的激发态吸收光限幅效应。理论和实验结果基本符合。