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Influence of the deposition parameters on the transition region of hydrogenated silicon films growth 下载免费PDF全文
Hydrogenated microcrystalline and amorphous silicon thin films were prepared by very high frequency plasmaenhanced chemical vapour deposition (VHF PECVD) by using a mixture of silane and hydrogen as source gas. The influence of deposition parameters on the transition region of hydrogenated silicon films growth was investigated by varying the silane concentration (SC), plasma power (Pw), working pressure (P), and substrate temperature (Ts). Results suggest that SC and Ts are the most critical factors that affect the film structure transition from microcrystalline to amorphous phase. A narrow region in the range of SC and Ts, in which the rapid phase transition takes place, was identified. It was found that at lower P or higher Pw, the transition region is shifted to larger SC. In addition, the dark conductivity and photoconductivity decrease with SC and show sharp changes in the transition region. It proposed that the transition process and the transition region are determined by the competition between the etching effect of atomic hydrogen and the growth of amorphous phase. 相似文献
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利用符号动力系统中关于有限型子转移的若干深刻结果,得到结论:有限个元素的Γ-环-定存在强诣零根.此外还有比这稍强的结论. 相似文献
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十二烷基硫酸钠—水杨基荧光酮痕量锡的光度测定 总被引:6,自引:0,他引:6
提出一种高选择性、高灵敏度吸光光度测定痕量锡的方法。试验表明阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠具有特殊的选择性,在十二烷基硫酸钠的存在下,锡与水杨基荧光酮在强酸性介质中形成高灵敏度的三元配合物,常见干扰离子均不发生类似的显色反应,具有很高的选择性,不需分离可直接测定钢铁样品中的痕量锡。 相似文献