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41.
本文论述了冷硬树脂砂在混碾、硬化和浇注过程中分析出对人体有害的气体,必须注意通风;文中还介绍了国外某些冷硬树脂砂析出的气体种类及发气速度的计算方法。本文以本厂3000吨铸件铸造车间所用的呋喃Ⅲ型树脂自硬砂为例,计算了在硬化、浇注阶段时析出的各种气体发气量,为配备通风装置提供了依据。  相似文献   
42.
用高能量密度脉冲等离子体于室温下在氮化硅陶瓷刀具上成功沉积了高硬耐磨的氮化钛涂层。薄膜厚度用光学显微镜和俄歇电子能谱仪测定,薄膜元素和相组成与分布分别用俄歇电子能谱仪、X光电子能谱以及X光衍射仪测定,薄膜微观结构用扫描电镜观察,薄膜表面粗糙度用光学显微镜测定,薄膜力学性能由纳米压痕实验和纳米划痕实验确定,薄膜的磨损性能用上业条件下的切削实验评价。实验结果表明,在最优化条件下,涂层与基体的结合力很好,纳米划痕实验临界载荷达80mN以上;氮化钛涂层具有很高的硬度和杨氏模量,分别达28GPa和350GPa以上。涂层刀具用于HB达2200MPa—2300MPa的HT250钢切削实验表明,刀具耐磨损能力增强,寿命明显提高。  相似文献   
43.
本文对经离子软氮化和一般盐浴软氮化及气体软氮化处理后钢的氮化层的冶金特性作了比较。离子软氮化所形成的化合物层厚度大于其他两种软氮化处理者。化合物层的相结构受软氮化方法和钢种的影响。离子软氮化和气体软氮化所形成的化合物层较致密,而盐浴软氮化所形成的化合物层有疏松。经离子软氮化的钢与其他两种软氮化的钢具有相同的耐磨性。这三种软氮化处理都显著地改善了钢的耐磨性。  相似文献   
44.
本文研究了一种高粒子含量镍基铸造合金稳态蠕变行为。通过对不同温度(800,850,900℃),不同应力(22,24,28kgf/mm~2)蠕变变形测量,得出稳态蠕变速率表达式分别为: ε_s=8.01×10~(15)exp(-53170/T) ε_s=2.01×10~(18)σ~(9.58) ε_s=1.06×10~2σ~(9.58)exp(-53170/T) 蠕变速率与应力满足乘方关系,应力指数n=9.58;蠕变速率与温度满足指数函数关系,蠕变激活能Qc=445千焦耳/克原子。本文初步探讨了合金稳态蠕变过程的机制。薄膜透射电镜和蠕变过程分析指出,带割阶位错通过间隙原子扩散由位错攀移粒子控制蠕变过程。  相似文献   
45.
针对无线传感器网络( WSNs)在测量数据丢包不确定性情况下的分布式H∞滤波问题,提出一种基于传感器丢包率不确定性预测的分布式H∞滤波算法。通过设计一种线性全阶滤波器,使得滤波误差能够收敛在均方渐近为零,同时抑制外界的干扰造成的H∞滤波衰减。根据滤波参数符合伯努利分布随机分布的原理,利用Lyapunov函数的方法,通过寻找最佳的滤波参数来保证在丢包率不确定的情况下对真值预测的随机稳定性。实验仿真结果表明:当观测数据存在不确定性丢包时,该滤波算法能发挥有效的滤波效果。  相似文献   
46.
建本文是《关于"友来友往大学生学术生活交流网"网络平台研究》的技术实现。在需求分析的基础上,共同讨论总结出不同的功能模块,协同开发实现整个系统的构建。为满足系统的高扩展性,后续的开发等要求,我们选择利用分布式的特点。专门利用一个子系统作为整个项目系统的数据中心,该中心只负责数据信息的提供,不提供页面显示和数据逻辑处理。单纯地将页面,处理逻辑和数据分开。更加体现软件设计的MVC典范思想。  相似文献   
47.
对飞行航路的解析过程及使用接口进行了探讨,介绍了一种飞行航路解析子系统的设计与实现方法.涉及用XML进行存储数据及解析的方法、网络数据通讯与消息机制、使用UML语言设计和利用工具生成代码,以及QT风格注释等在飞行航路子解析中的应用.最后对飞行航路解析的核心算法和数据结构进行了探讨.  相似文献   
48.
论述了一种智能仪器的嵌入式解决方案,采用ARM-DSP双处理器体系结构,充分发挥嵌入式系统软件丰富、界面通信灵活多样、DSP控制器处理控制能力强的特点.详细给出了嵌入式系统的总体软硬件结构,论述了ARM和DSP控制器的通信接口设计和驱动程序设计.  相似文献   
49.
由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各种能量稳定型InAs基范德华异质结的电、光、磁等原理物理特性和器件性能变化之间的内在关系方面发挥着不可比拟的作用。文中梳理、总结和探讨了近年来InAs基范德华异质结间界面电荷转移特性的理论研究工作与潜在的功能应用,提出在理论方法和计算精度方面大力发展第一性原理计算的几个途径,为更好地开展InAs基范德华异质结的基础科学研究和应用器件设计提供可借鉴的量化研究基础。  相似文献   
50.
二维任意形状寄生电阻电容的边界元计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
由于集成电路技术高速发展,精确提取任意形状寄生电阻电容变得十分重要,本文以直接边界元素法为基础,利用圆弧样条插值近似任意曲线边界,使插值曲线具有整体一阶连续性,并克服了大挠度与多值的困扰。在直线边界使用线性连续元,在曲线边界使用二次连续无。对两邻国为直线的角点,我们曾提出处理角点处存在多重法的导数的一种方法。这里,它被推广到角点邻边含曲线段的情形。数值结果表明模拟器是可行的。  相似文献   
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