锰酸钙晶体中缺陷的高分辨电子显微镜研究

本文以高分辨电子显微镜为手段对锰酸钙晶体缺氧空位排列形式和大颗粒样品解体过程进行了初步的研究。观察到了非化学剂量化合物锰酸钙晶体结构,通过观察还发现了锰酸钙晶体中缺氧墙和反相畴界伴生存在的现象。进一步理论分析发现无论是晶体中缺氧空位,非化学剂量化合物中缺氧空位串,还是晶体间缺氧墙,这些结构和完整锰酸钙曹体结构相比较都是缺氧的。这样我们对锰酸钙晶体缺氧过程描述为:完整晶体失氧,首先以点缺陷形式存在,随着失氧量的增大在晶体中开始出现缺氧线缺陷和缺氧面缺陷,当晶体继续失氧时,缺氧墙位置通过移动产生反相畴界,从而导致了晶体的部分解体。     

几何设计约束的表示与满足问题研究

对于智能ＣＡＤ系统来说，具有解决几何设计约束的功能是重要的。本文提出了一种面向对象的几何设计约束表示方法，它可以通过两种方式来表达。文中给出了一个约束传播算法，用于解决约束满足问题。     

快速耳用胶（简称EC胶）

本文对快速耳用胶(EC胶)的主体胶的确定、增韧剂和增稠剂的选择及其加入量的确定、稳定性能的考查等,通过实验进行了介绍,推出了该胶的制造工艺,提出了相应的技术标准和测试方法。     

数字万用表二极管挡使用技巧(三)

<正> 6.硅桥式整流器性能鉴别 硅桥式整流器具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子技术中应用广泛。常用的小功率硅桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式(见图3),如QL52～QL61系列、PM104M、BR300系列等。半桥有三种结构:一种是将两只二极管顺向串联,在结点处引出一极(如2CQ1型),见图4;另一种是将两只二极管背靠背式反极性联接(称共阴式,如2CQ2型),见图5;第三种是将两只二极管头碰头式反极性联接(称共阳     

脉冲啁啾对干涉相关测宽的影响及其消除方法

本文深入讨论了脉冲啁啾的非线性起源及其对干涉相关测宽(等值宽度和条纹计数)法的影响。提出根据干涉相关曲线下包络最大值位置适当降低等值宽度位置和用计算机平均处理干涉相关信息的技术以消除啁啾的影响。