红外辐照退火砷离子注入硅的后热处理特性研究

本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结果表明,对于红外辐照~(75)As离子注入样品,表面薄层电阻随后热处理温度的升高而发生规律性的变化,在900℃附近达到最小值,此时注入杂质的电激活率大于100%.     

硅中离子注入层退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文将DLTS测试技术用于低剂量B~+注入MOS结构,并给出了计算方法.对通过920(?)SiO_2膜、注入剂量为5×10~(11)B~+ cm~(-2),经480℃、15分钟热处理的样品测到了E_T-E_V=0.19eV,E_T-E_V=0.26eV和E_T-E_V=0.33eV三个深能级;对于1×10~(12)B~+ cm~(-2)注入,经常规热退火(950℃、30分钟)和红外瞬态退火(辐照源温1150℃,40秒)后分别测到了深能级E_T-E_V=0.24eV和E_T-E_V=0.29eV;对引入这些深能级的残留缺陷进行了讨论.     

焦作市城区防洪规划方案研究

焦作市中心城区地处太行山南麓山前倾斜平原和黄沁河冲积平原以北交接处,地势低洼,历史上南受沁河、北受太行山洪、西受丹河和大沙河洪水威胁,目前尚无完善的防洪工程体系.为与城市总体规划相协调,针对城区防洪工程现状,结合城市布局,确定防洪规划方案.     

硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.为了研究退火后残留深能级缺陷的电特性,对于离子注入MOS结构进行了DLTS测试.对于通过920A SiO_2膜,注入剂量为 1×10~(12)cm~(-2)B~+、能量为60 keV的样品,经常规热退火和红外瞬态退火后分别测到了深能级 E_T-E_v=0.24±0.02eV和E_r-E_v=0.29±0.02eV;并对引入这些深能级的缺陷进行了讨论.     

喀麦隆曼维莱水电站无压引水系统瞬变流分析

针对喀麦隆曼维莱水电站无压引水系统明渠的过流能力及其水力瞬变流特性,基于明渠水流的基本方程,推导得到了相应的特征隐式格式算法以及边界条件,建立了长明渠引水式水电站瞬变流分析的仿真模型,并进一步结合工程实例揭示系统的瞬变流特性。与二维水力仿真分析成果进行比较验证分析,可知该水电站水库和压力前池水位差为1.06 m的情况下,引水明渠过流能力不足以通过4×112.5 m~3/s的额定流量。融合明渠的水力特性和压力前池的水位波动特性,水电站水力—机械系统调节保证计算参数的控制值均满足要求,其中明渠出口(压力前池)最高水位为392.362 m,低于相应的渠道末端顶高程394.270 m,满足布置要求。水电站水力—机械系统的水力干扰和小波动过渡过程均满足稳定性要求,且调节品质优良。研究成果可为工程设计和电站运行提供可靠的技术支撑,在合理选择前池容积的前提下,实现对渠道引水能力、渠堤沿线高度和前池最大水位波动的有效控制。     

原油微波辐射破乳技术的研究进展

简要分析了原油中水的存在形式及原油乳状液稳定性的因素,阐述了微波辐射破乳的机理及影响因素.微波破乳时,极性分子高速旋转,破坏油水界面膜的ζ电位,ζ电位的降低,促进了分散相颗粒的聚集,从而加速了分离过程,提高了破乳率.影响微波破乳效果的因素有辐射时间、压力、微波功率、原油含水率、加热速率等.     

天津地区水资源承载力研究

根据水资源承载力的理论,利用模糊评价法定量地研究了天津地区水资源承载力,天津是我国严重缺水城市之一,它的特殊地理位置决定了汛期因水而忧、非汛期又因无水而愁的特点。采取以南水北调和引滦入津水为主、本地水和引黄济津水及海水、中水、微咸水、雨洪水等非常规水为辅多水源的统一优化配置对策,不仅可以保证中心城区用水安全．而且还可满足服务滨海新区开发开放的要求。     

包钢选矿厂磨矿工艺流程的改进

本文通过对包钢选矿厂原磨矿分级作业状况的分析,认为该工艺存在流程长,设备配置多,能耗高,旋流器分级效率低的问题.经理论计算和现场试验,提出了改进方案并加以实施.主要改进有:对磨矿流程进行了改进,将原三段旋流器分级改为二段;重新修订磨矿分级作业工艺参数;工艺设备重新配置.改进后,在系列原矿处理能力与改进前基本相同的情况下,磨矿最终产品细度及稳定性改进前后相当,能耗大大降低,年创经济效益410万元以上.     

GaAs离子注入Si的快速热退火

一、引言 GaAs集成电路的发展与在半绝缘衬底上进行外延的外延层或进行出子注入形成导电沟道的质量和接触区的常规工艺有关。由于在器件和电路制造过程中,存在外延材料成本高以及难以制成浅结等问题,所以,近年来,国际上广泛开展了离子注入高纯半绝缘GaAs来制造砷化镓场效应晶体管和进行GaAs单片集成电路的研究。离子注入具有掺杂浓度可控,均匀性和重复性好的特点,以及与其它工艺组合灵活等优点。但注入样品必须在高温(≥800℃)下退火,以消除注入损伤和电激活掺杂剂。在通常的炉子退火(850℃,30′)条件下,由于GaAs表面的As原子易挥发,使得GaAs的化学计量比失配,造成器件特性变坏。使用包封层,虽然解决了As原子的挥发问题,但由于包封层与样品之间的热膨胀系数不匹配,在高温下存在热应力,进而引起膜皱曲甚至脱落,样品表面层中该热应力引入缺陷杂质对材料特性产生影响。目前,国外研究较多的是快速热退火(RTA)。这种方法由于退火时间短,退火温度高,更有利于复杂缺陷的消除,激活层电特性好,注入杂质和衬底杂质的互扩散小,不需包封层,因此消除了包封层和衬底界面处的应力和组分互扩散,而且退火时不涉及AsH_3这样的有毒气体。