基于空时分组编码的协同通信系统性能的研究

该文提出了一种基于空时分组编码的协同通信方案(WCC-STBC),通过理论分析得到了系统的误码率传输特性,并给出了Monte Carlo仿真结果。理论分析和仿真结果表明：WCC-STBC方案通过临近用户之间的空时协同发送可获得分集增益,增益的大小与协同信道及各用户信道的传输特性有关。在误比特率为10-3,两用户间协同信道的传输特性优于各用户(假设各用户传输特性相同)5dB时可获得约3dB的分集增益;一个用户信道的传输特性(假设其与两用户间协同信道传输特性相同)优于另一用户5dB时,信道传输特性较差的用户可获得约5dB的性能提升,且较好信道用户的性能损失并不大,仅约0.5dB。     

GA332-200型浆纱机的改造与实践

通过对GA332—200型浆纱机的改造，经生产实践，由机械原因造成的轻浆、浆班油、松边、短边轴、软、更边轴等都有所改善，好轴干也由改前的50％左右，提高到80％以上，满足了开发生产线性棉高密织物的要求。     

相关信道下空时分组编码性能研究

主要研究了信道的相关性对空时编码性能的影响。理论上,把V.Tarokh给出的独立信道情况下的性能界推广到实际相关信道下,得到了信道一定相关特性下系统的性能界,通过仿真得出了一定结论。     

亚洲最大的展览场馆--上海新国际博览中心大跨度柔性钢结安装施工技术研究

上海新国际博览中心展厅结构由德国Wern Soberk公司设计，其上部钢结构为大跨度、柔性体系，为此，施工安装采取了相应的技术措施，成功地实现了设计构想。     

反应物浓度对氢氧化镁沉降性能和粒度的影响

利用氯化镁和电石渣制备镁质胶凝材料所用氧化镁,生产原料廉价,产品用途广泛,具有很大的应用价值.研究了常温下反应物浓度对氢氧化镁沉降和粒度的影响,结果表明:氯化镁和电石渣摩尔比例为1.25∶1,氯化镁浓度为1.875 mol/L时,氢氧化镁料浆沉降速率和平均粒度相比与其他浓度最大,为工业生产提供研究基础.     

基于静态分析的Android GUI遍历方法

针对传统软件安全测试方法（例如：符号执行、模糊测试、污点分析等）无法获得较高的Android程序图形用户界面（GUI）覆盖率的问题,提出动态和静态相结合的Android程序测试方法。该方法在静态分析Android应用程序数据流的基础之上,构建程序活动转换图和函数调用图,解析程序GUI元素,进而编写测试脚本动态遍历应用程序GUI元素。将该方法应用于订票日历、WiFi万能钥匙和360天气应用的实际测试,结果表明：Activity的平均覆盖率达到76%,明显高于人工测试的平均值30.08%和基于控件树遍历的42.05%~61.29%,该方法能够有效遍历Android应用程序GUI元素。     

基于供水分级计量的典型公共建筑用水特性分析

通过分级计量的方式,设置远传水表和压力传感器,对某典型办公建筑供水管网实时流量和压力进行长期监测,并对海量监测数据进行了筛分与解析。通过流量监测数据分析,探讨了系统设计秒流量及对应技术参数选择的合理性,阐述了建筑用水量在不同时段的分布规律,并论述了一、二级用水计量存在偏差的原因和不平衡率分析的适用条件。通过压力监测数据,对比分析了管网压力和对应流量的变化及分布规律,进而指出了压力变化与系统运行稳定之间的相关性。     

高职学生廉洁从业教育的实施途径探析

廉洁是中华民族的传统美德,是大学生应有的政治修养和道德情操.高职学生在校期间正是价值观、道德观、人生观逐步形成的关键时期,对他们开展廉洁从业教育,有着特殊的意义.论文分析了高职院校开展廉洁从业教育的必要性,并探讨了高职院校开展廉洁从业教育的载体、对策和原则.     

一类广义 Feistel 密码安全性能的进一步评估

为评估一类广义Feistel密码的安全性能,利用迭代结构对该分组密码抵抗差分密码分析和线性密码分析的能力进行了深入的研究。在轮函数都是双射的假设条件下,证明了4r （r≥1）轮广义 Feistel密码至少有（8/3） r-[（rmod3）/3]＋（rmod3）/3个轮函数的输入差分非零。当r ≥6时,本文的结果比现有结果至少提高20％。从而利用轮函数的最大差分和线性逼近概率,就可以估算出4r（r≥1）轮广义Feistel密码最大差分特征概率和最大线性逼近概率的上界。     

6H-SiC单晶片划痕形貌与残余应力研究

为了研究6H-SiC单晶片在(0001)晶面C面划擦过程中材料的损伤机理,首先通过微纳米划痕系统划擦单晶片,得到不同载荷作用下沿不同晶向的划痕,再通过摩擦力传感器、显微镜以及激光Raman光谱检测不同晶向划痕的摩擦系数、表面形貌以及残余应力。结果表明:6H-Si C单晶片沿不同晶向划擦后的摩擦系数基本稳定在0.185～0.240;单晶片在不同载荷作用下的划擦过程中沿[1210]晶向出现了不同程度的损伤,随着载荷的增加单晶片从塑性去除逐渐转变为脆性去除,划痕中心的凹陷与两侧堆积现象逐渐加剧;当划痕加载力小于10.7 N时,材料处于塑性去除模式,残余应力主要呈现残余压应力,局部有较小的残余拉应力;当划痕加载力大于10.7N时,材料从塑性去除向脆性去除转变,在14.8N时转变为脆性去除模式,划痕底部残余拉应力逐渐增大,以残余拉应力为主,但在划痕两侧堆积处呈现较大残余压应力。该研究可为6H-SiC单晶片精密超精密研磨加工损伤机理的研究提供理论支持。