我国电信企业信息化发展现状及对策

1电信企业信息化的必要性 1．1国家信息化发展的需要 国家“十一五”规划提出要“继续推进国民经济和社会信息化”，把我国的信息化建设推向一个全面深入落实的新阶段。电信业是推进信息化建设的基础平台和核心力量，我国的电信业由于本身属于IT业，又凭借着超前的管理意识和自身拥有的大量信息化人才的优势，率先在内部向信息化转型。随着信息化的全面推进和在重点领域的突破，电信业自身需要继续深入向信息化转型，才能为各行各业转变经济增长方式提供全方位、多层次的信息服务。     

SAGD水平井钻井技术

SAGD技术是开发超稠油油藏的一项前沿技术，在国外的超稠油开采中已经得到广泛应用。九十年代末，国内辽河油田在中深层超稠油的开采中开展了SAGD的先导试验，取得了很好的试验效果，形成了相关配套技术。2008年，为提高稠油开采的综合经济效益，拥有丰富稠油资源的新疆油田也已开始着手SAGD技术的试验应用与效果评价工作。本文结合新疆油田SAGD先导试验区块具体油藏特开采特征与SAGD技术在国内外的发展应用等情况，介绍了SAGD水平井钻井技术及其特殊配套的磁性定位导向仪器（MGT与RMRS），以供参考和借鉴。     

BIM轻量化技术在水利工程中的应用

为提高BIM轻量化技术在水利工程中应用的可行性和全面性,分析总结当下主流的BIM轻量化技术,以密云水库改造消隐工程为例,提出水利工程BIM轻量化技术应用路线,改善不同建设阶段BIM轻量化技术的应用效果。在设计阶段综合运用模型减面优化法、渲染优化法以及BIM轻量化协同设计平台,能大幅度提高三维模型设计效率;采用BIM轻量化引擎将BIM设计模型传递至施工阶段,建立BIM轻量化施工管理平台,能有效提高施工管理质量,保障工程按时按质完成。针对当下BIM轻量化技术现状,提出未来发展的建议：BIM轻量化技术应集成多种水利工程行业特色数据,完善BIM规范及标准,使BIM轻量化应用体系更加规范化、科学化。     

304不锈钢的微生物腐蚀行为研究

用自腐蚀电位、动电位扫描法研究了304不锈钢(304SS)微生物腐蚀的电化学行为,应用原子力显微镜(AFM)观察了硫酸盐还原菌(SRB)在304SS表面形成的微生物膜的形貌和304SS的腐蚀形貌.实验结果表明,硫酸盐还原茵参与了不锈钢的电化学腐蚀,加速了腐蚀速度,破坏了不锈钢的钝化层,诱导了不锈钢点蚀的发生.     

基于主题语义URL的信息搜索方法研究

为提高主题网络爬虫的效率及收获率,提出一种基于主题语义URL的信息搜索方法。该方法将种子URL映射到主题树的主题结点上,以主题路径上的主题文本扩充种子URL的语义,引导爬虫高效准确地抓取主题页面,并利用链接重要度与页面重要度因子在抓取过程中自动选育新的URL优良种子。重点阐述上述搜索方法的原理及其在系统中的实现。实验结果表明,该搜索方法能有效改善网络爬虫的搜索效率及收获率,且种子链接的选育性能良好。     

纸张表面射频磁控溅射SiOx薄膜的研究

氧化硅薄膜因其优异的阻隔、电学、光学以及环境友好性能而广泛应用于各种工业场合。可以在多种衬底上制备硅氧化物,常见的如硅、玻璃和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。然而,目前所见报端的文献很少有以纸张为基材的。本文即研究在纸张表面射频磁控溅射沉积氧化硅薄膜,讨论沉积氧化硅薄膜射频功率密度、沉积时间等工艺参数对沉积速率,薄膜表面粗糙度、薄膜机械性能、薄膜的阻隔性能的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,结果表明,沉积氧化硅薄膜后表面更加均匀且平滑。沉积氧化硅薄膜后纸张的横向,纵向弹性模量和拉伸强度明显增加。在射频功率密度2.78 W/cm~2、氩气流量40 sccm、沉积时间为36min的制备参数下所沉积的薄膜对水蒸气的阻隔提高了15倍。此外,本文还研究了沉积氧化硅薄膜后纸张的色彩再现印刷适性。     

生物柴油及其催化合成技术研究进展

介绍了国内外生物柴油的生产现状,并阐述了酸催化、碱催化、酶催化和超临界催化技术以及离子液体催化、超声催化、微波催化等新催化技术的研究进展。简述了传统催化剂的优缺点。说明了新技术代替传统技术的可能性。     

上海浦东集成电路代工业和设计业互动发展研究

信息产业的核心技术是集成电路技术,它是国际竞争力的重要体现.微电子产业是高科技发展中的重中之重,它的功能涵盖全社会.浦东新区IC产业互动指的是通过IC产业链上游设计业与下游制造业间的沟通、合作及一定程度上的资源共享,带动新区整个IC产业的快速成长,使浦东新区真正成为全球IC产业的重镇.     

FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

在1500℃、 1600℃、 1650℃和1750℃氩气中保温3h, 使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展, 分别在熔层表面获得SiC颗粒层、 SiC颗粒与晶须混合层、 SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC; TEM和SAED分析表明, SiC晶须为3C-SiC单晶, 生长方向为[111]。基于上述结果, 提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径, 生成不同形貌SiC的反应机理: 低温时(≤1500℃), Fe提高了熔体中C的饱和溶解度, 以液-固(LS)反应生成SiC颗粒; 较高温度时(1500~1750℃), 借助Fe的催化作用, 以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须; 更高温度时(≥1750℃), 气-液-固(VLS)变得无序, 生成SiC腾空连续膜。      

接触导电膏的机理与应用

接触导电膏涂敷于固定搭接导电排的接触表面起接触作用，本文对两粗糙表面固定搭接区含有助接触剂的作用机理进行了分析，指出擦膜抑膜，增加导电斑，电流线均匀分布是它的主要工作机理，降阻降温和保持触特性稳定是它的主要功能。