致密气藏开发过程水相圈闭损害机理及防治研究进展

在致密气藏开发过程中，随气藏压力下降，边底水侵入会导致水相圈闭损害的发生；水相圈闭损害不仅导致气藏采收率下降，且增加开采成本，延缓开发进程，严重制约气藏的开发效果。分析了水驱气藏开发过程中水相圈闭损害机理，水相圈闭损害发生的影响因素、过程机理、预防措施、治理技术，指出致密气藏的非均质性、水湿性、超低含水饱和度、高毛管压力、裂缝发育和压降等是诱发水相圈闭损害的主要因素，和裂缝一孔隙间水相渗吸、水相圈闭气的形成、水相圈闭动力学模型和水相圈闭损害防治研究等方面的主要进展，认为在含水致密气藏开发过程中，应采取早期预测、主动防御、优选开发方式、合理安排排水采气井及其产量、适时调整压力场分布及整体控制均衡开发等措施，以便有效地预防和治理水相圈闭损害。     

先烈?先驱!

20世纪末，全球IT业企业约10万家，仅美国每周就有三千家企业加入，又有三千家左右消失。1990年注册的IT企业，到2000年成为先驱的不足0.5%，而99.5%的企业成为先烈，在IT经济新陈代谢中先烈为它吐故纳新；先驱企业为它拼命开拓；IT经济就这样疯长起来的！     

故障树内存结构的建立和存储问题的研究

故障树分析法是概率安全分析中的一种重要的方法，借助于计算机来进行故障树分析，将大大提供效率。故障树分析软件的首要问题就是接受用户输入的故障树，并在内存中建立起健壮、灵活的数据结构，在此基础之上才能进行有效、快速的分析和计算。同时，内存数据还要能快速地存储在数据库中，并能完整、正确地再现。针对故障树分析工程的复杂性，提出来了一种以多级链表和二叉树相结合的解决方案，并介绍了解决故障树内存结构存储和再现问题的方法。软件开发的实践证明这种解决方案是方便有效的。     

长白微机走进全国大市场——访沈阳计算机通讯设备总公司常务副总经理俞世京先生

在我们的读者中,说起长白集团,也并不陌生。早几年他们的沈阳计算机厂做的1600K打印机,就使得长白蜚声国内。去年北京的电脑爱好者城上,他们试探性在京抛出长白王牌电脑,结果很火了一把。长白微机虽然在     

新场气田运用高低压分输技术提高气田采收率

新场气田由浅层蓬莱镇组气藏(JP)和中深层沙溪庙组气藏(JS)、千佛崖(J2q)气藏组成，前者开发较早，其原始地层压力低，气井产量和井口压力递减快，后两者开发较晚，其原始地层压力高，气井产量和井口压力递减慢。气田开发初期，上述各气藏气井采用同一地面集输系统进行生产。随着JP气藏气井井口压力逐渐接近集输管网运行压力，浅层与中、深层气井的生产矛盾日益突出。为此，采用高、低压气井分输技术，既可解决生产矛盾，又达到降低浅层气藏废弃压力，提高其采收率的目的。     

永磁同步、无齿曳引机制动器的探讨——无齿曳引机研究中的一个问题

文中叙述了永磁同步无齿曳引机制动器的特殊要求中存在推力与温升矛盾的解决方法，高压起动低压保持的双电压（双励磁）的控制方式，以取得大推力，低温升等效果。但应强调在取得上述效果时必须使最高吸合电压和最低释放电压分别低于磁力器额定电压的80％和55％，才是真正有效的，而要满足规定的比值在使用参数合理的情况下，还必须从磁力器设计中的Rm，I，W等参数统一考虑。最后介绍通过试验研究后综合的四点看法。 永磁同步无齿曳引机技术是近年来在电梯技术领域中的姣姣者，技术上已很成熟，故在国外已取得了很广泛的应用。而在国内虽起步较晚，但近年来在技术研究上和生产应用上也开始有了较大的进展。认识这一点是非常重要的，可以促使我们尽快跟上去。     

略谈国外动力堆燃料元件 PCI 破损问题

(一)国外研究 PCI 问题的历史背景及重要意义所谓燃料元件的 PCI(pellet and clad-ding interaction)是指水冷动力反应堆所使用的燃料元件芯块与包壳之间的相互作用。由于 PCI 作用可导致元件破损,因而引起了国外的重视。也就是说,PCI 问题直接涉及到燃料元件在堆内使用的安全性,同时也关系到水冷堆核电站的经济性。众所周知,国外目前运行着的核电站绝     

丙烯酸乳液表面施胶剂应用技术的初步探讨

研究了玻璃化转变温度（Tg）、干燥温度、表面施胶剂用量、干燥时间、胶膜铺展以及胶料成膜性等因素对表面施胶剂施胶效果的影响,初步探讨了丙烯酸乳液表面施胶剂的应用技术,并采用扫描电镜（SEM）对表面施胶剂在纸张表面的铺展形态进行了微观分析。本实验的最佳工艺为：干燥温度120℃,干燥时间15 min,表面施胶剂用量1.0%,表面施胶剂的玻璃化转变温度在20-35℃范围内。干燥温度在120℃时能获得最佳的胶膜铺展与成膜性;表面施胶剂的玻璃化转变温度的提高和干燥时间的延长以及表面施胶剂用量的提高均可有效提高施胶度;此外,SEM照片可从微观角度较好地反映表面施胶剂的熔融铺展程度与成膜性的好坏。     

二极管的径向绝缘设计及阴极特性研究

介绍了二极管真空绝缘中真空沿面闪络的理论、绝缘结构设计的要点以及沿面闪络域值的估算方法,提出了二极管结构优化设计的思路和方法,通过数值计算对二极管的径向绝缘结构进行了设计优化,一方面降低了三相点的电场强度和绝缘体沿面电场强度,另一方面提高了绝缘体表面的沿面击穿场强。实验结果表明,优化后的二极管绝缘结构满足设计指标,在正常工作电压下未发生击穿现象,并进一步对天鹅绒阴极二极管发射电流的幅值特性和脉宽特性进行了初步研究。     

高阈值场发射屏蔽材料电性能实验研究

高域值场发射屏蔽材料为采用特殊工艺在不锈钢等金属材料表面覆盖一层绝缘薄膜,使金属表面的场致电子发射域值提高,有效防止金属材料表面局部场强过高导致电击穿的现象发生。为了检验和测试该屏蔽材料的实际性能,设计了屏蔽材料场发射域值的测试方案,采用电流测量方法判断经过屏蔽材料处理后的阴极头是否有电子发射,并通过阴极头的电压测试确定阴极头发射电子时的电压,通过数值模拟计算确定阴极头的发射域值。构建了实验测试平台,采用1 MV/100 kA电子加速器作为高压脉冲功率源,以平面二极管作为负载,二极管阴极头为实验样品。实验中分别测试了普通不锈钢阴极头的场发射域值和经过屏蔽材料处理后阴极头场发射域值,结果表明,普通不锈钢阴极头的场发射域值在450 kV/cm附近,而经过特殊工艺处理后的阴极头场发射域值在630 kV/cm附近,场发射域值约提高40%。