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81.
<正> 为了适应涤纶高速纺丝——拉伸假捻技术所要求的高速、稳定、连续化生产等特点,近年来国外在高速纺丝卷绕机一拉伸变形机的电气传动、自动控制方面做了大量的工作,形成了与之相适应的电气自控技术。本文将就此作一些介绍和分析。  相似文献   
82.
本文介绍了校园网多出口设计的一种方案,采用策略路由技术和网络地址转换技术解决校园网出口瓶颈问题,在青岛科技大学校园网中进行具体实施,实践证明行之有效。  相似文献   
83.
报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8~4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8~4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5dB、噪声系数小于2.3dB、输入输出驻波比小于2.0。  相似文献   
84.
邓名高  王红蕾  刘亮 《现代电子技术》2007,30(19):152-153,156
自动控制技术和计算机技术及电力电子技术的迅速发展,使开发具有PROFIBUS-DP技术的产品成为国内智能设备的一大热点。对基于PROFIBUS-DP技术的高压软起动器通信模块的开发进行阐述,高压软起动器作为智能从站参入PROFIBUS-DP总线中组态,高速、安全、可靠的通信说明了高压软起动器通信模块的开发是成功的。  相似文献   
85.
在简单分析传统价值链与虚拟价值链的基础上,总结出产业价值链结构的变化趋势,进而详细讨论我国电信产业价值链结构演进的3个阶段,并分析电信运营商在不同阶段的作用与定位.最后,针对未来电信产业价值链的变化趋势,为电信运营商的发展提出建议.  相似文献   
86.
采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.  相似文献   
87.
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.  相似文献   
88.
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.  相似文献   
89.
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.  相似文献   
90.
无线传感器网络中的隐私保护技术已经成为研究热点,其中具有隐私保护能力的Top-k查询已经成为富有挑战性的研究问题.提出了一种基于前缀编码验证(PMV)机制的两层传感器网络隐私保护Top-k查询处理方法.通过引入PMV机制,并利用加密和Hash消息身份验证编码技术,使感知节点对采集到的数据进行加密和编码处理,并上传至存储节点;存储节点利用PMV机制实现在无需感知数据明文参与下的数值线性关系比较,进而计算包含查询结果的最小候选密文数据集,并发送给Sink节点;最终由Sink解密密文数据,完成Top-k查询结果计算.为了降低感知节点能耗,给出基于Hash技术的能量优化策略.理论分析和实验结果表明,该方法能够确保数据的隐私安全性,且性能表现优于现有工作.  相似文献   
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