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601.
602.
603.
分析BBTRZ型耐火电缆的结构以及材料组成。结合《Method for assessment of fire integrity of large diameter power cables for use as components for smoke and heat control other active fire safety systems》中耐火电缆试验方法,选择多个BBTRZ型耐火电缆进行耐火试验。通过各个电缆的耐火表现,研究各层耐火材料对其耐火性能的作用。得到结论认为,应选用硬铜导体,无机物包带制品,以及高密度、多层绕包的合成云母带;能保持硬质结构的填充材料是保证电缆通过试验的最重要结构。 相似文献
604.
605.
光通信用宽动态范围10 Gb/s CMOS跨阻前置放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用UMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现.同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围.后仿真结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为57.6 dBΩ,-3 dB带宽为10.7 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度为18.76 pA/sqrt(Hz),1.2V单电压源下功耗为21 mW,输入信号动态范围40 dB(10 μA~1 mA).芯片面积为0.462 mm×0.566 mm. 相似文献
606.
利用UMC 0.13 μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器.本次设计采用五级改进的Cherry-Hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间.后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8 mW,获得了58.7 dB的增益和9 GHz的-3 dB带宽.输入动态范围为46 dB(6 mVpp~1 200 mVpp)时,输出幅度保持在600 mVpp,上升下降时间(10%~90%)为29 ps.芯片的核心面积仅为285.8 μm×148.9 μm,总面积为665.3 μm×515.3 μm. 相似文献
607.
深入研究了公钥基础设施的参考模型,结合企业安全需求提出了一种基于PKI的企业级安全解决方案,并设计和实现了该方案中的核心单元——企业级签证机关。为本系统进一步扩展指明了研究方向。 相似文献
608.
本文介绍了一种基于0.18-μm CMOS 工艺的宽带无源分布式栅注入混频器。通过采用分布式拓扑结构,该混频器具有很宽的工作频带;中频输出端口使用了一个4阶低通滤波器,从而极大地提高端口之间的隔离度。此外,文中还分析了混频器的阻抗匹配与转换损耗。测试表明:该混频器在3GHz到40GHz频率范围工作时的转换损耗为 9.4 ~ 17 dB,零直流功耗,其芯片面积为0.78 mm2。在射频频率为23GHz固定中频频率为500MHz时的输入参考1dB压缩点大于4dBm。在整个工作频带内,其射频到本振端口、射频到中频端口及本振到中频端口的隔离度分别大于21dB, 38dB,45dB。该混频器适用于WLAN,UWB,Wi-Max,车载雷达系统和其它毫米波射频的相关应用。 相似文献
609.
610.