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11.
采用SEM 和 Magiscan-2A 图像分析系统研究了晶须取向对SiCw/6061Al复合材料在300℃压缩变形行为的影响.结果表明:晶须取向影响着晶须折断程度和转动角度; 随着晶须取向角的增加,晶须转动和折断行为所导致的软化效果下降.同时晶须取向也影响复合材料的热压缩应力-应变曲线的形状.在热压缩变形过程中,晶须取向角为0°和30°的复合材料表现出明显应变软化现象, 晶须取向角为45°的复合材料无明显软化现象.晶须取向角为90℃的复合材料表现出应变硬化现象. 相似文献
12.
Chou Y.C. Leung D. Lai R. Grundbacher R. Barsky M. Kan Q. Tsai R. Wojtowicz M. Eng D. Tran L. Block T. Liu P.H. Nishimoto M. Oki A. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):378-380
The authors have investigated the reliability performance of G-band (183 GHz) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers fabricated using 0.07-/spl mu/m T-gate InGaAs-InAlAs-InP HEMTs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel on 3-in wafers. Life test was performed at two temperatures (T/sub 1/ = 200 /spl deg/C and T/sub 2/ = 215 /spl deg/C), and the amplifiers were stressed at V/sub ds/ of 1 V and I/sub ds/ of 250 mA/mm in a N/sub 2/ ambient. The activation energy is as high as 1.7 eV, achieving a projected median-time-to-failure (MTTF) /spl ap/ 2 /spl times/ 10/sup 6/ h at a junction temperature of 125 /spl deg/C. MTTF was determined by 2-temperature constant current stress using /spl Delta/G/sub mp/ = -20% as the failure criteria. The difference of reliability performance between 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel and 0.1-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with In/sub 0.6/Ga/sub 0.4/As channel is also discussed. The achieved high-reliability result demonstrates a robust 0.07-/spl mu/m pseudomorphic InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs production technology for G-band applications. 相似文献
13.
金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
金属/Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时,还可以获得 很好的力学性能,是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属/Al2O3基纳米复合材料在制备工艺,微观结构和力学性能,增韧强化机理方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。 相似文献
15.
Tsu-Hua Ai Jiann-Fuh Chen Tsorng-Juu Liang 《Industrial Electronics, IEEE Transactions on》2002,49(3):595-597
To overcome the problem of unequal switching loss in power switches, in conventional hybrid pulse width modulation (HPWM) full-bridge inverters, a random switching method for HPWM full-bridge inverters is proposed. The proposed method equalizes switching losses of the four switches, while also providing good output performance 相似文献
16.
17.
18.
色用缓变光纤中交叉相位调制不稳定性分析 总被引:7,自引:2,他引:5
从非线性薛定谔方程出发得到了色散缓变光纤(DDF)中交叉相位调制(XPM)不稳定增益谱。研究了增益谱随入纤功率及光纤纵向色散参量的变化关系。结果表明:反常色散区的增益谱宽比正常色散区宽,且峰值增益高:DDF中XPM不稳定增益谱宽比常规光纤的宽,二者的比值随传输距离和光纤色散参量的乘积成指数增长;DDF的反常色散区是产生调制不稳定的较好的色散介质。 相似文献
19.
The transmission mode of holographic polymer‐dispersed liquid crystals (HPDLCs) was developed an under electric field. It is reported that orientation of LC molecules under an electric field induces orientation of oligomer molecules giving rise to low off‐state diffraction and small grating shrinkage. Copyright © 2005 Society of Chemical Industry 相似文献
20.
RobetKrause KhoiTran JohnConstantino 《世界电子元器件》2004,(4):31-32
电动汽车常被喻作“归来的孩子”,因为这项技术在多年前进入市场后便一直沉寂,直至最近才再次活跃起来。其实,电动汽车早于1835年首次于美国出现,到1899年,纽约市接近90%的出租车都是由电力驱动。然而,当电力启动器和内燃机变得完善时,电动汽车的使用就迅速衰退。随着如今对环境保护的关注,由燃烧碳氢化合物造成的污染,加之汽油成本高升的影响,再次 相似文献