基于Web的新型教育服务平台设计

教育培训是近年来逐渐兴起的一种将知识教育资源信息化的机构或在线学习系统。对网课教育及教育培训信息获取的平台设计方案进行了详细分析论述。通过对教育资源的需求和市场前景的分析,阐述了建设平台的意义,明确了平台设计的目标、任务及主要功能,可以为学生提供网络学习环境,使学生便捷地筛选出当地优质教育资源,同时为教育培训行业提供二次发展机会。     

基于UML的群智能建筑消防设备信息模型研究

群智能建筑中的消防设备要实现与智能节点CPN的互联互通和即插即用,需内置一套标准的信息模型。采用UML建模的方法,通过用例建模、静态建模和动态建模,分析消防设备动作的相关动静态参数信息;通过分析火灾探测报警子系统关键参数,建立了火灾探测器和火灾声光警报器信息模型。     

艾砂磨机在灵宝黄金某冶炼厂焙烧金矿细磨中的应用

针对灵宝黄金某冶炼厂焙烧金精矿浸出流程矿物单体解离度不够、浸出指标不理想的问题,首次将艾砂磨机应用于焙烧矿细磨领域。结果表明,采用艾砂磨机开路细磨,将焙烧滤饼造浆细磨至-38μm粒级占96%后氰化浸出,尾渣金品位由1.72 g/t降至1.42 g/t,综合经济效益增加815.68万元/年。     

电梯操控中点阵显示的探讨

讨论了在电梯操控中点阵显示的特点及技术可行性,重点介绍了一种以８７５１系列单片计算机Ｗ７８Ｅ５１为主控芯片的点阵电路吸它的扩展性能并给出几种输入输出控制方案和编程的框架。     

关于工业时代晚期的生产空间文化

空间作为市场产品和生活品质的资源，具有双重角色。本文建立在作者另一篇文章的基础上：《地势的价值：东德的城市变革》，UDI（2005）10，115—136。该文以一含德国人的视角预设了欧洲的未来景象，首先假定那些由晚期工业情况产生的挑战没有对市场和社会力量的综合体发挥作用，那么最终的、有功能和空间区别的工业进程就会表现出非预期的现代化影响，并阻碍了促使城市可持续发展的结构变革。为了促进对生产空间的当代途径的现有认识，本文从两个论点展开论述：第一，空间被越来越多的人们看做是晚期工业经济的主要产品；第二，由于土地使用的工业模式不断退化，空间同样失去其价值。这篇论文根据对这种空间的有效贡献问题，检测了在他们的历史背景下的四个领域。这些领域被认为是对使用价值进行引导的相关部分，可以提供自欧洲现代运动之日起，对生产、维持和转化空间的文化的各种学科的理解。     

回热器对低温空气制冷系统性能影响的实验研究

随着环保问题的日益突出,空气制冷系统的理论和实验研究重新受到重视。通过对开式空气制冷系统的三种回热方案进行实验测试对比,分析了回热器对系统性能及除湿效果的影响。实验结果表明:与无回热的空气制冷系统相比,在相同的工况下,二级回热系统可大幅降低涡轮出口温度,最大降低约8.5℃,并可大幅降低涡轮进口的含湿量,最大降低约35%。同时一级回热系统和二级回热系统均可大幅增加系统的COP和制冷量,但一级回热器对涡轮进口含湿量的影响较小。     

无线资源数据集中化管理及数据质量管控研究

网络大规模建设需投入大量软硬件和基础设施资源,无线网络作为终端接入网络的重要环节,在建网和维护升级阶段涉及大量的资源投入.当前,资源管理线条缺少集中化管理手段,导致烟囱化管理,数据质量参差不齐,无法客观了解全网资源分布等问题.本文从无线资源统一数据模型的制定入手,实现数据集中化管理,进而分析如何提升资源数据质量,达到有...     

采用薄SiGe虚拟衬底制备应变Ge材料

This paper describes a method using both reduced pressure chemical vapor deposition （RPCVD） and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition （UHVCVD） to grow a thin compressively strained Ge film. As the first step, low temperature RPCVD was used to grow a fully relaxed SiGe virtual substrate layer at 500 ℃ with a thickness of 135 nm, surface roughness of 0.3 nm, and Ge content of 77%. Then, low temperature UHVCVD was used to grow a high quality strained pure Ge film on the SiGe virtual substrate at 300 ℃ with a thickness of 9 nm, surface roughness of 0.4 nm, and threading dislocation density of - 10^5 cm^-2. Finally, a very thin strained Si layer of 1.5-2 nm thickness was grown on the Ge layer at 550 ℃ for the purpose of passivation and protection. The whole epitaxial layer thickness is less than 150 nm. Due to the low growth temperature, the two-dimensional layer-by-layer growth mode dominates during the epitaxial process, which is a key factor for the growth of high quality strained Ge films.     

两相体系选择性合成3—乙氧基苯酚的研究

本文研究了间苯二酚与硫酸二乙酯在碱性条件下，于四氯化碳－水两相体系中，选择性合成３－乙搓在苯酚的反应。     

4－甲氧基－2－甲基溴苯的高选择性溴代合成

本文研究了通过３－甲基苯甲醚选择性单溴代合成４－甲氧基－２－甲基溴苯的合成方法并选择了较佳合成条件。