金刚石表面刻蚀技术研究进展

金刚石在量子信息器件、生物医药载体、生物传感器、高性能电极、化学分析传感器等诸多领域具有极大的应用价值,金刚石表面刻蚀技术是实现金刚石上述应用的关键所在。常见的刻蚀技术可根据刻蚀剂的物相分为熔盐刻蚀、气相刻蚀、固相刻蚀、气固相混合刻蚀、等离子刻蚀这五类。熔盐刻蚀是利用熔融离子化合物对金刚石表面进行刻蚀,其刻蚀机理主要是金刚石碳原子的氧化过程。气相刻蚀是利用氧气等气体与金刚石表面发生气固相反应,使金刚石中的碳原子变为一氧化碳等气态化合物进行刻蚀。气固相混合刻蚀主要是以镍、铂等金属作为催化剂,辅助氢气与金刚石发生反应生成甲烷,对金刚石进行刻蚀。固相刻蚀是金刚石合成的逆过程,主要用铁钴镍及其盐对金刚石进行催化石墨化,之后这些金属作为溶剂形成碳固溶体对金刚石进行刻蚀。等离子体刻蚀主要是用氧等离子体与金刚石发生反应,对金刚石进行刻蚀。文章着重介绍了这五种金刚石表面刻蚀技术近年来的研究进展,简要分析了这些技术的原理、特点与用途。     

渗铝304不锈钢不同实验方法的SCC敏感性评价

采用恒载荷试验方法及慢应变速率试验(SSRT)方法研究了渗铝304奥氏体不锈钢在沸腾42％MgCl2溶液中的应力腐蚀破裂(SCC)性能，分析了渗铝不锈钢SCC机理，讨论了不同试验方法对渗铝不锈钢SCC敏感性评价的影响．试验表明：渗铝处理可明显提高304钢抗SCC性能，其机理为渗铝层的环境遮断作用及对基体的电化学保护作用．两种方法在评价各种渗铝钢材料SCC性能方面有统一性：恒载荷试验中SCC敏感性指标σth高的材料，SSRT中SCC敏感性指标δi也相对较高．但两种方法中渗铝试样的断口形态表现出差异：恒载荷试验为穿晶型SCC断口，而SSRT无SCC断口特征，为韧性断口。     

CuCr25触头材料的喷射成形制备及其组织分析

研究了CuCr25合金的快速凝固喷射成形制备工艺，考察了喷射成形过程中各工艺参数对沉积坯件成形性的影响，观察和对比了喷射成形、真空熔铸和真空浸渗3种不同工艺制备的触头材料的显微组织。结果表明：喷射成形制备的材料具有典型的快速凝固组织，合金化状况良好，微观组织均匀，Cr析出相细小并弥散地分布在Cu基体中，Cr颗粒尺寸大约为3～10μm。这将大幅度提高材料的耐电压、抗电击穿等电学性能。     

室温脱钴对PCD微观结构及力学性能的影响

为提高PCD使用过程中的热稳定性,选用硫酸-过氧化氢混合溶液在室温下对PCD进行脱钴处理,研究其脱钴机理及脱钴对PCD微观结构及力学性能的影响。通过SEM观察到PCD在室温脱钴48 h后表面出现较大深度的腐蚀坑,钴相基本被去除,上下表面脱钴深度分别为176 μm和162 μm;通过EDS可确定脱钴层剩余钴的质量分数为0.93%,而未脱钴层钴的质量分数为7.64%,表明87.83%的钴在实验中被硫酸-过氧化氢混合溶液溶解而去除。对PCD样品进行残余应力测量,脱钴之前的残余压应力为483.91 MPa,脱钴之后的残余压应力为330.35 MPa,后者相对前者减少31.73%,说明脱钴可以有效降低PCD内部残余压应力。      

聚氨酯浇注弹性体的合成研究

采用2种不同的预聚体合成方法制备聚氨酯浇注弹性体,并对其性能进行了测试。结果表明,分步加入扩链剂乙二醇的预聚体合成工艺所得浇注聚氨酯弹性体的拉伸强度比一次性加入乙二醇的预聚体合成工艺所得浇注聚氨酯弹性体的拉伸强度提高了70%左右,而伸长率变化不大。同时研究了这2种制备工艺对材料动态力学性能的影响。并探讨了不同R值及配方中交联剂用量对聚氨酯浇注弹性体力学性能的影响。     

PcBN刀具TiN涂层制备及性能研究

通过JCP-350M2高真空多靶磁控溅射镀膜机,采用直流磁控溅射的方法,在PcBN刀具表面沉积TiN涂层。通过SEM、XRD等方法分析N2流量、Ar流量、温度、电流等参数变化对TiN涂层表面形貌、物相组成、涂层厚度和显微硬度的影响,找出制备TiN涂层的优化参数。     

冲孔桩成桩后检测桩底存在溶洞的处理方法

冲孔桩桩基检测抽芯时，在桩底规定深度范围内的基岩发现有溶洞存在，即判定该桩为不合格桩，必须进行工程处理，本文介绍根据工程具体情况的几种处理方法，供同行参考。     

基于CFD模拟的巷道风速监测值修正处理

利用CFD软件对矿井巷道的风流场进行了三维数值模拟,揭示了不同形式巷道风流速度分布特征,分析了监测点风速与平均风速的关系,确定了风速监测数据修正系数,为矿井利用传感器准确监测巷道风量提供了有力保障。     

地下连续墙接头形式的探讨

对地下连续墙槽段接头接头形式进行探讨和分析,供施工人员参考。     

Robust H_∞/LTR State-Feedback Synthesis Method

ＲｏｂｕｓｔＨ_∞／ＬＴＲＳｔａｔｅ－ＦｅｅｄｂａｃｋＳｙｎｔｈｅｓｉｓＭｅｔｈｏｄ￥（翁正新）（王广雄）ＷＥＮＧＺｈｅｎｇｘｉｎ；ＷＡＮＧＧｕａｎｇｘｉｏｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＣｏｎｔｒｏｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＨａｒｂｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴ?..