采用楔形连接波导和自对准反射镜的8×8阻塞型热光开关

通过改进热光开关单元和全内反射镜,设计并制作了基于SOI材料的8×8阻塞型热光开关矩阵.开关设计中,在单模波导和多模干涉耦合器之间引入楔形连接波导并进行优化,增大单模波导与多模波导之间的耦合效率,减小开关单元的损耗.此外,采用自对准方法提高了全内反射镜的光刻容差.开关矩阵各端口的平均插入损耗约为21dB,单个反射镜引起的附加损耗约为1.4dB,串扰少于-21dB.实验结果说明新设计改善了开关器件的整体特性,与理论分析一致.     

聚吡咯纳米线的合成及热稳定性研究

以阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为软模板,磷酸(PA)、苯甲酸(BA)和乙酸(EA)为掺杂剂,通过化学氧化法合成了直径为40～90 nm的聚吡咯(PPy)纳米线,通过热重分析(TGA)系统地研究了有机酸(BA,EA)、无机酸(PA)、CTAB和PA的浓度以及反应温度对PPy纳米线热稳定性的影响,同时对形成机理进行了探讨。结果表明,刚性结构的有机酸和多元无机酸掺杂的PPy纳米线的热稳定性最好。     

打磨对金属磁记忆检测的影响

因为漆层、氧化层会给检测带来不利影响,所以超声检测、磁粉检测或渗透检测实施前一般都要求进行打磨。研究了打磨对金属磁记忆检测的影响并进行了探索性试验。得出表面氧化皮对金属磁记忆信号具有一定的干扰性,打磨在一定程度上有利于金属磁记忆检测的结论,对磁记忆检测有一定参考意义。     

酸水解蛋白质调味液安全生产工艺研究

该文介绍了酸水解蛋白质调味液安全生产工艺,并对各工艺条件进行了详细讨论。最佳工艺为以豆粕为原料,采用5%的盐酸溶液在80℃~90℃条件下,水解18h,中和至pH值为6,然后添加适量的炒麸皮、豆粕,接种沪酿3.042米曲霉制曲、发酵。此工艺生产的产品中氯丙醇含量低于各国标准,且酱香浓郁、味道鲜美。     

羟丙基-β-环糊精的制备与表征

对β-环糊精在碱性条件下与环氧丙烷反应制备羟丙基-β-环糊精的工艺进行了优化。通过单因素试验确定了反应温度、反应时间、氢氧化钠浓度3个试验因素的取值范围,并用正交试验法分析确定了最佳工艺参数：反应温度30℃、反应时间40h、NaOH浓度10%。据此工艺参数制得HP-β-CD的取代度为4.1090,得率81.29%。     

大粒径碎石沥青混合料施工离析控制技术

大粒径碎石沥青混合料(Large-Stone Asphalt Mixes,简称LSAM),一般是指矿料的最大公称粒径大于25mm,最大可达63mm的混合料。级配良好的LSAM具有较好的抗车辙能力;减少沥青用量,降低工程造价;一次性摊铺厚度大,减少施工工序,缩短工期;沥青层内部储温能力高,热量不易散失,利于寒冷季节     

化学复合镀(Ni-Co-P)-MoS2自润滑镀层的研究

研究了化学复合镀(Ni-Co-P)-MoS2自润滑镀工艺过程.讨论了各因素对(Ni-Co-P)-MoS2镀层性能的影响,得到较好的工艺条件:施镀时间2 h,温度90℃,pH值5,MoS2 8 g·L-1,CoSO4和NiSO4的摩尔比1:1.镀层表面微粒分布均匀,自润滑性能较好.     

奥氏体不锈钢涡流阵列C扫成像检测技术的仿真研究与应用

为了解探头设计参数对涡流阵列C扫成像效果的影响和涡流阵列C扫成像检测技术对奥氏体不锈钢材料典型缺陷定性能力,采用CIVA软件仿真方法建立奥氏体不锈钢试样上平底孔、刻槽试样的涡流阵列C扫模型,研究涡流阵列探头的设计参数如探头工作模式、线圈外径和阵列排数对涡流阵列C扫成像的影响,并通过试验分析了裂纹、圆形缺陷等典型表面开口缺陷的涡流阵列C扫成像特征。结果表明,对于涡流阵列探头,绝对发射-接收式工作模式对缺陷方向敏感,不利于涡流阵列C扫成像,而绝对桥式工作模式对缺陷不敏感,有利于涡流阵列C扫成像;涡流阵列探头的线圈外径越小,阵列排数越多,涡流阵列C扫成像的纵向分辨力越小,更有利于涡流阵列C扫成像;奥氏体不锈钢均匀表面对涡流阵列C扫成像技术干扰少,涡流阵列C扫成像技术能够反映表面开口缺陷形状特征,可在一定程度上对表面开口缺陷进行定性。     

对交联聚乙烯绝缘电缆附件的探讨

针对目前与交联聚乙烯绝缘电缆配套的附件状况,分析了热缩附件、预制式附件、冷缩附件、冷缩预制式附件的优缺点,指出,冷缩预制式附件与交联聚乙烯绝缘电缆配套是最理想配套方式。