核壳结构污泥基陶粒对抗生素的吸附机理研究

随着城镇化的不断发展,污水处理厂剩余污泥的处置形势严峻。污泥具有结构疏松,孔隙率大,比表面积大等特性,将其作为主要基体,蒙脱石为黏结剂,辅以粉煤灰为助剂,制备一种核壳结构的污泥基陶粒,并以盐酸四环素作为处理对象检验其吸附性能。结果表明,当蒙脱石的掺量为20%时,污泥陶粒的内核具有疏松的大孔结构,外壳具有致密的微孔结构,S_BET为49 160 cm²/g。污泥陶粒对盐酸四环素的最大吸附量为7.95 mg/g,其吸附过程遵循准二级动力学模型和Freundlich等温吸附模型。扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS)显示,核壳结构的污泥陶粒主要是靠内核的大孔结构发挥吸附作用,大孔结构提供充足的吸附空间;外壳的微孔结构发挥扩散作用,微孔结构为盐酸四环素扩散提供孔隙通道。     

AZ61镁合金热压缩变形组织研究

在gleeble 1500D热模拟试验机上以应变速率为0.01 s-1和1s-1,变形温度为350℃和400℃,对AZ61镁合金热压缩变形,并对变形试样显微组织进行了研究。结果表明:热变形过程中发生了不同程度的动态再结晶,得到不完全再结晶组织。变形温度和应变速率对再结晶程度、再结晶晶粒尺寸均匀性有明显影响;以较低的温度配合高的应变速率,热变形后发生再结晶晶粒均匀细小;变形温度高且应变速率高时,发生动态再结晶的区域变小,再结晶晶粒尺寸偏大且极不均匀,低温高速热变形有利于获得均匀细小的再结晶组织。     

经济、高效、实用的双滚轮弯管机的研制

在工业锅炉制造、机械安装等行业,弯管机已成为不可缺少的专用设备,其需求量日趋增大。目前国内生产的很多弯管机都存在制造成本高、售价高的特点,且弯制出的钢管质量成形“R”不标准,椭圆度有的超过标准要求。此外,从功能特性上看,正弧与反弧不圆滑,过度弯曲;从生产工艺上讲,弯制钢管时要在管内加同步牵引芯子,管外还要加滑块,才能弯制出合格的弯管．     

成都华侨城大剧院暖通空调设计

本文主要内容为成都华侨城暖通空调设计探析。文章首先介绍了工程概况,并给出了相关设计参数;随后分别介绍了全空气空调系统设计、变制冷剂流量多联分体式空调系统设计、空调水系统设计;观众厅采用座椅下送风,上侧回风方式以及入口门厅、台仓、舞台空调送风方式设计;过渡季节全空气空调系统采用全新风运行设计;防排烟系统的设计。     

单质碘、碘酸根和碘离子的吸附研究进展

本文综述了单质碘、碘酸根和碘离子吸附的最新研究进展,对吸附机理进行了详细讨论.活性炭和有机聚合物是单质碘比较有效的吸附剂,吸附主要靠疏水作用和络合作用来实现.碘酸根的吸附主要靠酸碱作用来实现,由于碘酸根不易与吸附剂产生特异的强相互作用,因而缺乏选择性好的碘酸根特效吸附剂.碘离子被吸附时主要靠化学反应和静电作用,将单质银...     

盐湖卤水冬季析硝制备高纯元明粉工艺研究

以NaCl-Na2SO4-H2O三元水盐体系相图为理论指导,对东台吉乃尔盐湖冬季析硝进行了无水硫酸钠提纯工艺研究。对无水硫酸钠粗产品制备过程中的恒温搅拌时间、加水量等工艺条件进行了优化。设计了以冬季析硝为原料生产高纯元明粉产品的整个工艺路线,为综合开发利用盐湖资源提供基础数据。     

摆线齿准双曲面齿轮模拟加工系统建模

简单介绍摆线齿准双曲面齿轮模拟加工系统,以左旋小齿轮模块为例,利用AutoCAD 2006的二次开发工具VBA对摆线齿准双曲面齿轮模拟加工系统三维建模过程进行详细阐述,主要包括齿轮坯实体的构建和铣齿刀盘实体建模.采用摆线齿准双曲面齿轮模拟加工系统中的AKM-852铣齿机加工出10齿左旋小齿轮实体,为摆线齿准双曲面齿轮的优化设计和加工奠定理论基础.     

螺栓底座裂纹分析

本文分析了飞机前襟翼作动筒连接螺栓底座表面裂纹的形成原因。对底座表面裂纹形貌以及渗层组织进行了观察,并且对螺栓的化学成分以及硬度进行了测定。结果表明,螺栓底座的表面裂纹为渗碳层裂纹,该裂纹性质为疲劳裂纹,裂纹起始于微动腐蚀形成的表面点蚀坑。采用显微硬度法检查渗碳层深度为1．2mm,超过了渗碳层深度的设计要求（0．6—1mm）。分析认为,螺栓底座表面裂纹的形成与渗碳层深度超标有关,而微动磨损产生的点蚀坑促进了渗碳层疲劳裂纹的萌生。     

表面修饰二氧化硅微球的制备、表征及分散性能

采用一步法制备了亚微米纯二氧化硅微球及8种有机硅表面修饰的二氧化硅微球,用扫描电镜、氮吸附、零电荷点测定等方法对微球进行了表征,对比研究了微球在不同介质中的分散性能。所有微球都呈球形,形貌较好,依表面修饰基团的不同,粒子直径在0.42~0.54nm之间。所有微球均为实心,比表面积均小于21m2/g。微球的零电荷点在8.25~8.93之间变化。粒子经过表面修饰后,在不同介质中表现出了不同的分散行为,微球的分散行为可以由微球的亲水及疏水性,以及DLVO理论得到基本解释。