首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   152篇
  免费   24篇
  国内免费   1篇
工业技术   177篇
  2024年   2篇
  2023年   4篇
  2022年   2篇
  2021年   2篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   10篇
  2015年   9篇
  2014年   18篇
  2013年   14篇
  2012年   9篇
  2011年   10篇
  2010年   6篇
  2009年   11篇
  2008年   12篇
  2007年   15篇
  2006年   10篇
  2005年   1篇
  2004年   10篇
  2003年   8篇
  2002年   4篇
  2001年   3篇
  1999年   2篇
  1995年   5篇
  1993年   3篇
  1989年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有177条查询结果,搜索用时 31 毫秒
141.
为NPN型功率管的降压型开关电源芯片设计了一种驱动电路。针对功率管工作在导通状态下的导通损耗和在开关状态转换中的开关损耗,设计了自举电路,使功率管饱和;设计了加速电路,缩短了功率管状态转换所用时间,降低了功率管损耗。在2 μm双极型工艺下进行仿真,结果显示,功率管工作在饱和区,导通损耗小,开关转换速度快,可满足高开关频率的要求。  相似文献   
142.
范国亮  张国俊 《微电子学》2016,46(3):289-292
针对低压低功耗条件下传统电流镜运算放大器电压增益和摆率严重降低的问题,提出了一种新型增益提升和摆率增强的CMOS电流镜放大器,并对其小信号增益和摆率进行了详细分析。理论分析表明,在不影响单位增益频率和相位裕度等小信号特性的同时,极大地提高了增益和摆率。仿真结果表明,与传统的CMOS电流镜放大器相比,该新型CMOS电流镜放大器的增益提高了15 dB,正、负摆率分别提高到传统放大器的146倍和187倍。  相似文献   
143.
阐述了亲和膜拆分技术,包括亲和超滤、纳滤、电渗析、渗析及渗透汽化等在手性拆分领域的应用,对基于对映体间亲和性差异的手性选择膜及基于"形状记忆"的分子印迹拆分膜的最新进展进行了综述,并就今后的发展方向提出建议。  相似文献   
144.
近日,徐工筑路机械有限公司第一台XM50型路面铣刨机顺利完成装配,进入出厂前的调试阶段,标志着徐工铣刨机家族又增添了一位新成员。  相似文献   
145.
信义会馆——从工业遗产到创意产业园的探索实践   总被引:1,自引:0,他引:1  
拜盖宇  张国俊 《华中建筑》2010,28(11):64-66
在工业遗产的再利用模式中,改造为创意产业园的模式以其灵活实用的特点,在很多城市得到了普遍的推广和应用。近几年,各种类型的创意产业园在我国发展迅猛,但同时也存在着一些问题。广州的信义会馆采用了开发商主导的模式,注重商业运作,避免了早期创意产业园出现的种种问题,取得了较好的社会、经济和文化效益,对工业遗产改造为创意产业园模式的发展进行了成功的探索。  相似文献   
146.
“谋求与客户共同发展”是日立建机一向的经营理念。公司自进入中国市场以后,就以此为经营准则。截至目前,日立建机已在中国市场销售4.5万多台高品质的液压挖掘机产品,其产品依靠“技术独创、人机和谐”的特点,在为客户创造价值的同时,也为环保事业做着贡献。  相似文献   
147.
以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积(LF-PECVD)方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。在薄膜沉积过程中,工艺参数将会影响非晶硅薄膜的沉积速率和光学性能。通过反射式椭圆偏振光谱仪(SE)研究了SiH4气体流量、工作压强和衬底温度等条件对氢化非晶硅沉积速率和光学性质的影响。实验结果表明,氢化非晶硅沉积速率随着SiH4流量、工作压强和衬底温度的改变而规律地变化。相比于SiH4流量和工作压强,衬底温度对折射率、吸收系数和折射率的影响更大。各工艺条件下所制备的非晶硅薄膜光学禁带宽度在1.61~1.77eV。  相似文献   
148.
本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5~8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求.  相似文献   
149.
介绍一种采用双极工艺适用于低压差线性稳压源的带隙基准设计,基准具有使能电路,有效减小锁定状态下的静态功耗,锁定状态下静态电流为34.419pA.针对低压差线性稳压源的应用环境要求,对基准工作温度范围内进行分段曲率补偿技术以降低其温度漂移.-40C~140℃温度范围内基准电源的温度系数达到25.7ppm/℃.该基准无运放,以降低运放失调电压的影响,其电源抑制比为-80.33dB.电源电压在2.5V~6V变化时,基准大小变化0.3mV.  相似文献   
150.
化学工程是一门有着丰富内涵的学科。近年来,化工与化学学科交融,与能源、环境、生物、材料等学科的交叉越来越广泛,在基础研究领域呈现良好的发展态势。化工学科的基金申请和资助数量稳步增长,在为从事化工基础研究的科研工作者提供发展机遇的同时,也对基金管理工作提出了新  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号