分形图形在包装CAD中的应用研究

在以电子计算机为代表的现代信息技术的发展中,计算机辅助设计和辅助制造(CAD/CAM)已成为一个最有实际经济价值的新技术之一.     

扎波罗热钛镁联合企业的半导体硅与锗的生产技术状况

扎波罗热钛镁联合企业具有３０余年的半导体生产历史，拥有从原料制备，单晶生长到成品加工的系统工艺，该厂生产规模较大，技术水平高，还有强大的研究开发与检验测试组织。     

32OH场强仪检修一例

故障现象:在以下各频段频率显示如下: FM 90M—120M 正常值85M—117M; VHF(LOW) 56M—220M 正常值45M—178M; VHF(H1GH) 440M—660M 正常值153M—455M; UHF 660M—980M 正常值449M—863M。与正常值相差甚远,且在FM、VHF(LOW)、VHF(H1GH)、UHF的任一段,不论40dB、20dB衰减开关是否打开,表头总有停在中间段的指示,扬声器总有噪声。 检查维修:打开机壳,取出机芯,可以见到除电解电容、按键开关、电位器、高频头等     

江苏省可持续建筑节能墙体可选择的新材料新技术

江苏省墙体材料革新与推广节能建筑已经历3个五年计划,为可持续建筑发展创造了一定的条件。根据国家及江苏省的有关墙改政策及与时俱进的原则,将省内生产的具有一定规模的新材料和节能新技术进行归类介绍。     

iPanel交互电视亮相高交会带给用户“十尺体验”

在备受业界瞩目的第八届高交会上的一个展厅里。深圳茁壮网络公司的员工正在通过遥控器。让用户轻松地看电视、玩游戏、上网。体验丰富的数字化内容。这就是该公司iPanel交互电视带给用户的“十尺体验”。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

管内周期性自旋流的强化传热实验

对间隔插入旋流片管内周期性自旋流的传热与流阻性能进行了实验研究,并比较了4种类型的旋流片及其不同旋流片间距的强化传热性能。结果表明,最佳旋流片间距Lp均在33d左右,旋流片强化传热的综合效果从大到小依次为:旋转角α=180°及旋流角β=20.3°的旋流片、旋转角α=270°及旋流角β=20.3°的旋流片、旋转角α=180°及旋流角β=38.1°的旋流片、旋转角α=270°及旋流角β=38.1°的旋流片。