全文获取类型
收费全文 | 562篇 |
免费 | 19篇 |
国内免费 | 27篇 |
学科分类
工业技术 | 608篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 13篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 15篇 |
2020年 | 26篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 15篇 |
2017年 | 13篇 |
2016年 | 15篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 42篇 |
2013年 | 42篇 |
2012年 | 44篇 |
2011年 | 44篇 |
2010年 | 37篇 |
2009年 | 36篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 23篇 |
2006年 | 17篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 13篇 |
2003年 | 20篇 |
2002年 | 19篇 |
2001年 | 16篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 13篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 3篇 |
1988年 | 3篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有608条查询结果,搜索用时 15 毫秒
591.
针对短时TEO能量算法抗噪性差的缺点,提出了一种强噪声下的端点检测新算法.该算法在短时TEO能量端点检测的基础上,增加Mel倒谱距离判断环节,采用先粗判后精判的互补性两级判决机制.首先利用强抗噪性Mel倒谱距离进行端点粗判,然后再利用体现语音信号时域特征与语音共振峰特性的短时TEO能量进行端点精判.实验表明,在信噪比相对较低的环境下,该改进算法与传统的双门限法和短时TEO能量相比,在没有增加运算复杂度的同时提高了检测系统的准确度. 相似文献
592.
周萍 《常州信息职业技术学院学报》2017,(4):85-87
高职院校在创新创业教育中既要重视创新创业型人才的培养,又要注重对国外发达国家高校创业教育的先进理念的引进,以及有益的经验、方法和模式的借鉴,从整体上提升创新创业教育的质量。高职院校创新创业教育的对策包括:树立全新的思想观念、认真比较梳理和借鉴国外高校创业教育的经验、重视创新创业教育师资队伍建设和注重创新创业教育考核评价机制的建立。 相似文献
593.
594.
595.
<正>2019年8月2日,中国建筑设计管理创新高峰论坛之第一届"媖娴武略"主题沙龙在沈阳隆重召开。恰逢新中国成立70周年前夕,70年来国家取得今天的成就建筑设计行业功不可没,女建筑师(工程师)们为行业做出了杰出的贡献。本次沙龙旨在从行业的角度,为所有奋战在建筑设计一线的女建筑师、女工程师们表示崇高的敬意,表达 相似文献
596.
[目的]研究西归黄酮体外抗氧化活性.[方法]分别采用水杨酸比色法、邻苯三酚自氧化法和DPPH法测定和评价西归黄酮体外抗氧化的效果, 以抗坏血酸作为对照.[结果]西归黄酮能较好地清除羟自由基、超氧阴离子自由基和DPPH自由基.[结论]西归黄酮具有较好的体外抗氧化活性. 相似文献
597.
Nanoscale refinement on a (100) oriented silicon-on-insulator (SOI) wafer was introduced by using tetra-methyl-ammonium hydroxide (TMAH, 25 wt%) anisotropic silicon etchant, with temperature kept at 50 ℃ to achieve precise etching of the (111) crystal plane. Specifically for a silicon nanowire (SiNW) with oxide sidewall protection, the in situ TMAH process enabled effective size reduction in both lateral (2.3 nm/min) and vertical (1.7 nm/min) dimensions. A sub-50 nm SiNW with a length of microns with uniform triangular cross-section was achieved accordingly, yielding enhanced field effect transistor (FET) characteristics in comparison with its 100 nm-wide pre-refining counterpart, which demonstrated the feasibility of this highly controllable refinement process. Detailed examination revealed that the high surface quality of the (111) plane, as well as the bulk depletion property should be the causes of this electrical enhancement, which implies the great potential of the as-made cost-effective SiNW FET device in many fields. 相似文献
598.
599.
600.