长沙市土地利用动态监测研究

城市的建设和发展是社会进步的重要标志,城市扩展的空间数据是评估城市化进程的一个重要指标.利用长沙市1986年航片、1991年TM、1996年TM、1999年ETM SPOT、2002年QuickBird和2004年SPOT影像等6个时相的遥感数据以及地形图等数据,再结合人机交互目视解译方法,得出了5个时段的土地利用变化信息,提取了城市扩张的边界信息.最后,通过分析不同时段的扩展速率和占用地类的情况,编制了"长沙市建城区扩展玫瑰花图",这对城市发展可以起到长期的监测与预测作用.     

MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较

用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求.     

离子注入法制备GaAsl量子阱集成多波长发光芯片

报道了用离子注入方法和组合技术制备的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱果面混合原理在同一块ＧａＡｓ衬底片上获得了２０多个发光波长从７８７￣７２４ｎｍ的ＧａＡｓ量子阱发光单元,研究了不同剂量的Ａｓ和Ｈ离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组事技术和离子注入技术大大筒化了制备工艺过程,这种上发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义     

质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整

摘要　本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5×10     

基于AutoCAD2000的辅助矿山地质制图系统的设计与实现

CAD技术在矿山地质制图中有广泛的应用前景,文中以AutoCAD2000为基础平台,就建立辅助矿山地质制图系统进行了概要设计,并讨论了实现系统的一些关键问题。     

浅析应用软件上下文帮助的制作--以HTML Help Workshop为例

介绍了应用软件帮助文档出现过的主要格式;以HTML Help Workshop为例归纳了应用软件帮助文档设计和制作的思想和方法,尤其是上下文敏感帮助的设计与制作,并对如何在用VB 6.0开发的应用程序中引用帮助文件进行了讨论.     

关于赋Luxemberg范数Orlicz序列空间l_M的一致正规结构

讨论了赋Ｌｕｘｅｍｂｅｒｇ范数的Ｏｒｌｉｃｚ序列空间ｌ＿Ｍ具有一致正规结构（ＵＮＳ）的判据，主要结果是：Ｌ＿Ｍ具有     

城市土地利用演化仿真模型系统软件设计与实现

城市土地利用演化仿真模型(CFCA-Urban)对于理解城市土地利用演化的发展规律和特征,指导城市决策者的实际工作具有重要的意义。文中对原有模型思路进行了扩展,并运用GIS技术将模型思路进行了软件实现。客观而言:实证预测结果并不能作为深圳特区城市发展的精确预测,而是提供了一种大致的可能性。模型思路虽做扩展,但CFCA-Urban模型也还处于尝试性研究阶段,模型的精度和真实性尚待提高,留下了巨大的后续研究空间。     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究

本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．     

GaAlAs薄膜和GaAs的热微分反射光谱

本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构，这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起．研究表明这种微分光谱具有简单易行，不破坏样品等特点，并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度．