二维视觉测量中边缘数据的快速拼接方法

本文采用多视觉测量系统中标定板上的共有标志块,求出一条直线和一个点,实现在物理坐标下用一点一线法对目标边缘数据的拼接.通过实验验证,该方法能够对多视觉传感器二维测量中的数据实现快速拼接,满足大范围、高精度、快速的测量需求.     

激光和等离子体混合法氮化钛表面

采用激光和氮等离子体混合方法在大气气氛下对钛样品表面进行处理,获得了钛氮化合物表层.利用X射线衍射仪(XRD)对氮化处理后的样品测试,得到了样品的相结构.分别使用该方法与普通激光氮化方法,在相同条件下对样品表面进行氮化处理,结果表明通过混合方法提高了氮化物含量,并有效地抑制了氧化发生.讨论了氮等离子体流量对混合法氮化效果的影响.随着氮等离子体流量的增加,氮化物含量增加;但是当氮等离子体流量＞0.8m3/h后,氮化所需活化氮达到饱和,氮化物含量不再增加.     

力-磁-环境耦合作用下超磁致伸缩材料TbDyFe表面畴变的观察

就TbDyFe超磁致伸缩材料在应力、磁场和环境耦合作用下的表面畴变进行了研究。主要利用光学显微镜及其微分干涉相衬显微（Differential Interference Contrast，DIC）系统，并自行设计搭建了恒磁场试样台和环境试验箱，由此实现了对应力、磁场及环境作用下材料表面磁畴变化的原位跟踪研究。     

BA-MMA-AA三元共聚物和TPT复合改性纳米Si3N4粉体研究

采用自制的BA-MMA-AA三元共聚物和四异丙氧基钛（TPT）对纳米Si3N4进行表面包覆处理,利用红外光谱分析、TEM、粒径分布、接触角等手段进行表征,结果表明：在纳米Si3N4粉体的表面包覆了有机物,并与其发生了化学作用,有效地阻止了纳米Si3N4粉体的团聚;处理过的Si3N4粉体粒径明显减小,在有机溶剂中的分散稳定性显著增加,表面自由能明显降低,改善了纳米Si3N4粉体在聚合物基体中的分散。     

新媒体艺术中的数字影像：新媒体艺术中的数字影像

新媒体的概念可以以追溯到西方六七十年代的录像艺术，而在中国，新媒体艺术从一开始就和影像艺术密不可分。1990年，当德国汉堡美院的Migka教授将一批录像艺术作品展示给浙江美院（现中国美院）的师生时，中国人心中关于影像的印记还留存于传统的官方意识之中，直到1996年邱志杰和吴美纯在中国美术学院画廊策划了名为《现象与影像》的中国第一次录像艺术展，中国的艺术家们才向世人展示了十几件录像装置和几个录像带制作的作品，但是紧接着，全国开始涌现数个录像艺术展览，各种传统形式的艺术家开始投身到动态影像的艺术形式中。[编者按]     

空心玻璃微珠表面包覆Ni-P／Co-Fe-P复合镀层的研究

通过化学镀在空心玻璃微珠（HGM）表面沉积了镍磷合金颗粒镀层，利用偶联取代传统的粗化处理，结合适当的镀覆工艺实现了镀层与微珠的紧密结合并达到了均匀完整包覆；在此基础上，进行了镍磷镀层表面湿化学还原法包覆钴铁合金的研究。利用扫描电子显微镜、X射线能谱仪、X射线衍射仪及振动样品磁强计对包覆层的形貌、组成、晶体结构和改性后微珠的静磁性能进行了分析测试。结果表明，复合镀层由非晶态合金组成，其中镍磷镀层为单层颗粒膜，而后续沉积的钴铁合金镀层呈条带状生长于镍磷镀层表面；沉积钴铁合金后微珠的磁性有了明显改善。     

新一代纳米级器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device

介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device对基于Sentaurus Process生成的一个90nm NMOS器件进行了器件物理特性仿真,并给出了相应结果。     

[酷耳机]12款极品耳机

也许你已经拥有了一个够炫的iPod，但是音质够完美吗？耳机是否足够有个性？你是否对音乐的音质有着至高的要求？你是一个音乐发烧友吗？来看看下面的这些耳机吧，它们的威力足够猛，选一款来感受顶级的听音效果吧!     

线形结构的ZnO生长与光致发光特性研究

采用模板生长法在Si衬底上制备了具有线形结构的ZnO。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、AFM、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的线形ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，线宽度大约为1μm，长度约10-30μm，具有良好的发光特性。我们对这种线形结构的形成作了推测。     

铜掺杂多孔硅的光致发光及其载流子的复合过程

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。