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NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
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南方多数谷氨酸发酵厂大都采用大米制糖,近几年由于杂交米种植的推广和普及,原先工业上使用的早米,由于各种原因,正逐步被品质优、产量高的杂交米所取代,原先的早米、蛋白质含量低,基本上都是直链淀粉,淀粉含量70%左右。现在的杂交米的蛋白质含量增高,淀粉含量也高,…… 相似文献