基于主成分分析的中早熟苹果脆片品质评价

为研究不同品种苹果脆片的品质差异,测定了15个中、早熟品种苹果脆片的16项品质指标。采用主成分分析方法对苹果脆片品质进行客观评价,得出苹果脆片品质的综合得分并排名。试验结果表明品质最好的苹果脆片品种是"伏红",其次为"I12-10"和"褐色凤梨",品质最差的品种为"未希生命"。     

侧限压缩条件下原状黄土变形计算方法的探讨

土体的结构是其强度、变形的内在的决定因素.黄土是一种典型的结构性土,其结构性由黄土颗粒之间的联结结构强度和摩擦结构强度所决定,由此,提出基于变形条件的黄土结构性参数即联结结构变形势参数mp1、摩擦结构变形势参数mp2以及结构变形势参数mp,分析黄土的结构性参数的变化规律,提出了考虑黄土结构性的侧限压缩条件下原状黄土变形的计算方法,并给出了用于沉降变形分析所需的计算参数.     

高清机房改造案例分析

介绍了对标清演播室的高清化改造中,视频系统和音频系统的设计和主要设备选型及功能特点。改造后的演播室采用了高标清节目兼容制作的系统,具有体育赛事、新闻、文艺等节目的配音录制、编辑包装、直播和延时功能。     

A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤),

本文提出了一种超低比导通电阻(R_on,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,R_on,sp为0.985mΩ.cm₂。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的R_on,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的R_on,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。     

电站设备部件铜及铜合金钢的焊接

铜及铜合金的导热性比钢好得多,铜的导热系数是钢的7倍,随着温度的升高,导热性更好。焊接时大量的热被传导出去,焊件局部难以熔化,必须采用功率大、热量集中的热源,有时还需要预热。当温度超过300℃时,铜极易氧化,大大降低了焊接接头的力学性能,所以铜的焊接接头的性能一般低于焊件本身。通过多年实践经验,就此类有色金属的焊接方法、材料选择、焊接时易出现的问题提出了一些具体解决方案。     

非标准情况下衰荡光谱的理论分析

本文研究了当激光脉冲线宽远大于被测吸收物质的吸收线宽时,衰荡光谱满足的规律,以及在这种情况下,测量灵敏度的大小。     

受激布里渊散射的阈值效应

本文讨论了受激布里渊散射的阈值效应对后向受激散射光（泵浦光的相位共轭波）线宽、发射角、脉宽、能量集中度的影响,利用其阈值效应可以获得一个面积尽量小的共轭光斑。     

聚合物光纤及其应用

本文综述国内外聚合物光纤的最新进展 ,介绍降低聚合物光纤损耗的氘化和氟化的方法 ,提出宽带的梯度折射率聚合物光纤 .分析聚合物的光学特性 ,报道功能聚合物光纤、聚合物光纤的无源和有源器件的研究 .     

无机膜在工业废水处理中的应用与展望

对无机膜在工业废水处理领域的技术进展和应用现状进行了较全面的综述,由于材料特性所决定,无机膜将在苛刻条件下的废水处理领域中发挥重要的作用,无机膜集成技术的应用也将受到重视。