论现代写作学的理论来源与学术进展

<正> 20世纪的中国写作理论“实现了从‘传统’到‘现代’的转变”。这一伟大的转变包含了两次质的飞跃:一次是20年代由贵族化的文言文作法向平民化的白话文作法的飞跃,它揭开了悉心营造现代文章理论的新纪元;一次是80年代由静态化的文章研究为主向动态化的写作研究为主的飞跃,它开创了自觉建设现代写作学科的新时期。它们是现代写作学同一发展过程的两个阶段。 对此,论者评说不一本属正常。但有两种见解关系到学科的生存与发展,实有辨明之必要。一种是对第一次飞跃持否定态度的“无根”论,断言现代写作学“不服中国水土”;另一种是对第二次飞跃持怀疑态度的“无学”论,认为现代写作学不过是“写作知识升格”。     

JPEG2000编码中EBCOT编码器的设计

为了实现符合JPEG2000标准的图像压缩编码器的设计,提出了基于JPEG2000的优化截断的嵌入式分块编码(EBCOT)的VLSI结构,在该结构中采用过程并行处理的方法对位平面上的三个过程并行处理。相对于过程顺序处理方法,过程并行处理对内部状态变量存储器容量的需求降低了1/5,同时处理速度得到很大提高,能达到整个JPEG2000编码系统实时处理的要求。     

永磁电机谐波功率抑制研究

针对永磁电机谐波功率过大会导致电机损耗增加,发热严重的问题,在电机控制策略上,采用增加调制比和调制深度的方法,降低永磁电机谐波功率。进行不同调制比和调制深度的试验,试验结果表明,增加调制比的同时增加调制深度,能够显著降低谐波功率,减少电机损耗,改善电机发热严重的问题。     

基于线性回归理论的数控机床精度检测研究

数控机床精度检测对工业化生产具有一定影响,传统的数控机床精度检测方法通用性较差,且适用范围具有较大的限制性,检测结果存在较大误差。提出基于线性回归理论的数控机床精度检测方法设计。首先,获取数控机床各个部件之间的连接关系,构建精度检测模型;其次,根据数控机床几何误差大小变化,计算误差函数表达式;最后,结合线性回归理论,实现数控机床空间几何误差的精度检测。实验证明,此种精度检测方法的空间误差平均值较稳定,检测结果与实际空间误差之间的偏差较小,有效提高了数控机床的检测精度。     

600MW超临界湿冷机组无电泵启动应用分析

文章通过总结国能孟津热电有限公司一期2×600MW超临界湿冷机组直接采用汽动给水泵冷态启动过程,分析超临界湿冷机组采用无电泵启动方式的可行性及具体操作方法,探讨采用无电泵启动方式存在的问题以及对机组启动期间厂用电的影响。以此进一步优化机组启动方式,在提升机组启动安全性的同时,降低机组启动电耗及成本,提升机组经济水平。     

铜陵凤凰山铜尾矿库区凤丹种植地土壤酶活性研究

[目的]了解铜陵凤凰山铜尾矿库区凤丹种植地土壤酶活性情况.[方法]对安徽铜陵凤凰山新、老铜尾矿矿区凤丹种植和非种植地以及凤凰山农田地区的土壤采样,分析4种土壤酶活性.[结果]新、老尾矿库凤丹种植地4种土壤酶活性大于非种植地土壤酶活性,老尾矿库的凤丹种植地的土壤酶活性大于新尾矿库区,但是低于农田地区土攘酶活性.[结论]经过十几年的复垦,老尾矿库土壤酶活性有明显的提高.     

铸态304L奥氏体不锈钢等径角挤压变形研究

 研究了铸态304L奥氏体不锈钢在等径角挤压(ECAP)变形过程中显微组织的演变过程。结果表明,经4道次剪切变形后树枝晶破碎、原始粗大晶粒碎化。显微组织的变化过程可归纳为：原始粗晶粒→晶粒被滑移带分割→位错发展形成高密度位错墙,与滑移带共同作用形成胞块结构→应变增加形成层片状界面→形成大角度晶界的细小晶粒。表明铸态304L奥氏体不锈钢经ECAP变形后塑性变形机制主要由滑移完成。     

基于距离的孤立点检测研究

孤立点检测是一个重要的知识发现任务,在分析基于距离的孤立点及其检测算法的基础上,文章提出了一个判定孤立点的新定义,并设计了基于抽样的近似检测算法,用实际数据进行了实验。实验结果表明,新的定义不仅与DB(p,d)孤立点定义有着相同的结果,而且简化了孤立点检测对用户的要求,同时给出了数据对象在数据集中的孤立程度。     

3G移动通信系统安全协议的描述及实现

在对3G通信系统安全相关算法和协议研究的过程中,采用ASN.1来描述相关的协议,通过VC++来实现相关的安全算法和ASN.1的编解码器。相关信令消息的传输码基于串行线仿真和传输。文中所提到的协议描述及实现方法,可广泛应用于通信协议的研究及测试。     

SiCf/SiC复合材料与镍基高温合金钎焊接头的组织及性能

针对新型耐高温复合材料(SiCf/SiC)的加工性差的问题,采用AuCuTi/Mo/AuCuTi复合钎料对其与镍基高温合金进行钎焊研究.通过探究不同温度下的接头力学性能及组织演变规律,对界面反应和应力缓释机理进行分析.在1 050℃C/10 min的工艺参数下,接头室温剪切强度最高达到79 MPa.接头典型的界面结构为...