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1998年 | 5篇 |
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1996年 | 2篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有965条查询结果,搜索用时 140 毫秒
21.
随着网络技术的迅速发展,新类型的入侵行为层出不穷,人们迫切需要能检测出新类型入侵行为的技术.将数据挖掘与入侵检测相结合,能够增强入侵检测系统对海量数据的处理能力,使得入侵检测系统具有可扩展性和自学习能力,增强人侵检测系统的检测功能.从数据的观点来看,入侵检测本身是一个数据分析过程,在数量上远少于正常行为的入侵行为可看作孤立点.于是将数据挖掘中的孤立点挖掘技术作为一种网络安全检测手段,用来识别变种或未知入侵行为,对于改善入侵检测系统的性能有着重大的研究意义.文中着重通过对LPCL孤立点算法进行介绍,并提出改进算法,从而有效减少计算量,快速挖掘数据更新后的新孤立点,具有较高的实用价值. 相似文献
22.
基于多种群粒子群优化算法的主动轮廓线模型 总被引:2,自引:1,他引:1
主动轮廓线模型凹陷边界点的寻优属于动态优化问题,由于其复杂性,传统方法不能准确搜索到最佳边界点。若采用单一的粒子群优化算法求解,不仅耗时,而且容易陷入局部极值。针对以上问题,提出一种多种群粒子群优化算法,并将其应用于主动轮廓线模型的边界寻优过程中。该算法为每个控制点设置一个种群,各种群之间通过共享信息的方式协作寻优,从而避免采用单一PSO算法容易早熟的缺点,同时扩大了控制点的搜索区域,提高了收敛速度。将改进方法与传统方法进行了对比,实验结果证明了改进方法的有效性。 相似文献
23.
为了探索微纳米物质在1维载体上的可控输运问题, 采用聚焦激光辐射输运载体获得温度梯度的方法, 进行了微纳米石蜡球在单根碳纳米线圈上输运问题的实验研究和理论分析。结果表明, 温度梯度可以驱动碳纳米线圈上的微纳米石蜡由高温区域向低温区域移动, 即发生输运现象; 调整激光的聚焦位置可以实现输运方向的可控, 调节聚焦激光输出功率可以实现输运距离和输运质量的可控; 激光电流为33.0 mA, 36.0 mA, 39.0 mA, 42.0 mA时, 微纳米石蜡球输运距离分别为0.69 μm, 1.40 μm, 2.00 μm, 2.50 μm。该研究为微纳米物质的可控输运提供了新方法, 对进一步研究微纳米物质输运问题是有帮助的。 相似文献
24.
由于掘进巷道煤岩时有硬度急剧变化现象,人工操控难以及时有效改变掘进机截割臂摆速,会严重影响截割头截齿与截割电动机的使用寿命。针对该问题,在分析截割臂摆速v、截割电动机电流I和煤岩硬度f之间的关系的基础上,提出了基于PID技术的截割臂摆速自动控制方法,即将截割电动机额定电流与实际电流之差值(I0-I)作为输入变量,通过比例单元、积分单元和微分单元的线性组合,对控制电液比例阀阀口开度的电流I1进行控制,从而控制截割臂摆速;依据煤炭行业标准MT/T971—2005,提出了5%的控制精度标准。该控制方法达到了替代人工操控、有效保护截齿和截割电动机,并同时使得截割电动机始终满载恒功率工作的目的。 相似文献
26.
27.
两层传感器网络中安全Top-k查询协议 总被引:1,自引:0,他引:1
在两层结构传感器网络中,存储节点收集传感器采集的数据,负责处理Sink的查询.在敌对环境中,存储节点可能会被攻击者妥协而泄露传感器所采集的敏感数据以及向Sink返回不完整的或虚假的查询结果.为此,提出了一种安全Top-k查询协议:SecTQ,SecTQ在保证存储节点正确执行查询的同时能有效防止敏感数据的泄露.为了保护数据的隐私性,首先将不同传感器采集的数据之间的直接比较转换成传感器采集的数据与Sink提供的查询比较值进行比较,并提出了一种基于扰动多项式函数的隐私保护方案.该方案利用扰动函数对传感器采集的数据和Sink提供的查询比较值进行编码,保证存储节点在不知道数据和查询比较值真实内容的情况下正确地执行查询处理.为了保护查询结果的完整性,提出了一种称之为水印链的方案,该方案能有效检测查询结果的完整性. 相似文献
28.
29.
在大学生的职业发展中,职业生涯规划是非常重要的环节。在我国的大学生职业生涯规划当中,存在着很多问题。本文具体分析大学生职业生涯中存在的一些问题,并且提出相应解决的对策。 相似文献
30.
为改善纯铜表面性能,提高使用寿命,以二氧化硅为渗剂,采用粉末包渗技术对工业纯铜进行渗硅处理。制备的渗硅层中有Cu_(0.83)Si_(0.17)、Cu_9Si、Cu_(6.69)Si等相产生,渗层最高显微硬度可达349HV0.05,约为基体的5.80倍。研究不同环境下渗硅层的耐蚀性和抗氧化性,铜渗硅后耐酸、盐及人工海水性能较基体分别提高2.26、3.77、4.38倍,抗氧化性能提高18.00倍。结果表明,采用二氧化硅在工业纯铜表面制备渗硅层是可行的。 相似文献