城网改造与新型低压无功补偿装置

综述了电力工业无功补偿技术的发展现状。分析了新型低压无功补偿装置的技术特点及应用情况。提出今后无功补偿装置以低压 SVC装置 ,低压动态补偿装置和低压分相自动补偿装置为主要类型。对线绕式异步电动机的补偿推出了新型的静止进相器     

丝杠支撑轴承性能分析及优化软件开发

针对丝杠支撑轴承高刚度、高旋转精度和高承载能力的优化设计目标,依据拟静力学原理和局部网格法对轴承主参数进行设计,在此基础上对所设计轴承进行有限元及磨损分析。对接触角、沟曲率半径和挡边高系数等主要参数进行分析和优化,以获得最佳刚度、受力状态和使用寿命,并利用VS和APDL对ANSYS进行二次开发并编制相应的分析软件,方便工程设计人员分析、使用。     

准连续介质方法及其应用

介绍原子和连续介质耦合的多尺度模拟中的一个重要方法——准连续介质方法。阐述与该方法相关的原子模拟方法和有限元方法,针对在原子区 / 连续介质区耦合时出现的匹配问题,讨论在非局部原子区和局部的连续区过渡中交接面的处理,即在两种区域采用不同的权重计算系统的能量。对于模拟过程中材料微观变形不断变化的情况,结合自适应网格技术,确保在需要时保持原子区的全部细节,而在连续介质区则相对粗化。最后,介绍准连续介质方法在晶界变形与断裂、纳米压痕和位错相互作用等方面的一些应用和发展,并对该方法面临的问题和发展趋势做了展望。     

左手材料平板波导的传输特性

研究了无色散左手材料(LHM)作为芯层的对称三层平板波导中TE波的传输特性.研究表明,导波和表面波都可以在这种波导中传播.导波不存在TE0模式,只有TE0,TE1模式才会出现表面波.此外还发现在特定结构参数的波导中,可以存在同一阶模式的双传播模.详细分析了结构参数对这些特性的影响.     

自然冷源在坑道式人防工程中的应用

1原理坑道式人防工程埋深一般较深,通常在50m左右,地温通常保持在18～20℃。坑道式人防工程内冬暖夏凉,冬季室外气温低、空气密度大,人防工程内气温高、密度小,密度小的空气上升从人防工程内高位的口部排出,密度大的室外空气从低位的口部进入人防工程内,被加热后上升,如此反复,     

基于纹理的超声成像测井图像"城墙效应"修复研究

根据测井图像中病态图像的特点,基于现代图像修复技术,提出了一种基于纹理的图像修复算法.介绍了该算法的基本思想,给出了利用基于纹理的图像修复算法处理超声测井图像的具体流程.该算法按照优先修复含有已知信息最多、中心点处等照度线方向与待修复区域边界垂直方向一致性最好的待修复块的原则,通过最佳匹配,在已知信息区域中寻找出最佳匹配块,对"城墙效应"进行修复.处理结果表明,该算法能够有效修复图像中的"城墙效应",保持结构的完整性,明显改善图像质量.该算法简单、实用、实时性强、无需人工干预,对超声成像测井资料的后期处理具有较高实用价值.     

四川盆地超深层天然气地球化学特征

对四川盆地38口井超深层(埋深大于6 000 m)天然气组分及其地球化学特征进行分析,以判明超深层天然气成因。四川盆地超深层天然气组分具如下特征:甲烷占绝对优势,含量最高达99.56%,平均86.67%;乙烷含量低,平均为0.13%;几乎没有丙、丁烷,为干气,属过成熟度气。硫化氢含量最高为25.21%,平均为5.45%;烷烃气碳同位素组成为:δ~(13)C_1值从-33.6‰变化至-26.7‰,δ~(13)C_2值从-32.9‰变化至-22.1‰,绝大部分没有倒转而主要为正碳同位素组成系列。烷烃气氢同位素组成为:δD_1值从-156‰变化至-113‰,少量井δD_2值从-103‰变化至-89‰。二氧化碳碳同位素组成为:δ~(13)C_(CO_2)值从-17.2‰变化至1.9‰,绝大部分在0±3‰范围。根据δ~(13)C_1-δ~(13)C_2-δ~(13)C_3鉴别图版,盆地超深层烷烃气除个别井外绝大部分为煤成气。根据二氧化碳成因鉴别图和δ~(13)C_(CO_2)值,判定除个别井外,超深层二氧化碳绝大部分为碳酸盐岩变质成因。龙岗气田和元坝气田超深层硫化氢为非生物还原型(热化学硫酸盐还原成因),双探号井的超深层硫化氢可能为裂解型(硫酸盐热裂解成因)。     

我国旱情旱灾情势变化及分布特征

在对1949—2008年县区以上的旱情旱灾数据和资料进行统计和分析的基础上,对我国近60年来旱情旱灾情现状及变化情势从特大干旱、农村饮水、农业干旱、城市缺水、生态环境和旱灾损失等不同的角度,对干旱灾害发生频率、影响程度、发生范围等几个方面进行了讨论。得出了干旱灾害在发生频次、严重程度和发生范围方面都呈现增加的态势,干旱不仅对农业,而且对工业生产以及江河、湖泊、湿地等生态环境造成严重影响,干旱灾害的影响已经波及经济社会发展的诸多领域,未来发生特大干旱的概率增加的结论。     

1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.     

镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升

基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系,制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比,同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0A时,室温连续模式下的输出功率达到300mW,最大插头效率为8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6A时,室温连续模式下的输出功率达到380mW,最大插头效率为15.6%;另外,在0.3~2.4A的注入电流范围内,镀膜器件的插头效率均大于10.0%,激射波长均在2.0μm附近。