基于GPRS、GPS和GIS的通信线路智能调度管理系统

GPRS、GPS、GIS三种技术的结合有效解决了通信线路资源管理中遇到的资源采集、存储、管理、分析、显示与应用等问题,实现了通信线路资源的动态更新、查询统计、智能调度等功能,为通信线路规划及调整提供了精确可靠的依据,避免重复无效投资建设.     

NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展

从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等。     

基于PLM的企业网络化协同管理平台的开发

分析PLM对企业网络化协同管理的重要作用,阐述基于PLM的网络化协同管理的必要性及实施方法,并以企业信息化网络为基础,搭建企业网络化协同管理平台,实现企业内外资源的协同和共享,缩短产品设计、开发、制造时间,快速响应市场需求,增强企业竞争力。     

PEG改性氧化钨薄膜的电致变色特性

为改善WO₃薄膜的电致变色性能, 采用溶胶-凝胶法制备了聚乙二醇(PEG)改性的WO₃电致变色薄膜, 并对其着色态与漂白态的光学特性以及循环伏安特性进行了研究。研究表明: PEG改性的WO₃薄膜具有良好的电致变色性能, 循环5000次伏安曲线无明显衰减, 对可见光的最大透过率调制幅度可达71%。PEG的加入改变了WO₃薄膜的微结构, 形成了平均直径为9 nm的介孔, 提高了离子在其中的扩散速率, 因此改善了WO₃薄膜的电致变色性能。由于循环稳定性对于电致变色材料的实际应用至关重要, 因此这种低成本的湿化学法有望用于制备高性能的WO₃基电致变色器件。     

衬底温度对CuCrO2薄膜光电性能影响

采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3．02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27．1S·cm^-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。     

铌酸钾纳米棒的新型溶胶-凝胶法合成

采用一种新的可溶性铌来代替价格昂贵的乙醇铌作为铌源,用溶胶-凝胶法合成铌酸钾(KN)纳米粉体。通过XRD、FTIR和TEM等技术手段对KN超细粉体的成相过程、相结构和微观形貌进行表征。结果表明,干凝胶在600℃煅烧可制得纯正交相的KN纳米粉体,合成温度比固相法降低了200℃以上;该粉体呈棒状,直径大约为100～200nm,长度大约为1～3μm,并对KN纳米棒的合成机制进行探讨。     

压电陶瓷变压器的试制及其老化行为研究

选用不同掺锰量的0.2PZN-0.8PZT (w(MnO2)为0.2%, 0.5%, 0.8%,分别记作P1,P2,P3)压电陶瓷制作了压电变压器模拟试样,采用空气中高温下对三端电极同时进行加压极化的方法。性能测试表明,P2的压电性能最优,具有最小的机械损耗和介质损耗,适合在全波谐振频率驱动状态下工作。此外,还系统研究了P2试样压电参数的老化行为,研究结果表明:电容量C和压电常数d33的老化行为均服从对数定律。     

宽带隙立方氮化硼薄膜制备

报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识 .结果表明 ,在射频功率和衬底温度一定时 ,衬底负偏压是影响 c-BN薄膜生长的重要参数 .在衬底负偏压为 - 2 0 0 V时得到了立方相含量在 90 %以上的 c- BN薄膜 .还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化 ,并对 c- BN薄膜的生长机制进行了讨论     

三维支护结构在隧洞开挖初期支护中的应用

通过工程实例阐述了基于传统施工方法的超前锚杆、钢拱架和系统锚杆组合结构支护法.     

泰来县水资源开发利用现状及建议

分析了泰来县水资源开发利用现状，并就水资源开发利用中存在的问题提出了对策。