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21.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.  相似文献   
22.
教学质量的时齐马尔可夫链评估法   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了教学质量评估中的一种定量分析方法──时齐马尔可夫链评估法.阐明了这种方法的理论依据及其实施程序、并指出它较之其他教学质量评估法更显合理.  相似文献   
23.
In this paper, a quasilinear second-order system with periodic boundary conditions is studied. By the least action principle and classical theorems of variational calculus, existence results of periodic solutions are obtained.  相似文献   
24.
For exponential weights, a necessary condition of weighted mean convergence for Lagrange interpolation is given.  相似文献   
25.
郑奎松  葛德彪 《物理学报》2006,55(6):2789-2793
对于具有周期单元的分层介质材料高反射区的波长范围,提供一种简明的估计分析方法.基于Floquet定理,分析了有限周期单元分层介质的光子带隙特性,给出分层介质的高反射区波长范围.讨论了分层介质高反射区和周期单元禁带之间的关系.计算表明,高反射区和周期单元禁带的中心波长彼此一致.并且,随着分层介质周期单元数的增多,高反射区的深度和带宽就越接近于周期单元禁带的深度和宽度.最后,讨论周期分层介质的光子带隙特性与入射角及其与极化的变化关系. 关键词: 分层介质 带隙特性 周期单元 高反射区  相似文献   
26.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低. 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目  相似文献   
27.
28.
By means of the Leggett-Williams fixed-point theorem, criteria are developed for the existence of at least three positive solutions to the one-dimensional p-Laplacian boundary value problem, ((y′))′ + g(t)f(t,y) = 0, y(0) - B0(y′(0)) = 0, y(1) + B1(y′(1)) = 0, where (v) |v|p−2v, p > 1.  相似文献   
29.
Kegel曾经提出如下猜测:若环R可以表示为它的两个局部幂零子环S、T之和,即有R=S+T,问R是否必是局部幂零的?本文证明:若Kegel猜测不真,则必存在一个本原环可以表示为它的两个局部幂零子环之和.另外,还得到两个与Kegel猜测有关的很有趣的结果.  相似文献   
30.
Shirong Luo  Baida Lü   《Optik》2002,113(8):329-332
Starting from the propagation equation of Hermite-cosh-Gaussian (HChG) beams and the intensity moments definition, an analytical expression for the propagation of the kurtosis parameter of unapertured HChG beams passing through paraxial optical ABCD systems is derived and illustrated numerically. Special interesting cases are discussed, in particular, the kurtosis parameter of HChG beams at the waist plane is obtained readily from our general propagation expression.  相似文献   
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