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991.
预辐射聚丙烯反应挤出接枝丙烯酸的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
利用电子束(EB)预辐照方法和反应挤出技术制备了聚丙烯接枝丙烯酸共聚物PP-g-AA. 采用化学滴定、红外光谱、偏光显微镜(PLM)、DSC和广角X射线衍射(WAXD)对接枝产物进行了表征. 研究结果表明, 接枝率随辐照剂量增加而增大并逐渐达到平台值, 但随单体浓度增大而表现为线性增加, 接枝链能起到异相成核作用, 从而提高了结晶速率并细化了球晶. 同时, 熔体流动速率(MFR)和力学性能测试结果表明, 预辐射和挤出过程造成了PP严重降解, 据此可认为接枝反应主要发生在聚丙烯断裂分子链的末端. 相似文献
992.
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS4000 3D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出三种不同类型的穿透型位错,其中黑点腐蚀坑对应螺位错,小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错,大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况,结果表明随着晶体生长,位错密度呈现逐渐降低的趋势,生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3,有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息,以指导SiC晶体生长工艺改进。 相似文献
993.
994.
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2O3重结晶。在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2O3。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2O3重结晶。 相似文献
995.
在氮气环境下用PVT方法生长氮化铝过程中,氮面和铝面由于表面化学性质不同,生长的主要化学反应速度存在差异。原子在生长表面的迁移能力不同造成单晶表面生长方式差异较大。在基本相同条件下(生长温度、生长温差、生长气压、类似的籽晶、同一台生长设备)进行了铝、氮面氮化铝单晶晶体生长。为了更明显地表现铝氮面的差异,将同一片籽晶分为两半,翻转其中一半让铝氮面同时生长。铝面生长较好的区域形成了明显的晶畴,而氮面生长时生长较好的部分出现了明显的生长台阶,并出现了晶畴边界被生长台阶湮灭的生长现象,进一步通过AFM观测到铝面生长台阶平整但被缺陷所阻隔,晶畴发育明显为各晶畴独立生长。氮面生长台阶没有铝面规则但连续性较强,在原来晶畴边界位置也出现了连续的生长台阶(或台阶簇)。所以籽晶质量不高时氮面生长更容易提高晶体质量,后续的XRD测量结果也证明了氮面生长后的晶体质量明显高于铝面生长的晶体质量。 相似文献
996.
997.
852.3 nm激光线共振激发Cs蒸气的荧光光谱 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了Cs蒸气被单模半导体激光器的852.3 nm线激发产生的荧光光谱。由Cs,Cs2的荧光及其强度确定了在受激Cs-Cs2系统中的若干碰撞和辐射过程。高位态原子线是由Cs(6P3/2)+ Cs(6P3/2)到Cs(6D,8S)的碰撞能量合并形成的,Cs2(B 1∏u)带则由Cs(6P)+Cs2(X 1Σ+g)碰撞转移产生。通过激发转移、能量碰撞合并和Cs2-Cs碰撞传能研究了6 2P原子的精细结构混合,得到了6P3/2→6P1/2碰撞转移速率系数是(5.2±2.1)×10-11 cm3·s-1,给出了过程Cs2(B 1∏u)+Cs(6S)→Cs2(X 1Σ+g)+Cs(6P1/2)的速率系数是(1.0±0.4)×10-9 cm3·s-1。 相似文献
998.
999.
1000.