通用工业相机的炸点瞬时位置测量模拟研究

为解决当前已有炸点空间位置探测系统存在的结构复杂、成本昂贵的问题,进行了基于通用工业相机的炸点瞬时位置测量的模拟研究,设计了LED瞬态闪光单元,通过光电传感器探测LED产生的光信号并转换为电信号。经过信号处理,根据信号的幅值控制2台普通工业相机同时曝光进行抓拍,然后对采集的图像进行数字图像处理,获取2幅图像中爆炸光斑中心的位置坐标,再结合2个相机之间的相对位置关系,最终解算出炸点的空间位置坐标。实验结果表明:在距离测量系统24 m、32 m、48 m处,最大误差绝对值在水平X方向为127 mm,在竖直Y方向为68 mm,在深度Z方向为279 mm。系统具有响应速度快、精度高、成本低等优点,满足系统探测要求。     

Ionic conductivity study on electron beam irradiated polyacrylonitrile-polyethylene oxide gel

Different mass percent polyacrylonitrile (PAN)-polyethylene oxide (PEO) gels were prepared and irradiated by an electron beam (EB) with energy of 1.0 MeV to the dose ranging from 13 kGy to 260 kGy.The gels were analysed by using Fourier transform infrared spectrum,gel fraction and ionic conductivity (IC) measurement.The results show that the gel is crosslinked by EB irradiation,the crosslinking degree rises with the increasing EB irradiation dose (ID) and the mass percents of both PAN and PEO contribute a lot to the crosslinking;in addition,EB irradiation can promote the IC of PAN-PEO gels.There exists an optimum irradiation dose,at which the IC can increase dramatically.The IC changes of the PAN-PEO gels along with ID are divided into three regions:IC rapidly increasing region,IC decreasing region and IC balanced region.The cause of the change can be ascribed to two aspects,gel capturing electron degree and crosslinking degree.By comparing the IC-ID curves of different mass percents of PAN and PEO in gel,we found that PAN plays a more important role for gel IC promotion than PEO,since addition of PAN in gel causes the IC-ID curve sharper,while addition of PEO in gel causes the curve milder.     

*-A(n)算子的谱性质

主要给出了*-A(n)算子的一些性质:若T是*-A(n)算子,则T有谱的连续性;若T是*-A(n)算子,则T的近似点谱和联合近似点谱是相等的;若T,S是*-A(n)算子,则T,S是Weyl算子当且仅当TS是Wey1算子.     

光折变晶体(BaSr)TiO3感应自泵浦相位共轭及光学双稳的理论分析

给出光折变晶体感应自泵浦相位共轭的一种理论解释，利用数值计算求解相应的耦合波方程，得出感应自泵浦相位共轭光与诱导光之间在一定条件下所呈现的双稳关系以及可逆尖和不可逆感应的特性，其分析结构与笔者先前得到的实验结果吻合。     

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

 用电子束蒸发方法制备了HfO₂薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO₂薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~350 ℃内出现了晶态转变，堆积密度随温度升高而增大。     

试谈非智力因素的培养

数学教学要达到开发智力,培养能力的目的,必须重视非智力因素的培养。而且,良好的非智力因素也是每个社会成员应该具备的心理品质之一。下面浅谈个人的看法: 一非智力因素的认识1.非智力因素及其在数学教学中的作用。所谓非智力因素,是指学生个体学习积极性方面的因素,如动机、兴趣、态度、爱好、个性意志品质等。在学习中,智力因素和非智力因素两者缺一不可,它们必须协同作用才能完成学习任务。智     

Z型复合催化剂g-C3N4/Vo-ZnO光催化活性的研究

随着科学技术的不断进步和经济的快速发展,人类对自然资源的需求量越来越大,在开发利用自然资源的同时,大量的有机污染物也随之进入自然环境.这些物质不仅污染环境、破坏生态,更对人类的生活和健康带来了巨大的威胁.研究证实,半导体光催化剂在光照条件下可以破坏有机污染物的分子结构,最终将其氧化降解成CO2、H2O或其它不会对环境产生二次污染的小分子,从而净化水质.近年来,有关光催化降解有机污染物的报道日益增多. ZnO作为一种广泛研究的光催化降解材料,因其无毒、低成本和高效等特点而具有一定的应用前景.但是ZnO较大的禁带宽度(3.24 eV)导致其只能吸收紫外光部分,而对可见光的吸收效率很小,极大地制约了其实际应用.除此之外, ZnO受光激发产生的电子-空穴分离效率较低、光催化过程中的光腐蚀严重也是制约其实际应用的重要因素.为了提高ZnO的光催化活性和稳定性,本文合成了用g-C3N4修饰的氧空位型ZnO(g-C3N4/Vo-ZnO)复合催化剂,在有效调控ZnO半导体能带结构的同时,通过负载一定量的g-C3N4以降低光生电子-空穴对的复合速率和反应过程中ZnO的光腐蚀,增强催化剂的光催化活性和稳定性.本文首先合成前驱体Zn(OH)F,然后焙烧三聚氰胺和Zn(OH)F的混合物得到g-C3N4/Vo-ZnO复合催化剂,并采用电子顺磁共振波谱(EPR)、紫外-可见光谱(UV-vis)、高分辨透射电镜(HRTEM)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)等表征了它们的结构及其性质. EPR结果表明,ZnO焙烧后具有一定浓度的氧空位,导致其禁带宽度由3.24 eV降至3.09 eV,因而提高了ZnO对可见光的吸收效率. UV-vis结果显示, Vo-ZnO复合g-C3N4后对可见光的吸收显著增强. HRTEM和FT-IR结果均表明, g-C3N4纳米片和Vo-ZnO颗粒之间通过共价键形成了强耦合,这对g-C3N4/Vo-ZnO复合催化剂中光生载流子的传送和光生电子-空穴对的有效分离起到重要作用.可见光催化降解甲基橙(MO)和腐殖酸(HA)的实验进一步证明, g-C3N4/Vo-ZnO复合材料具有较好的光催化活性,优于单一的g-C3N4或Vo-ZnO材料.同时还发现, g-C3N4的负载量对光催化活性有显著影响,当氮化碳的负载量为1 wt%时,所制材料具有最高的光催化活性：可见光照射60 min后,MO降解率可达到93%, HA降解率为80%.复合材料光催化活性的增强一方面是因为氧空位的形成减小了ZnO的禁带宽度,使得ZnO对可见光的吸收能力大大增强;另一方面, g-C3N4和Vo-ZnO的能带符合了Z型催化机理所需的有效能带匹配,使得光生电子-空穴对得到了有效的分离,从而提高了光催化活性.降解MO的循环实验表明, g-C3N4/Vo-ZnO催化剂具有很好的稳定性且不容易发生光腐蚀.与此同时,我们对比了用不同方法制备的g-C3N4/ZnO材料的催化性能.结果显示,本文制备的g-C3N4/Vo-ZnO复合材料具有更好的降解效率.总体而言,对于降解有机污染物, g-C3N4/Vo-ZnO可能是一个更为有效可行的催化体系.此外,本文也为设计与制备其他新型光催化剂提供了一条新的思路.     

应用于活性负离子聚合的高真空实验技术研究与改进

高真空实验技术在装置设计、加工制作以及操作实施方面需要实验人员具备熟练的玻璃烧接技术;细颈的制作及反应装置的退火处理是较为关键的操作;考虑到聚合反应装置的体积较大,对火封操作进行了设计改进,使其能够应用于位置固定的装置;对操作中频繁采用的易碎封口安瓿进行了设计改进,使实验操作更为便利;针对已封闭装置预留的细颈部位,设计...