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粘土矿物在催化木质素形成腐殖质方面具有重要贡献。为有效阐明微生物-木质素-粘土矿物三者间的关系,探明矿物-菌体残留物的结构特征,采用液体摇瓶培养法,以木质素为碳源,通过添加高岭石和蒙脱石,在接种复合菌剂后启动110 d液体培养,期间动态收集矿物-菌体残留物,利用傅里叶红外光谱及扫描电子显微镜技术对其结构特性进行了研究。结果表明:高岭石颗粒边缘多由管状体卷曲而成,在参与微生物利用木质素形成矿物-菌体残留物后,连片状细小颗粒结构进一步团聚,结合更加紧凑,短管状结构增多,但整体仍保持多水高岭石的结构特征;在初始富营养条件下,高岭石能够促进微生物繁衍,使大量菌体聚集于高岭石表面,掩蔽了Si-O和Si-O-Al键,且矿物-菌体残留物中脂族碳结构比例增加;菌体中多糖物质通过含氧官能团与高岭石表面的水化层在多个部位形成氢键,氢键的形成对于高岭石稳定木质素及其降解产物具有重要作用,芳香碳结构比例和多糖类物质含量随培养时间逐渐增加,而后复合菌株对掩蔽在矿物表面的菌体进行二次利用,使高岭石Si-O-Al键重现;蒙脱石多由浑圆的颗粒结构组成,接种微生物可使其表面产生溶蚀,团粒结构遭到破碎;与10 d相比,历经30 d培养所得矿物-菌体残留物中的多糖类物质增多,使原本归属蒙脱石Si-O-Si及Si-O结构的1 034~1 038 cm-1处吸收峰强度增加,而后因多糖类物质与蒙脱石表面羟基发生缔合,又使该处吸收峰强度减弱,同时发生了氢键键合,该作用是蒙脱石-微生物-木质素间相互作用、形成矿物-菌体残留物的主要机制;高岭石在稳定有机碳方面的能力要高于蒙脱石,更易促进HS前体物质的形成。 相似文献
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基于CGE的人民币升值影响测算模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将可计算一般均衡模型(CGE)应用到人民币升值影响测算中,建立了基于CGE的人民币升值影响测算模型,该模型包含18个生产部门和4个国外账户.基于2007年数据,应用该模型模拟了人民币以5-40%不同幅度的升值情景,在其他因素或条件不变的情况下,静态地测算了人民币升值对我国对外贸易、产业发展以及社会福利等三个方面的影响.结果表明:在其他因素或条件不变的情况下,人民币升值将直接对我国的对外贸易造成极大的负面影响,进一步对我国的产业发展与社会福利造成灾难性影响.特别地,当升值幅度大于20%时,人民币升值将对我国造成严重的经济危机与社会不稳定. 相似文献
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两亲8-氨基喹啉化合物的LB膜及其电致发光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
以8-氨基喹啉为亲水头基合成了两亲配体2-十二烷基丙二酸二(8-氨基喹啉)酰胺(H2A)的钢配合物(CuA)。研究了H2A、CuA在纯水亚相和H2A在CuCl2亚相表面的成膜性能。H2A与亚相中的Cu^2 发生配位形成了配合物(Cu-H2A)。X射线光电子能谱表明,H2A通过氮原子与Cu^2 配位,配位比为1:1。CuA的成膜性能最好,其次是Cu/|H2A。以H2A、Cu-H2A和CuA的LB膜制备了三层电致发光器件:ITO/TPD/LB膜/Alq3/Al,其起亮电压分别为7.5、6.7和6.5V,最大亮度分别为630、352和376cd/m^2,电致发光光谱的发射峰分别为503、510和514nm。配合物较弱的电致发光性能归因于Cu^2 的荧光淬灭作用. 相似文献
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目的建立了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定不同批次山绿茶降压胶囊内容物中无机元素的含量,从无机元素角度探讨山绿茶降压胶囊的质量控制方法。方法采用微波消解处理山绿茶降压胶囊内容物样品,用ICP-MS对样品中多种无机元素进行全定量测定。结果测定10个不同批次山绿茶降压胶囊内容物的22种无机元素,其中K、Mg、Ca、Zn等元素含量较高,且与药效相关性较强,Cu、As、Hg、Pb、Cd全部符合标准要求。结论本法灵敏度高,专属性好,适用于山绿茶降压胶囊内容物中无机元素测定,为山绿茶降压胶囊内容物重金属含有量及用药提供依据。 相似文献
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近年来,有机场效应晶体管(OFETs)由于在柔性器件和可穿戴电子学中的潜在应用受到了学术界和工业界的普遍关注,尤其是以聚合物半导体材料构筑的晶体管性能得到了快速的发展.如何设计合成用于OFETs的高性能聚合物半导体材料,一直是我们的追求目标.然而,分子结构对迁移率的影响仍缺少系统的比较.本文综述了近年来国内外新型聚合物材料的最新进展.我们按照材料的种类以及载流子的传输类型进行了分类,对高性能聚合物材料的发展过程、材料的设计思路以及相应的FETs性能进行了系统地归纳总结.通过研究分子及分子聚集态结构与器件性能之间的关系,希望为以后设计合成新型的高性能的聚合物材料提供有益的借鉴和指导. 相似文献
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采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇( Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0%(原子分数).对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理.对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量.中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高.发射光谱中400 -600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处.并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析. 相似文献
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利用温度梯度法生长了BaY2F8晶体和Er3+:BaY2F8晶体。测试了Er3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱以及从室温(299 K)到12 K的荧光光谱,分析了温度对Er3+:BaY2F8晶体发光强度的影响。结果表明,在375 nm泵浦光源的激发下,观察到峰值为520 nm和552 nm两种较强的绿光发射,随着温度的升高,520 nm发光峰逐渐增强而552 nm发光峰逐渐减弱;在温度为12 K时,对应于Er3+4I13/2→4I15/2的跃迁处(1.5μm附近)出现多个分立的发射峰,随着温度的升高,这些发光峰逐渐出现展宽并且峰位发生蓝移。最后利用多声子辅助跃迁以及多声子弛豫对于温度的依赖关系来解释上述现象。 相似文献
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研究了等离子体反应装置内的等离子体密度、粒子能量与角度分布等参量在装置径向与轴向上的分布特性。在研究过程中应用二维混合模型对CF4气体放电进行模拟。计算结果显示:在电极表面与侧壁附近的鞘层区特性有明显的区别。由于装置侧壁处受电源产生的射频电场的影响较小,侧壁处的鞘层主要由双极扩散机制形成,其产生的径向电场强度较弱,鞘层厚度也较薄。而在电极附近,由于受到射频电场的影响,鞘层的厚度显著增加,指向电极方向的轴向电场强度也远大于指向侧壁方向的径向电场强度。在电极区域内,离子通量分布均匀;在电极边缘与侧壁的间隙内,因电场强度减小,离子通量则发生迅速衰减。在射频电极覆盖的范围内离子能量分布大体上保持不变,电极与侧壁的交界处,由于受到侧壁处径向电场的影响,离子能量分布略有不同。在放电装置的中心区域,入射到电极上的离子角度分布基本保持一致,而在电极边界与装置侧壁的交界处,由于径向电场的影响,离子的垂直入射角增加,以大角度轰击电极的离子数量也显著增加。 相似文献