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2022年 | 3篇 |
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1995年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 4篇 |
1988年 | 4篇 |
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51.
实验研究并分析了调Q Nd:YAG 脉冲激光诱导光纤损伤特性.设计了在真空条件下全石英光纤传输1064 nm 脉冲激光实验.通过将激光注入光纤端面气压降低到10—100 Pa, 光纤端面击穿阈值提高到大气环境下的185 倍.结合光纤端面损伤形貌分析可知,光纤端面损伤主要是由于激光驻波场和烧蚀共同作用的结果,光纤端面或内部大量的缺陷降低了光纤抗激光损伤的能力.在真空条件下由于光纤端面光学击穿阈值的提高,激光诱导光纤损伤特性又表现出了另外一种损伤模式——光纤初始输入段损伤.它发生在光纤输入段附
关键词:
激光损伤
光束传输
真空
石英光纤 相似文献
52.
A simple algebraic approach to exact solutions of the hard-core Fermi-Hubbard model is proposed. Excitation energies and the
corresponding wavefunctions of the hard-core Fermi-Hubbard model with nearest neighbor hopping cases in high dimension are
obtained by using this method, which manifests that the model is exactly solvable in any dimension. 相似文献
53.
54.
以目前激光惯性约束聚变中应用最广泛的高折射率材料二氧化铪(HfO2)为研究对象,在熔石英基底上分别采用TEMAH和HfCl4前驱体制备了HfO2薄膜,沉积温度分别为100,200和300℃。采用椭偏仪和激光量热计对薄膜的光学性能进行了测量分析,采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行了测量。最后在小口径激光阈值测量平台上按照1-on-1测量模式对薄膜的损伤阈值进行了测试,并采用扫描电子显微镜(SEM)对损伤形貌进行了分析。研究表明,用同一种前驱体源时,随着沉积温度升高,薄膜折射率增加,吸收增多,损伤阈值降低。在相同温度下,采用有机源制备的薄膜更容易在薄膜内部形成有机残留,导致薄膜吸收增加,损伤阈值降低。采用HfCl4作为前驱体源在100℃制备氧化铪薄膜时,损伤阈值能够达到31.8J/cm2(1064nm,3ns)。 相似文献
55.
针对无线传感器网络为基础的控制系统中其板载电池的能量有限,从而影响无线传感器节点的运行寿命问题。本文设计并采取了嵌入式与分布式智能无线传感器网络(WSN),目的是优化和使控制照明系统更加高效,为了克服这个问题,基于能量感知的通信协议被引入,以减少为了延长其使用时间的无线传感器网络的功耗。本文中的以智能无线传感器网络为基础的LED照明系统,经过实验结果表明,无线传感器节点都能够运行的时间较长,从87天至102天,而增加了约20%的工作寿命。 相似文献
56.
激光弱吸收是导致光学薄膜损伤的重要原因。在(5~43)mPa的氧分压下制备并测试了一组HfO2薄膜。实验发现,当氧分压小于20mPa时,薄膜弱吸收越大,损伤阈值越低;当氧分压大于20mPa时,薄膜的损伤阈值与弱吸收并不一一对应,具有较高弱吸收的薄膜可能同时具有较高的损伤阈值。建立了缺陷模型,采用有限元法模拟了缺陷对弱吸收测量和损伤阈值测量的影响,分析了缺陷尺寸、密度、吸收系数对弱吸收和损伤阈值的影响。研究结果显示,吸收系数高于薄膜1 000倍的缺陷可以降低薄膜的损伤阈值1 000倍,却并不影响薄膜的弱吸收。缺陷对HfO2薄膜的激光弱吸收与损伤阈值测试有完全不同的影响,是导致某些薄膜弱吸收与损伤阈值背离的原因。 相似文献
57.
本文讨论了SO_5?SU_2?SU_2?U_1?U_1及SO_5?U_1?U_1的VCS表示。计算了SO_5?SU_2?SU_2的约化矩阵元,并利用K矩阵技术确定了SO_5权的多重度。 相似文献
58.
纳米磁性多层膜研究进展 总被引:7,自引:0,他引:7
纳米磁性多层膜具有许多体材料所没有的特殊性质.它的出现为理论工作者研究物质的磁学性质提供了崭新的途径,更重要的是它将作为一种有巨大潜力的信息存贮介质而走上磁记录和磁光记录的舞台,并具有广阔的应用前景.该文是对纳米磁性多层膜出现近十年来各主要研究领域工作的一简要综述. 相似文献
59.
利用诱导表示和线性方程方法构造了Birman-Wenzl代数的不可约表示,并给出了Cf(r,q)当ƒ≤4时的自伴随表示的结果. 相似文献
60.
本文总结了计算黑克、布劳、及伯曼 温采尔代数在各种工数链下诱导及分导系数的线性方程方法(LEM)。特别强调了关于A,B,C,D型李代数及其量子情形与其中心代数之间的舒尔 魏尔 布劳双关性关系。这一关系使我们能够利用相应中心代数的诱导及分导系数计算出经典李代数及其量子情形的耦合与重新耦合系数。讨论了从该方法得到B,C,D型李代数不可约表示克罗内克积分解的应用。基于LEM还得到了处理对应于置换群CG系列问题的黑克代数张量积的方法。 相似文献