在全息照相实验中增设光栅辅助白光再现全息图的尝试

针对目前大多数理工科院校开设的全息照相实验中一般只用单色光再现的现状,在保留单色光再现的基础上,增加了光栅辅助白光再现实验内容,丰富了实验内容和提升了实验层次,加深了学生对全息术理论和光栅衍射的理解.     

儿童铅中毒研究十年回顾

对十年来儿童铅中毒的研究进行了回顾,总结了其主要研究内容及成果。     

GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制

采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因. 发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiN_x掩模层弯曲. 采用选择性腐蚀逐渐去掉SiN_x掩模层, 发现XRD中GaN(0002)w扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息. 该衍射信息起初为一个很宽的峰, 随着选择性腐蚀的进行, 会先分裂为两个峰, 最后当SiN_x掩模层全部腐蚀掉后, 其中一个衍射峰会消失, 而只剩下一个很窄的峰. 作者证实造成横向外延GaN 中晶面倾斜的原因有两个: 一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变; 另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.     

c-AlN/TiN/Si(100)异质结构的显微组织及光学性能

立方氮化铝(c-AlN)以其优异的性能成为发光二极管、激光二极管等光电子器件的理想材料。采用激光分子束外延法制备了c-AlN/TiN/Si(100)异质结构,研究了它的显微组织和光学性能。结果表明:AlN薄膜和TiN缓冲层呈立方岩盐矿结构的(200)面择优取向;c-AlN薄膜、TiN缓冲层和Si衬底的界面清晰,不存在第二相,但错配应力使得界面处存在一定的缺陷;c-AlN薄膜的光致发光谱分别在376,520,750 nm处有3个发光中心;376 nm处的发光峰与氮空位(V_N)和氧杂质(O_N)有关,520 nm处的发光峰与Al空位(V_(Al))和O_N的复合有关,而750 nm处的发光峰可归因于V_(Al)和价带之间的辐射复合;c-AlN薄膜的电致发光中心在580 nm附近,也属于c-AlN的深能级缺陷发光。     

新型PEC柱-钢梁T形焊接加强型中节点抗震性能试验研究

为了进一步研究新型PEC柱-钢梁T形件焊接加强型中节点的抗震性能,考虑柱轴压力、PEC柱布置方式和钢板组合截面类型等设计参数,设计制作了4个中节点1∶1.6缩尺模型试件,并对其进行水平低周往复荷载试验,观测记录了各试件试验中钢材屈服或屈曲与混凝土裂缝与压溃现象,得到试件的荷载-位移滞回曲线和破坏模式。根据试验结果分析了试件的承载能力、节点连接转动刚度退化、耗能能力和节点传力机理等抗震性能。结果表明:PEC柱组合截面翼缘采取卷边措施增强了核心区混凝土的约束作用;PEC柱轴压力提高了节点的初始转动刚度,而受力变形过程中的二阶效应降低了其抗弯承载力并加快了梁截面进入屈服的损伤进程;所有试件均表现出良好的自复位功效;所有试件破坏模式均为加强T形件端部焊缝附近梁截面形成塑性铰,更好地满足"强节点弱构件"的设计要求。上述结果有助于对PEC柱-钢梁节点抗震性能的认识,可为PEC柱-钢梁组合结构设计规范制订以及工程应用提供参考。     

新型PEC柱(强轴)-钢梁(RBS)组合框架层间倒塌机理试验研究

结构抗倒塌性能是维系结构震后整体性和实现"大震不倒"设计标准的关键所在。为研究新型PEC柱(强轴)-钢梁(BRS)组合框架结构的层间子结构倒塌机理,按1∶2缩尺比例设计制作1榀组合框架层间子结构试件并进行拟静力抗震试验。基于试验现象记录和测试数据整理,分析了试件的破坏过程、滞回特性、水平抗侧刚度退化、耗能能力、水平侧移模式与塑性破坏机构等抗震性能。研究结果表明:对穿螺栓连接实现了节点区混凝土斜压带传力模式,且梁端截面削弱使梁端出现塑性铰远离节点区,较好满足了"强节点弱构件"的抗震要求;试件位移延性系数μ_u=4.36,最大等效黏滞阻尼比(ζ_(eq))_(max)=0.344,具有较好的抗震延性和耗能能力;试件水平抗侧刚度沿高度分布均匀,呈现理想倒三角形侧移模式;试件最终破坏模式为梁端削弱截面屈服形成塑性铰的理想塑性破坏机构,且其承载力下降到极限承载力85%时,对应层间相对侧移和节点转角均超过罕遇地震作用下层间侧移限值1/30,试件具有良好的抗倒塌能力。     

Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth

The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) on sapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray diffraction (DC-XRD). It was found that ELO GaN stripes bent towards the SiN_x mask in the direction perpendicular to seeding lines. Each side of GaN (0002) peak in DC-XRD rocking curves was a broad peak related with the crystallographic tilt. This broad peak split into two peaks (denoted as A and B), and peak B disappeared gradually when the mask began to be removed by selective etching. Only narrow peak A remained when the SiN_x mask was removed completely. A model based on these results has been developed to show that there are two factors responsible for the crystallographic tilt: One is the non-uniformity elastic deformation caused by the interphase force between the ELO GaN layer and the SiN_x mask. The other is the plastic deformation, which is attributed to the change of the threading dislocations (TDs)—from vertical in the window regions to the lateral in the regions over the mask.     

上海市胎儿铅暴露状况及其影响因素

为了解上海市人群的胎儿铅暴露水平及其影响因素，在上海市杨浦区收集脐血标本６０５份，其中３４８份标本在严格质量控制下石墨炉子原子吸收光谱法进行血铅测定。并以面谈问卷的形式对脐血铅水平在第７０百分位以上和第３０百分位以下者进行家庭社会环境和健康状况调查，用多因素统计分析的方法分析对脐血铅水平有明显作用的影响因素，结果发现３４８例的血铅水平呈正态分布，被测人群中脐血铅范围０．０８～０．８４μｍｏｌ／Ｌ，     

金属组学——元素生命科学发展的新纪元

对金属组学的概念、研究内容及研究的技术路线和分析技术研究进展进行了综述，主要介绍了对金属蛋白组学研究的相关技术方法，指出了金属组学的发展前景。     

环境中汞污染来源、人体暴露途径及其检测方法

对环境汞污染的来源、人体暴露途径及其检测方法等方面进行了综述,为预防和治理汞污染提供了资料。