首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   39篇
  免费   15篇
  国内免费   14篇
数理化   68篇
  2024年   2篇
  2023年   3篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2019年   2篇
  2018年   4篇
  2017年   2篇
  2016年   1篇
  2015年   6篇
  2014年   7篇
  2013年   4篇
  2012年   3篇
  2010年   2篇
  2009年   5篇
  2007年   1篇
  2006年   3篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2000年   3篇
  1999年   2篇
  1998年   1篇
  1994年   2篇
  1989年   1篇
  1986年   1篇
  1984年   2篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有68条查询结果,搜索用时 46 毫秒
31.
设D是一个有向伪图,如果对于任意两个点u和v,D有一条生成(u,v)-路或一条生成(v,u)-路,则D是弱哈密尔顿连通的;若既存在一条生成(u,v)-路又存在一条生成(v,u)-路,则D是强哈密尔顿连通的.一个有向伪图D的线图L(D)是D的弧集作为其点集,对于任意两个点a,b∈A(D),(a,b)是L(D)的弧当且仅当存在D中的点u,v,w满足a=(u,v)并且b=(v,w).本文刻画了两类有向伪图T及T’,使得L(D)是弱哈密尔顿连通的当且仅当D∈T,并且L(D)是强哈密尔顿连通的当且仅当D∈T’.  相似文献   
32.
壳聚糖/SiO2杂化材料膜制备的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
由甲壳质制得不同脱乙酰度、粘度的壳聚糖;制成的壳聚糖盐酸溶液与正硅酸乙酯在不同的条件下混合,得到一种杂化材料;通过红外光谱检测和物理性质观测到部分产物有新键形成;反应温度、时间pH值对产物形成膜的物理和机械性质有影响;与壳聚糖膜相比,部分杂化膜不溶解于稀酸溶液。  相似文献   
33.
本文研究了褐藻酸钠与Cu2 , Pb2 交换行为,通过海藻酸钠溶液与Cu2 , Pb2 的絮凝,测得两种离子最大交换量。考察了褐藻酸钠固体粉末与Cu2 , Pb2 在不同的反应条件下的离子交换与吸附行为。实验表明pH值,温度,时间,配比等条件是影响交换与吸附的因素,其吸附行为在一定的温度和一定的浓度范围内能较好的符合Freundlich等温吸附式  相似文献   
34.
分析体内宿主病毒模型的全局吸引性,并考虑到病毒颗粒的扩散性和病毒颗粒对易感染细胞的作用是一般函数xf(v).文中得到在R_01时,无病平衡点是全局吸引的,在R_01时,系统正平衡点是全局吸引的.  相似文献   
35.
陈泽  张小平  杨洪应  郑强  陈娜娜  支启军 《物理学报》2014,63(16):162301-162301
利用提出的远离稳定线附近的原子核β-衰变寿命的指数规律理论计算公式,对N=82附近快中子过程中等待点核素的β-衰变寿命进行了理论计算,比较了所获得的计算结果与最新的理论结果和实验结果并加以讨论.研究表明,相对于理论复杂和计算时间长的微观理论计算而言,利用考虑壳效应的远离稳定线的原子核β-衰变寿命指数规律理论计算公式能较快且准确地得出快中子俘获过程(R过程)等待点核素的β-衰变寿命.这能为R过程核素合成网络计算研究提供有效可靠的重要物理输入,并对今后天体中核素的合成研究具有重要意义.  相似文献   
36.
曾涛  董显林  毛朝梁  梁瑞虹  杨洪 《物理学报》2006,55(6):3073-3079
采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷,并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明:孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数,提高了静水压优值,并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测;晶粒尺寸增加,多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加,并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷,当烧结温度为1300℃时,孔隙率为34%,d关键词: 多孔PZT陶瓷 静水压优值 压电性能 介电性能  相似文献   
37.
ZnO films were deposited by low-pressure metal organic chemical vapour deposition on epi-GaN/Al203 films and c-Al203 substrates. The structure and optical properties of the ZnO/GaN/Al203 and ZnO/Al203 films have been investigated to determine the differences between the two substrates. ZnO films on GaN/Al203 show very strong emission features associated with exciton transitions, just as ZnO films on Al2O3, while the crystalline structural qualities for ZnO films on GaN/Al2O3 are much better than those for ZnO films directly grown on Al203 substrates. Zn and O elements in the deposited ZnO/GaN/Al2O3 and ZnO/Al2O3 films are investigated and compared by x-ray photoelectron spectroscopy. According to the statistical results, the Zn/O ratio changes from Zn-rich for ZnO/Al2O3 films to O-rich for ZnO/GaN/Al2O3 films.  相似文献   
38.
点击化学具有操作简单方便、灵活高效等特点,在石墨烯的功能化改性上具有极其重要的应用.本工作针对点击化学对石墨烯和氧化石墨烯功能化改性方面进行了综述.将石墨烯点击功能化改性方法分为两种情况:共价键结合的点击功能化改性和非共价键作用的点击功能化改性,其中共价键结合又可细分为边缘点击功能化改性和表面点击功能化改性.首先,本工作对石墨烯点击功能化改性的反应过程和反应条件及其研究方法作了详细的归类和系统的总结.一方面,在石墨烯点击功能化改性的分类上包括:氧化石墨烯边缘点击,氧化石墨烯表面点击,石墨烯表面点击,石墨烯表面经过Diels-Alder[4+2]的点击反应,以及通过非共价键作用的π-π堆积之后的点击反应;另一方面,在点击反应的合成路线上,详细列出了对石墨烯或者氧化石墨烯进行炔基化或者叠氮基化以及功能化分子进行相应地叠氮基化或者炔基化的连接方法和反应条件,通过点击反应将两部分连接起来,并指出石墨烯功能化复合物的功能特性和应用前景.对这部分工作进行列表总结,然后作图列出石墨烯和氧化石墨烯的点击功能化反应的具体分类和反应过程.另外,本工作列表总结了IR,Raman,UV,1H NMR,13C NMR,XPS,XRD,AFM,TEM,SEM,CV,TGA等对石墨烯和氧化石墨烯进行表征的常用方法,指出了常见的出峰位置以及表征结果和测试目的,并作了简要的分析和说明.最后,对点击化学在石墨烯和氧化石墨烯上的功能化应用作出了总结和展望.  相似文献   
39.
用共沉淀反应法制备硅酸三钙(C3S),将所制备的硅酸三钙(C3S)加入到磷酸钙系骨水泥(CPC)中,制备了一种新型的硅磷酸钙骨水泥(CPSC).研究了该复合骨水泥的理化性质和体外细胞毒性.与CPC骨水泥相比,硅磷酸钙骨水泥(CPSC)的固化时间延长,添加适量的C3S可提高CPC的抗压强度;在模拟体液(SBF)浸泡设定时间后,硅磷酸钙骨水泥(CPSC)降解率增加,并且在浸泡初期,SBF的pH增加.体外细胞毒性实验结果显示:复合C3S骨水泥浸提液能促进成纤维细胞的增殖,表明硅磷酸钙骨水泥有良好的生物相容性.含C3S的磷酸钙骨水泥可作为骨组织再生的生物材料使用.  相似文献   
40.
本文研究一类非线性抛物型方程和配对的方程组.这种方程通常来自物理、化学、生物和生态科学中.它描述某种粒子或生物体在特定环境中变化的规律.特别是配对的方程组在固态电子学中用于描述两种带电粒子的制约关系,称为载流子方程.用于描述一个自然现象的数学模型,只要现象本身具有重复再现性(reproducibiljty),优一定是适定的,业且对那些给定的条件是连续依赖的.在此我们考虑这样的情况:即当时间趋于无穷时暂态解趋于一稳态解。这里稳态解实际是一个非线性椭圆方程组的解,而暂态解则是原抛物型方程组的解。我们将看到整个问题中解函数的正性(positivity)将起着基本重要的作用。无论对原数学模型或离散化的模型,正性是保证问题稳定性、适定性的必不可少的条件。从计算的角度来看如果计算格式破坏了解的正性常常出现计算的不稳定,人们称此为非线性不稳定性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号