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101.
采用SnBu4在MCM-41表面的接枝反应和后续处理制备出了一种只在表面含锡的MCM-41型介孔分子筛。通过与采用纳米SnO2和MCM-41机械混合法、SnCl4浸渍法、水热合成法等制备的具有相当硅锡比(Si/Sn≈100)的SnMCM-41分子筛进行结构和对苯酚羟基化反应催化性能的比较发现, 由该法所得分子筛的水热稳定性明显提高,并在苯酚羟基化反应中表现出优良的催化活性、选择性和过氧化氢利用率。本文还详细考察了该催化剂对苯酚羟基化反应的最佳反应条件。  相似文献   
102.
通过浸渍法制备了Pt/SAPO-11催化剂,分步浸渍法制备了Ni-Pt/SAPO-11双金属催化剂。通过X射线衍射、低温氮物理吸附、氨程序升温脱附和吡啶吸附红外等手段对所得样品进行了表征。结果表明,助剂Ni的引入导致了催化剂的比表面积和孔容降低,同时,催化剂的B酸量、L酸量及总酸量均有所下降。在340℃时对正庚烷的临氢异构化反应中,当Pt含量0.2wt%时,Pt/SAPO-11催化剂的正庚烷转化率为45%,C7异构体收率为43%;而当Pt含量0.2wt%,同时Ni含量为0.2wt%时,Ni-Pt/SAPO-11催化剂的正庚烷转化率提高至72%,C7异构体收率提高至60%。  相似文献   
103.
采用阳极电化学氧化在铝片表面制备出表面含有氧化铝膜的铝片(AAO/Al), 分别用FTIR-ATR技术和密闭间歇式反应装置考察了该样片对油酸和乙烯的光解作用, 结合UV-DRS和FTIR表征结果对薄膜在油酸和乙烯光解中的作用进行了探讨. 结果表明:AAO/Al能够吸收小于265 nm的紫外光, 而无AAO膜的铝片对波长大于220 nm的紫外光没有任何吸收;254 nm紫外光照射下AAO/Al对油酸和乙烯的光解具有明显的促进作用, 光照3 h油酸的分解率达到70%, 乙烯也有9%的分解, 但相同条件下在无AAO膜的铝片上, 油酸的光解率仅为30%, 乙烯几乎不分解;然而, 在365 nm紫外光照射下, AAO/Al同纯铝片一样对两反应物的光解都没有任何促进作用. 分析认为, AAO膜能吸收254 nm的紫外光和对有机物分解具有光催化作用的可能原因是在AAO膜结构中存在过量的Al原子和氧空位.  相似文献   
104.
We measured the total reaction cross sections of 12N in Si at 36.2 MeV/u using Radioactive Ion Beam Line in Lanzhou (RIBLL) with a new method. The reaction target was installed at the intermediate focusing point T1 at RIBLL. This scheme allows us to identify particles before and after the reaction target unambiguously. The total reaction cross section (1760±78 mb) of ^12N in Si is obtained. Assuming that ^12N consists of a core ^11C plus one halo proton, the excitation function of 12N on the Si and C targets is calculated with the Glauber model and the Fermi-Fermi density distributions. It can fit the experimental data very well. A large diffusion of the protons density distribution supports the halo structure for ^12N.  相似文献   
105.
The title compound,{[MnL2·(2,2'-bipy)·H2O]·(HL)},has been synthesized (HL =p-methoxybenzoic acid,2,2'-bipy = 2,2'-bipyridine) by the reaction of MnCl2·6H2O with p-methoxybenzoic and 2,2'-bipyridine in an alcohol-water solution.It crystallizes in the triclinic system,space group P1 with a = 10.1138(5),b = 11.2811(5),c = 16.2210(8)(A),a = 77.5920(10),β= 72.1890(10),γ = 66.2320(10)°,Mr = 683.56,V= 1603.65(13) (A)3,Z= 2,Dc = 1.416 g/cm3,F(000)= 710,μ =0.473 mm-1,the final R = 0.0619 and wR = 0.1571 for 4724 observed reflections with I > 2σ(I).The structure determined demonstrated that it is an isomeric modification of the structure reported before.The Mn atom is six-coordinated by two N and four O atoms,forming a distorted octahedral geometry.All Mn-O and Mn-N distances range from 2.113(3)~2.410(3) (A).There also.exists a dissociative p-methoxybenzoic acid beside the octahedron.  相似文献   
106.
通过在WO3纳米片表面负载ZnFe2O4纳米颗粒,构建了一系列S型异质结光催化剂ZnFe2O4/WO3,并研究了其光催化CO2还原性能。在没有助催化剂和牺牲剂的条件下,所制备的ZnFe2O4/WO3复合材料可对CO2与水蒸汽进行光催化反应。优化后的材料光照5 h后CO2还原产物CO和CH4的产量分别为7.87和4.88 μmol·g-1。相对于单相组分,CO和CH4的产量明显提高。光催化活性的提高,归因于ZnFe2O4和WO3异质结的形成以及光生载流子的S型电荷传输模式。  相似文献   
107.
TiO2/SnO2复合光催化剂的耦合效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用改进的sol gel技术制备TiO2/SnO2耦合型半导体光催化剂,利用XRD、气相色谱 仪、粒度仪和表面光电压装置等研究了耦合型半导体光催化机理和光催化效率的影响因素, 并通过降解甲醛探讨其在空气污染治理中的作用.实验结果表明,添加20 %(mol) SnO2的复 合半导体光催化剂,其光催化效率比纯TiO2高一倍以上.据实验结果和粒子紧密堆积原理,提 出强耦合效应和弱耦合效应的光催化反应模型,并用此模型较好地解释了TiO2/SnO2复合型半 导体光催化剂的光催化效率随SnO2含量变化规律.  相似文献   
108.
车牌字符识别是车牌识别系统中的关键环节。采用图像处理和神经网络相结合的方法设计新的车牌字符识别算法,先对分割出的车牌字符进行归一化处理,然后进行SOBEI.边缘检测和角点特征提取,最后输入BP神经网络进行训练、识别,其中BP神经网络模型属于改进型神经网络。通过一系列神经网络训练和仿真实验,车牌识别速度和正确率得到了明显的提高。  相似文献   
109.
The mirror nuclei ^12N and ^12B are separated by the Radioactive Ion Beam Line in Lanzhou (RIBLL) at HIRFL from the breakup of 78.6 MeV/u 14N on a Be target. The total reaction cross-sections of ^12N at 34.9 MeV/u and ^12B at 54.4 MeV/u on a Si target have been measured by using the transmission method. Assuming ^12N consists of a ^11C core plus one halo proton, the excitation function of ^12N and ^12B on a Si target and a C target were calculated with the Glanber model. It can fit the experimental data very well. The characteristic halo structure for ^12N was found with a large diffusion of the protons density distribution.  相似文献   
110.
采用溶胶-凝胶法在p-型单晶硅的表面镀上一层TiO2-SnO2纳米复合薄膜,并在一定的温度下煅烧得到TiO2-SnO2/Si复合材料.实验研究发现,在TiO2中掺杂一定量的SnO2会使TiO2/Si复合材料的光电压增强,且SnO2的掺杂会抑制TiO2的晶相转变,使复合材料的高温稳定性增强.另外,SnO2的掺杂量和煅烧温度对复合材料的光电压都有影响.当SnO2掺杂量约为20%,煅烧温度为600℃时复合材料的光电压最强.  相似文献   
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