改进的GM-CBMeMBer机载多普勒雷达多目标跟踪算法

为了有效抑制剩余杂波、提高多目标跟踪(MTT)能力,在高斯混合势平衡多目标多伯努利(GM-CBMeMBer)滤波器的基础上引入多普勒信息,提出了一种适用于机载多普勒雷达的MTT算法(GM-CBMeMBerwD).该算法改进了GM-CBMeMBer滤波器的更新步骤:首先利用位置量测更新目标状态,然后利用多普勒量测对其进一步更新,从而更准确地求得目标似然函数和状态估计.仿真结果表明,与GM-CBMeMBer相比,GM-CBMeMBerwD能更准确且更稳定地估计目标数量;与其他3种跟踪算法相比,GM-CBMeMBerwD能以较低的计算复杂度获得较优的跟踪性能.     

闪锌矿制取高纯氧化锌的研究

为了利用闪锌矿制取高纯度氧化锌,首先在700～950 ℃温度范围内,将ZnS氧化分解为ZnO;然后采用流变相尿素先驱物法将氧化产物与尿素在150 ℃处理并过滤,将所得滤液进一步加热至650 ℃热处理得淡黄色高纯氧化锌.与传统的氧化锌制备方法相比,本方法工艺简单,能耗低,产品纯度高粒度小.     

微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜

根据二氧化钒在68℃附近发生相变的这一特性,选用V2O5和W2O3为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,采用微波等离子体增强法,合成了氮杂二氧化钨钒(V0.98W0.02O2-xNy)薄膜.通过XRD表征了样品的组成,用自制的仪器测量了合成样品的相变温度,结果表明:样品为氮杂二氧化钨钒(V0.98W0.02O2-xNy),通过氮掺杂能有效降低二氧化钨钒薄膜的相变温度,相变温度最低可以降至35℃.     

Sr和Nd掺杂对La_（9.33）（SiO_4）_6O_2电解质性能的影响

采用尿素-硝酸盐燃烧法对磷灰石型LSO电解质进行了三价稀土元素Nd和二价碱土元素Sr的La位掺杂,对合成样品进行XRD、SEM分析表征,并测试和分析了样品的电导率.结果表明：Sr、Nd掺杂对LSO的晶体结构、物相和形貌产生的影响很小,而适量的掺杂可有效提高LSO的氧离子传输性能.当掺杂x=0.3时,La9.33Mx（SiO4）6O2＋δ（M=Sr、Nd）具有最高离子电导率,La9.33M0.3（SiO4）6O2＋δ在500℃时的电导率分别为7.248×10-3S.cm-1、1.782×10-2S.cm-1.Nd掺杂不仅可以提高电导率,还可以降低传导活化能,相比于Sr掺杂更有利于LSO在中低温SOFCs中的应用.实验认为,Sr、Nd掺杂的LSO属于间隙氧传导机制,掺杂可以提高间隙氧的数量,间隙氧相比阳离子空位对LSO电导率的影响更大.     

均相沉淀法制备AACHH阻燃晶须

以硫酸铝和尿素为原料,山梨醇为模板剂,利用均相沉淀法在高压釜中反应合成了NH4Al（OH）3.24（CO3）0.38.H2O（AACHH）阻然晶须,研究了CO2相对浓度对合成产物及形貌的影响.XRD、FT-IR、PM和TG/DTA分析结果表明：在通入10 min的CO2的条件下可以制备出形状完好的AACHH晶须,晶须长径比为10~20,晶须释放阻燃气体为NH3、CO2和H2O,完全分解其失重量为57.9%.     

基于C#的SQLSERVER数据库技术教学探讨

该文通过了解高职非软件开发专业对数据库技术教学现状,分析当前教学设计方案存在的问题,提出解决的理念与具体实施的思路,教学不再侧重数据库开发与设计,根据高职学生的学习特点让学生更易上手、学以致用。     

天然胶磷矿制备HAP晶须及其表征

羟基磷灰石晶须材料具有良好的韧性与生物相容性.在研究云南磷矿矿物组成和化学组成的基础上,以云南磷矿中的胶磷矿为主要原料,采用模板诱导/均相沉淀法制备了羟磷灰石晶须,通过XRD、SEM对产物进行了表征分析.结果表明,所制得的晶须均匀分散,平均长度40 μm,加入的山梨醇越多,晶须越短.     

天然胶磷矿制备HAP晶须及其表征

羟基磷灰石晶须材料具有良好的韧性与生物相容性．在研究云南磷矿矿物组成和化学组成的基础上,以云南磷矿中的胶磷矿为主要原料,采用模板诱导／均相沉淀法制备了羟磷灰石晶须,通过XRD、SEM对产物进行了表征分析．结果表明,所制得的晶须均匀分散,平均长度40μm,加入的山梨醇越多,晶须越短．     

锶锌双掺杂磷灰石型硅酸镧电解质的制备与表征

为了提升硅酸镧电解质在中低温时(500～800℃)的电导率,将氧化镧、正硅酸四乙酯与掺杂元素的氧化物做为主要原料,通过溶胶-凝胶法制备了锶、锌双掺杂的磷灰石型硅酸镧电解质材料La9.33Srx Si5ZnO25+x,采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱仪、扫描电子显微镜和变温介电测量系统对样品的物相、微观结构和电导率进行表征。结果表明锶和锌成功进入硅酸镧晶格中,且对晶体的结构与形貌影响较小,以掺量和烧结温度做为变量的研究显示,当Sr的掺量为0.2、Zn的掺量为1、烧结温度为1 400℃时,所得到的电学性能最佳,其在800℃下的离子电导率达5.43×10-3S/cm,相较未掺杂的磷灰石型硅酸镧固体电解质的电导率1.7×10-3S/cm有一定提高。     

碳化硅添加对氮化硅转化为碳化硅晶粒形貌的影响

以氮化硅(Si_3N_4)、石墨为原料,碳化硅(SiC)为添加剂,利用Si_3N_4转化法制备出形貌变化的等轴状和长柱状SiC晶粒,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及能量色散X射线谱对产物的结构与微观形貌进行了表征,重点研究了SiC添加量对SiC形貌的影响及其影响机理。结果表明,SiC的添加有助于Si_3N_4转化为α-SiC,并影响其形貌和尺寸。随着SiC添加量的增加,制得的SiC晶粒由长柱状转变为等轴状,晶粒的尺寸也急剧减小。高温条件下,Si_3N_4首先分解为硅蒸气和氮气,硅蒸气又与石墨发生气-固反应生成小晶粒的SiC,继而发生重结晶。碳化硅的添加导致晶粒缺陷也增多,由于气态硅蒸气可在晶粒缺陷处重结晶,使SiC晶粒的取向生长得到抑制,促进了等轴状SiC晶粒的生成。