烟草NtMHX1和NtMHX2基因的克隆及不同金属离子胁迫下的表达模式分析

  目的  研究Magnesium proton exchangers（MHX）基因在烟草（Nicotiana tabacum）中的特性与功能。  方法  采用同源克隆方法，从栽培烟草K326中克隆MHX基因，对其编码蛋白进行了生物信息学分析，采用实时荧光定量PCR检测MHX基因在不同烟草组织及金属离子处理0 d、1 d、2 d、4 d、6 d的表达模式。  结果  获得2个NtMHX基因序列，分别命名为NtMHX1和NtMHX2，开放阅读框全长分别是1623 bp和1641 bp，编码540和546个氨基酸残基，相对分子质量为60382.99 Da和60977.72 Da，均为包含11个跨膜结构域的酸性蛋白质，与野生番茄（Solanum pennellii）和马铃薯（Solanum tuberosum）的MHX蛋白相似度最高。NtMHX1和NtMHX2基因在根、茎、叶、花中均有表达，且均在茎中的表达水平最高。NtMHX基因的表达受到Mg2+、Mn2+、Ca2+、K+、Na+、Zn2+和Cu2+的诱导，并受到Cd2+的抑制。  结论  克隆得到2个栽培烟草MHX基因，在烟草不同组织中均有表达，并受到多种金属离子的胁迫诱导。      

壳聚糖保鲜涂膜纳米SiO_x修饰工艺优化的研究

为了提高壳聚糖涂膜的力学性能和降低其透水率,实验先以十二烷基磺酸钠(SDS)活化纳米SiOx,随后将其加到壳聚糖乙酸溶液中,并用流延法制得分散比较均匀的壳聚糖纳米复合膜.此外采用二次回归旋转正交组合试验设计方法,优化了壳聚糖/纳米SiO(CTS/SiOx)复合涂膜的制备工艺条件,并通过红外(IR),X射线衍射(XRD)和电镜透射(TEM)手段对CTS/SiOx.复合涂膜的性能和结构进行袭征.优化结果表明,当壳聚糖(CTS)、活化纳米SiOx和单甘酯(Glyc)添加量分别为1.547 g、0.028 g和0.015 g时,CTS/SiOx,复合涂膜的性能达到最优,其拉伸强度和撕裂强度分别为54.85MPa和51.77kN·m-1,分别比未修饰壳聚糖单膜提高了63%和12%,而透水率却下降了73%.将制备的CTS/SiOx复合涂膜用于果蔬室温保鲜,保鲜质量和保鲜时间比对照组均有明显提高.     

GaN生长速率的研究

采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加．在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同．GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关．实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应．预反应的程度与TMGa的流量成正比．     

背照式AlGaN基双色日盲紫外探测器

Abstract： Back-illuminated AlxGal-xN-based dual-band solar-blind ultraviolet （UV） photodetectors （PDs） are realized by a three-terminal n-i-p-i-n heterojunction structure which is grown on sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The two p-i-n junctions contained in the heterojunction structure can work separately and independently. Working in the photovoltaic mode, the PDs display peak responsivity of ～10.8 mA/W at 242 nm and ～5.0 mA/W at 257 nm, respectively. The two junctions with different size, whose diameters are 500 μm and 800 μm, exhibit almost the same leakage current of ～1.3× 10-9 A at a reverse bias of 10 V. Therefore, dark current densities of the two junctions are close to 6.6 × 10-7 A/cm2 and 2.6 × 10-7 A/cm2 at -10 V respectively.     

砌体结构在实际工程中的应用及发展

本文通过分析天然地基上浅基础设计的一般方法,找出不完善的地方,即在设计过程中只考虑了地基承载力的影响,而忽略了地基不均匀沉降、基础倾斜的问题,笔者在此提出一种方法,即从规范入手,按允许沉降差和允许倾斜角确定基础的底面尺寸。     

GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现

利用光学薄膜原理,计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性.以Ni为粘附层,Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提高2.65倍左右.实验结果证实,利用键合方法实现的以Ni/Ag/Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的GaN/GaAs样品的光反射率在理论计算的459.2nm处提高了2.4倍.     

(Al2O3+TiB2)/ZL202复合材料的制备和力学性能

采用原位熔体反应合成法制备了(Al2O3 TiB2)/ZL202复合材料.用电子探针对复合材料的微观组织进行观察.结果表明:增强相TiB2颗粒主要分布于晶界上,与CuAl2相交织在一起,尺寸在1 μm左右,呈现圆球形,Al2O3颗粒约在3 μm左右,呈现规则的颗粒或圆球状,且彼此分离,界面干净.对铸态复合材料室温抗拉强度和硬度的测试发现,两相颗粒增强的复合材料都较单一颗粒增强复合材料要高.经过T6处理后,(Al2O3 TiB2)/ZL202复合材料的抗拉强度由221.0 MPa提高至339.6 MPa,提高幅度达53.67%,其延伸率降低至2.60%.     

GaN基肖特基结构紫外探测器

在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.     

JLSZV5-10W型户外浇注组合互感器取代JLSJW-10型油浸式组合互感器

本文介绍了户外组合式互感器JLSZV5-10W性能特点,其具有计费准确,绝对防窃电功能,是供电 部门最理想的选择。